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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第863页 > MJL21194G
MJL21193 ， MJL21194
硅功率晶体管
该MJL21193和MJL21194利用穿孔发射
技术和专门用于高功率音频输出而设计，
磁头定位器和线性应用。
特点
总谐波失真特点
高直流电流增益
http://onsemi.com
h
FE
= 25分钟@我
C
= 8 ADC
出色的增益线性度
高SOA ： 2.25 A， 80 V， 1秒
这些无铅器件*
最大额定值
16安培互补
广颖电
晶体管
250伏， 200瓦
标记图
等级
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
I
C
I
B
价值
250
400
5
400
16
30
5
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
1.5 V
集电极电流
连续
山顶（注1 ）
基极电流
连续
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
200
1.43
W
W / ℃，
_C
T
J
, T
英镑
65
to
+ 150
MJL2119x
AYYWWG
TO264
CASE 340G
方式2
x
A
YY
WW
G
3
1
辐射源
BASE
2个集热器
= 3或4
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
热特性
特征
符号
R
QJC
最大
0.7
单位
热阻，结到外壳
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤2%
订购信息
设备
MJL21193G
MJL21194G
包
TO264
（无铅）
TO264
（无铅）
航运
25单位/铁
25单位/铁
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年6月，
启示录6
1
出版订单号：
MJL21193/D
MJL21193 ， MJL21194
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 200伏，我
B
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
CE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 250 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
第二击穿
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
(V
CE
= 50伏直流， T = 1秒（不重复）
(V
CE
= 80伏直流， T = 1秒（不重复）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 16位ADC ，我
B
= 5 ADC）
基射极电压ON
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
(I
C
= 16位ADC ，我
B
= 3.2 ADC）
动态特性
总谐波失真在输出
V
RMS
= 28.3 V，F = 1千赫，P
负载
= 100 W
RMS
（一对匹配
FE
= 50 @ 5 A / 5 V ）
电流增益带宽积
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0, f
TEST
= 1兆赫）
h
FE
独一无二
h
FE
MATCHED
T
HD
f
T
C
ob
4
0.8
0.08
500
兆赫
pF
%
h
FE
25
8
75
2.2
VDC
VDC
1.4
4
I
S / B
ADC
4.0
2.25
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
250
100
100
100
VDC
MADC
MADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
PNP MJL21193
6.5
6.0
5.5
5V
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
0.1
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
1.0
I
C
集电极电流（安培）
10
V
CE
= 10 V
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0.1
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
NPN MJL21194
10 V
V
CE
= 5 V
1.0
I
C
集电极电流（安培）
10
图1.典型电流增益带宽积
图2.典型电流增益带宽积
http://onsemi.com
2
MJL21193 ， MJL21194
典型特征
PNP MJL21193
1000
1000
NPN MJL21194
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
100
25°C
- 25°C
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
25°C
100
- 25°C
V
CE
= 20 V
10
0.1
10
0.1
V
CE
= 20 V
1.0
10
I
C
集电极电流（安培）
100
1.0
10
I
C
集电极电流（安培）
100
图3.直流电流增益，V
CE
= 20 V
PNP MJL21193
1000
1000
图4.直流电流增益，V
CE
= 20 V
NPN MJL21194
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
25°C
100
- 25°C
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
25°C
100
- 25°C
V
CE
= 5 V
10
0.1
10
0.1
V
CE
= 20 V
1.0
10
I
C
集电极电流（安培）
100
1.0
10
I
C
集电极电流（安培）
100
图5.直流电流增益，V
CE
= 5 V
图6.直流电流增益，V
CE
= 5 V
PNP MJL21193
30
1.5 A
I C ，集电极电流（ A）
25
20
15
10
5.0
T
J
= 25°C
0
0
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
0
0
I C ，集电极电流（ A）
I
B
= 2 A
35
30
25
NPN MJL21194
I
B
= 2 A
1.5 A
1A
20
15
10
5.0
T
J
= 25°C
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
0.5 A
1A
0.5 A
图7.典型的输出特性
http://onsemi.com
3
图8.典型输出特性
MJL21193 ， MJL21194
典型特征
PNP MJL21193
3.0
饱和电压（伏）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
CE （ SAT ）
0
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
0
0.1
饱和电压（伏）
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
BE （ SAT ）
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
NPN MJL21194
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
图9.典型的饱和电压
图10.典型的饱和电压
PNP MJL21193
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
10
T
J
= 25°C
10
T
J
= 25°C
NPN MJL21194
V
CE
= 20 v（固体）
1.0
V
CE
= 5 V （虚线）
1.0
V
CE
= 20 v（固体）
V
CE
= 5 V （虚线）
0.1
0.1
1.0
10
100
0.1
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图11.典型的基射极电压
图12.典型的基射极电压
100
1秒
10
1.0
0.1
1.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
LIM-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
化;即，晶体管不能承受较大的dissip-
ATION比曲线显示。
图13的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
是VARI-
能够根据条件。在高温情况下，
热限制将减少超过可处理的权力
到值小于第二个突破性施加的限制
下来。
100
1000
IC ，集电极电流（ AMPS ）
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.活动区的安全工作区
http://onsemi.com
4
MJL21193 ， MJL21194
10000
T
C
= 25°C
C，电容（pF ）
C
ib
C，电容（pF ）
10000
T
C
= 25°C
C
ib
1000
C
ob
f
（测试）
= 1兆赫）
100
0.1
1.0
10
100
1000
C
ob
f
（测试）
= 1兆赫）
100
0.1
1.0
10
100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图14. MJL21193典型电容
图15. MJL21194典型电容
1.2
1.1
T，总谐波
HD
失真（％）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
10
100
1000
频率（Hz）
10000
100000
图16.典型总谐波失真
+50 V
Audio Precision公司
MODEL ONE PLUS
总谐波
失真
分析仪
50
W
DUT
0.5
W
来源
扩音器
0.5
W
8.0
W
DUT
-50 V
图17.总谐波失真测试电路
http://onsemi.com
5
MJL21193 ， MJL21194
首选设备
硅功率晶体管
该MJL21193和MJL21194利用穿孔发射
技术和专门用于高功率音频输出而设计，
磁头定位器和线性应用。
特点
总谐波失真特点
高直流电流增益
http://onsemi.com
h
FE
= 25分钟@我
C
= 8 ADC
出色的增益线性度
高SOA ： 2.25 A， 80 V， 1秒
无铅包可用*
最大额定值
16安培互补
广颖电
晶体管
250伏， 200瓦
记号
图
等级
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
I
C
I
B
价值
250
400
5
400
16
30
5
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
1.5 V
集电极电流
连续
山顶（注1 ）
基极电流
连续
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
200
1.43
W
W / ℃，
_C
T
J
, T
英镑
65
to
+ 150
MJL2119x
AYYWWG
TO3PBL
(TO264)
CASE 340G
热特性
特征
x
A
YY
WW
G
= 3或4
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
符号
R
QJC
最大
0.7
单位
热阻，结到外壳
° C / W
订购信息
设备
MJL21193
MJL21193G
MJL21194
MJL21194G
包
TO264
TO264
（无铅）
TO264
TO264
（无铅）
航运
25单位/铁
25单位/铁
25单位/铁
25单位/铁
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤2%
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年1月，
启5
1
出版订单号：
MJL21193/D
MJL21193 ， MJL21194
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 200伏，我
B
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
CE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 250 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
第二击穿
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
(V
CE
= 50伏直流， T = 1秒（不重复）
(V
CE
= 80伏直流， T = 1秒（不重复）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 16位ADC ，我
B
= 5 ADC）
基射极电压ON
(I
C
= 8 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
(I
C
= 16位ADC ，我
B
= 3.2 ADC）
动态特性
总谐波失真在输出
V
RMS
= 28.3 V，F = 1千赫，P
负载
= 100 W
RMS
（一对匹配
FE
= 50 @ 5 A / 5 V ）
电流增益带宽积
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0, f
TEST
= 1兆赫）
h
FE
独一无二
h
FE
MATCHED
T
HD
f
T
C
ob
4
0.8
0.08
500
兆赫
pF
%
h
FE
25
8
75
2.2
VDC
VDC
1.4
4
I
S / B
ADC
4.0
2.25
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
250
100
100
100
VDC
MADC
MADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
PNP MJL21193
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
0.1
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
1.0
I
C
集电极电流（安培）
10
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
V
CE
= 10 V
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0.1
T
J
= 25°C
f
TEST
= 1兆赫
NPN MJL21194
10 V
5V
V
CE
= 5 V
1.0
I
C
集电极电流（安培）
10
图1.典型电流增益带宽积
图2.典型电流增益带宽积
http://onsemi.com
2
MJL21193 ， MJL21194
典型特征
PNP MJL21193
1000
1000
NPN MJL21194
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
100
25°C
25
°C
V
CE
= 20 V
10
0.1
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
25°C
100
25
°C
V
CE
= 20 V
10
0.1
1.0
10
I
C
集电极电流（安培）
100
1.0
10
I
C
集电极电流（安培）
100
图3.直流电流增益，V
CE
= 20 V
PNP MJL21193
1000
1000
图4.直流电流增益，V
CE
= 20 V
NPN MJL21194
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
25°C
100
25
°C
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 100°C
25°C
100
25
°C
V
CE
= 5 V
10
0.1
10
0.1
V
CE
= 20 V
1.0
10
I
C
集电极电流（安培）
100
1.0
10
I
C
集电极电流（安培）
100
图5.直流电流增益，V
CE
= 5 V
图6.直流电流增益，V
CE
= 5 V
PNP MJL21193
30
I C ，集电极电流（ A）
I C ，集电极电流（ A）
25
20
15
10
5.0
T
J
= 25°C
0
0
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
0
0
1.5 A
I
B
= 2 A
1A
0.5 A
35
30
25
20
15
10
5.0
NPN MJL21194
I
B
= 2 A
1.5 A
1A
0.5 A
T
J
= 25°C
5.0
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
25
图7.典型的输出特性
http://onsemi.com
3
图8.典型输出特性
MJL21193 ， MJL21194
典型特征
PNP MJL21193
3.0
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.1
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
CE （ SAT ）
1.0
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
100
V
BE （ SAT ）
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
NPN MJL21194
图9.典型的饱和电压
图10.典型的饱和电压
PNP MJL21193
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
VBE （上） ，基极发射极电压（伏）
10
T
J
= 25°C
10
T
J
= 25°C
NPN MJL21194
V
CE
= 20 v（固体）
1.0
V
CE
= 5 V （虚线）
1.0
V
CE
= 20 v（固体）
V
CE
= 5 V （虚线）
0.1
0.1
1.0
10
100
0.1
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图11.典型的基射极电压
图12.典型的基射极电压
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
1秒
10
1.0
0.1
1.0
10
100
1000
有对的功率处理能力两方面的局限性
的晶体管;平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
LIM-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
化;即，晶体管不能承受较大的显示
sipation比曲线表示。
图13的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
是VARI-
能够根据条件。在高温情况下，
热限制将减少超过可处理的权力
到值小于第二个突破性施加的限制
下来。
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.活动区的安全工作区
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4
MJL21193 ， MJL21194
10000
T
C
= 25°C
C，电容（pF ）
C
ib
C，电容（pF ）
10000
T
C
= 25°C
C
ib
1000
C
ob
f
（测试）
= 1兆赫）
100
0.1
1.0
10
1000
C
ob
1.0
10
100
100
100
0.1
f
（测试）
= 1兆赫）
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图14. MJL21193典型电容
图15. MJL21194典型电容
1.2
1.1
T，总谐波
HD
失真（％）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
10
100
1000
频率（Hz）
10000
100000
图16.典型总谐波失真
+50 V
Audio Precision公司
MODEL ONE PLUS
总谐波
失真
分析仪
来源
扩音器
50
W
DUT
0.5
W
0.5
W
DUT
8.0
W
50 V
图17.总谐波失真测试电路
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5
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