MJH6284 （ NPN ）
MJH6284 （ PNP ）
首选设备
达林顿互补
硅功率晶体管
这些器件是专为通用放大器和
低速开关电机控制应用。
特点
http://onsemi.com
类似于流行的2N6284 NPN和PNP型2N6287
坚固耐用的特点RBSOA
整体结构与内置集电极 - 发射极二极管
无铅包可用*
达林顿20安培
其他芯片
功率晶体管
100伏， 160瓦
记号
图
PD ，功耗（瓦）
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
最大
100
100
5.0
20
40
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
- 连续
- 山顶
0.5
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
160
1.28
W
W / ℃，
_C
T
J
, T
英镑
-65到+150
最大额定值
SOT93
(TO218)
CASE 340D
AYWWG
MJH628x
热特性
特征
符号
R
QJC
最大
单位
热阻，结到外壳
0.78
° C / W
A
=
Y
=
WW
=
G
=
MJH628x =
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
175
200
大会地点
YEAR
工作周
无铅封装
器件代码
X = 4或7的
订购信息
设备
MJH6284
MJH6284G
MJH6287
MJH6287G
包
SOT93
SOT93
（无铅）
SOT93
SOT93
（无铅）
航运
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
图1.功率降额
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 修订版5
出版订单号：
MJH6284/D
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
开关特性
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
V2
约
+12 V
V1
约
8.0 V
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
小信号电流增益（I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益带宽积（我
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压（I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
基射极电压上（我
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 40 MADC ）
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 20 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150_C)
集电极截止电流（V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（I
C
= 0.1 ADC ，我
B
= 0)
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复的类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
t
r
, t
f
,
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
0
对于NPN测试电路反向二极管和电压极性。
图2.开关时间测试电路
25
ms
V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 10位ADC
I
B1
= I
B2
= 100毫安
占空比= 1.0 ％
51
阻性负载
特征
R
B
D
1
+4.0 V
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V2 = 0
MJH6284 （ NPN ） ， MJH6284 （ PNP ）
≈
8.0 k
TUT
≈
50
V
CC
30 V
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R
C
范围
BASE
2
MJH6284
MJH6287
NPN
MJH6284
图3.达林顿示意图
集热器
V
CEO （ SUS ）
符号
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
辐射源
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
C
ob
h
FE
h
fe
f
T
t
d
t
s
t
r
t
f
BASE
NPN
民
300
750
100
100
3.5
1.0
0.3
0.1
4.0
典型
PNP
MJH6287
18,000
PNP
最大
400
600
2.0
1.0
0.3
0.1
4.0
2.8
2.0
3.0
2.0
0.5
5.0
1.0
集热器
辐射源
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
ms
MJH6284 （ NPN ） ， MJH6284 （ PNP ）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 0.78 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
P
（ PK）
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
D = 0.5
0.2
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
50
100
200 300
500
1000
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
图4.热响应
FBSOA ，正向偏置安全工作区
50
IC ，集电极电流（ AMPS ）
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
二次击穿有限公司
0.1毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
dc
T
J
= 150°C
0.2
0.1
0.05
2.0
5.0
键合丝有限公司
散热的限制，
@T
C
= 25°C （单脉冲）
10
20
50
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. MJH6284 ， MJH6287
50
IC ，集电极电流（ AMPS ）
正向偏压
40
30
占空比= 10 ％
20
L = 200
mH
I
C
/I
B
≥
100
T
C
= 25°C
V
BE （OFF）的
= 05.0 V
R
BE
= 47
W
0
30
60
100
10
20
40
80
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
110
10
0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图6.最大RBSOA ，反向偏置
安全工作区
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3
MJH6284 （ NPN ） ， MJH6284 （ PNP ）
NPN
3000
2000
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 150°C
1000
25°C
500
300
200
150
0.2
0.3
0.5
55
°C
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
V
CE
= 3.0 V
3000
的hFE ， DC电流增益
2000
5000
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 150°C
25°C
PNP
1000
700
500
300
0.2
55
°C
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图7.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
I
C
= 5.0 A
100 200 300 500
I
B
，基极电流（毫安）
50
1000
I
C
= 10 A
I
C
= 15 A
T
J
= 25°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
I
C
= 5.0 A
100 200 300 500 1000
I
C
= 10 A
I
C
= 15 A
I
B
，基极电流（毫安）
图8.集电极饱和区
3.0
T
J
= 25°C
V，电压（V ）
3.0
T
J
= 25°C
2.5
V，电压（V ）
2.5
2.0
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.5
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
2.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.5
V
BE（上）
@ V
CE
= 3.0 V
1.5
1.0
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.5
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图9. “开”电压
http://onsemi.com
4
MJH6284 （ NPN ） ， MJH6284 （ PNP ）
包装尺寸
SOT- 93 （ TO- 218 ）
CASE 340D -02
问题E
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
民
最大
20.35
14.70
15.20
4.70
4.90
1.10
1.30
1.17
1.37
5.40
5.55
2.00
3.00
0.50
0.78
31.00 REF
16.20
4.00
4.10
17.80
18.20
4.00 REF
1.75 REF
BASE
集热器
辐射源
集热器
英寸
民
最大
0.801
0.579
0.598
0.185
0.193
0.043
0.051
0.046
0.054
0.213
0.219
0.079
0.118
0.020
0.031
1.220 REF
0.638
0.158
0.161
0.701
0.717
0.157 REF
0.069
U
S
K
L
1
2
4
A
3
D
V
G
J
H
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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