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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJH16006A / D
设计师
NPN硅功率晶体管
1千伏开关模式系列
这些晶体管是专为高电压,高转速,功率开关的
电感电路,其中下降时间是至关重要的。它们特别适用于
行操作的开关模式应用。
典型应用:
产品特点:
开关稳压器
逆变器
螺线管
继电器驱动器
电机控制
偏转电路
集电极 - 发射极电压 - VCEV = 1000 VDC
快速关断时间
80 ns的电感下降时间 - 100
_
C(典型值)
120 ns的感应交叉时间 - 100
_
C(典型值)
800 ns的电感储存时间 - 100
_
C(典型值)
100
_
性能指定为:
反向偏置SOA带感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流
扩展FBSOA评级使用超高速整流器
极高RBSOA能力
数据表
MJH16006A
功率晶体管
8安培
500伏
150瓦
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
价值
500
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
1000
6
连续集电极电流 -
- 峰值( 1 )
基极电流 - 连续
- 峰值( 1 )
8
16
6
12
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述TC = 25
_
C
工作和存储结
温度范围
125
50
1
W/
_
C
TJ , TSTG
- 55 150
CASE 340D -02
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
TL
最大
1
单位
热阻,结到外壳
_
C / W
_
C
无铅焊接温度的目的:
1/8 ?从案例5秒
275
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
v
10%.
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
设计师和开关模式是Motorola,Inc.的商标。
转4
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJH16006A
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性( 1 )
阻性负载(表2)
感性负载(如表1 )
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1千赫)
直流电流增益
( IC = 8 ADC , VCE = 5 VDC )
基射极饱和电压
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC , TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 3的ADC, IB = 0.6 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC , TC = 100
_
C)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 6伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 1000伏, RBE = 50
,
TC = 100
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCEV = 1000伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCEV = 1000伏, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压(表1)
( IC = 100 mA时, IB = 0 )
2
(
( IC = 5 ADC ,
广告,
VCC = 250 VDC ,
IB1 = 0 66 ADC ,
0.66 ADC
PW = 30
s,
值班C L
D
周期
2%)
( IC = 5 ADC
Ad
ADC ,
IB1 = 0.66 ADC ,
,
VBE (关闭) = 5 VDC ,
VCE ( PK) = 400 VDC )
特征
v
v
2%.
(VBE (关闭) = 5伏直流)
(
( IB2 = 1 3的广告,
1.3 ADC ,
RB1 = RB2 = 4
)
( TJ = 1 0
_
C)
150
( TJ = 100
_
C)
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
TSV
td
ts
ts
tc
TFI
tc
TFI
tr
tf
tf
500
5
参见图14A或14B
0.005
0.020
0.003
0.020
1400
1000
0.35
0.50
0.60
典型值
100
475
175
400
150
120
800
25
90
80
8
1
1
参见图15
3000
2000
0.15
0.15
1.0
最大
400
700
100
300
200
350
1.5
1.5
0.7
1
1.5
1.0
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
MJH16006A
典型静态特性
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100
50
的hFE , DC电流增益
30
20
10
5
3
2
1
25°C
TJ = 100℃
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
5
IC / IB = 10
TJ = 25°C
– 55°C
0.2
0.3
0.5
1
5
2
3
IC ,集电极电流( AMPS )
10
20
0.1
0.2
1
2
3
0.3
0.5
IC ,集电极电流( AMPS )
5
10
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和区
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1
VBE ,基极发射极电压(伏)
2
1.5
1
0.5
8A
3A
5A
IC / IB = 10
TJ = 25°C
IC / IB = 10
TJ = 100℃
0.3
0.2
1A
0.1
0.1
0.5
0.3
0.2
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
IB ,基极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
图3.集电极 - 发射极饱和区
图4.基射极饱和区
10 k
兴业银行
C,电容(pF )
TJ = 25°C
1k
COB
100
10
0.1
1
10
100
VR ,反向电压(伏)
850
图5.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJH16006A
典型电感式开关特性
IC / IB1 = 5 , TC = 75 ° C, VCE ( PK ) = 400 V
3000
2000
吨SV ,存储时间(纳秒)
VBE (关闭) = 0 V
吨SV ,存储时间(纳秒)
3000
2000
VBE (关闭) = 0 V
1000
700
500
400
300
1
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
5V
2V
IC / IB1 = 10 , TC = 75 ° C, VCE ( PK ) = 400 V
2V
1000
700
500
400
300
5V
图6.储存时间
图7.储存时间
400
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
300
0V
200
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
40
1
2
3
5
7
10
I
* βF = C
IB1
IC ,集电极电流( AMPS )
5V
2V
5V
2V
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
400
300
200
VBE (关闭) = 0 V
100
70
2V
5V
50
40
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
图8.集电极电流下降时间
图9.集电极电流下降时间
500
500
T C ,交叉时间(纳秒)
2V
200
5V
T C ,交叉时间(纳秒)
300
300
200
2V
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
5V
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
图10.交叉时间
4
图11.交叉时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJH16006A
表1.感应负载开关
驱动电路
+15
1
F
150
100
100
F
MTP8P10
MTP8P10
RB1
A
MPF930
50
MUR105
MTP12N10
500
F
150
VOFF
*泰克AM503
*P6302
或同等学历
范围 - 泰克
7403或同等
Lcoil ( ICpk )
T1
VCC
T1的调整,以获得集成电路( pk)的
MJE210
1
F
RB2
VCEO ( SUS)
L = 10毫亨
RB2 =
VCC = 20伏
电感式开关
L = 750
H
RB2 = 0
VCC = 20伏
选择所需IB1 RB1
RBSOA
L = 750
H
RB2 = 0
VCC = 20伏
选择所需IB1 RB1
IC ( PK)
IC
VCE ( PK)
VCE
IB1
IB
IB2
* IC
T.U.T.
MR918
* IB
VCLAMP
–V
VCC
MPF930
+10
L
[
A
T1
0V
+V
注:调整Voff时,在A点以获得所需的VBE (关闭)
VCE ( PK)
90%的集成电路( pk)的
TFI
tc
TTI
90%的VCE( pk)的
IC
TSV
TRV
我B2,反向基极电流(安培)
IC ( PK)
8
6
IB1 = 1
4
0.5 A
2
IC = 5 A
TJ = 25°C
VCE
IB
10%的VCE( pk)的
90 % IB1
10%
IC ( PK) 2 % IC
0
T,时间
0
4
6
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
2
8
图12.感应开关测量
图13.峰值反向基极电流
表2.阻性负载开关
+15
H.P. 214
OR
当量。
P.G.
RB = 8.5
50
TD和TR
* IB
T.U.T.
RL
VCC
* IC
TS和TF
1
F
150
100
100
F
MTP8P10
MTP8P10
RB1
A
V(关)调整
给指定的
关闭驱动器
MPF930
+10 V
MPF930
50
MUR105
RB2
MTP12N10
VCC
VIN
0V
tr
15纳秒
11 V
RL
IC
IB
250 V
50
5A
0.66 A
VOFF
500
F
150
MJE210
1
F
A
* IB
T.U.T.
* IC
VCC
RL
*泰克AM503
*P6302
或同等学历
RL
50
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJH16006A / D
设计师
NPN硅功率晶体管
1千伏开关模式系列
这些晶体管是专为高电压,高转速,功率开关的
电感电路,其中下降时间是至关重要的。它们特别适用于
行操作的开关模式应用。
典型应用:
产品特点:
开关稳压器
逆变器
螺线管
继电器驱动器
电机控制
偏转电路
集电极 - 发射极电压 - VCEV = 1000 VDC
快速关断时间
80 ns的电感下降时间 - 100
_
C(典型值)
120 ns的感应交叉时间 - 100
_
C(典型值)
800 ns的电感储存时间 - 100
_
C(典型值)
100
_
性能指定为:
反向偏置SOA带感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流
扩展FBSOA评级使用超高速整流器
极高RBSOA能力
数据表
MJH16006A
功率晶体管
8安培
500伏
150瓦
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
价值
500
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
1000
6
连续集电极电流 -
- 峰值( 1 )
基极电流 - 连续
- 峰值( 1 )
8
16
6
12
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述TC = 25
_
C
工作和存储结
温度范围
125
50
1
W/
_
C
TJ , TSTG
- 55 150
CASE 340D -01
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
TL
最大
1
单位
热阻,结到外壳
_
C / W
_
C
无铅焊接温度的目的:
1/8 ?从案例5秒
275
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
v
10%.
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
设计师和开关模式是Motorola,Inc.的商标。
REV 3
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJH16006A
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性( 1 )
阻性负载(表2)
感性负载(如表1 )
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1千赫)
直流电流增益
( IC = 8 ADC , VCE = 5 VDC )
基射极饱和电压
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC , TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 3的ADC, IB = 0.6 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC , TC = 100
_
C)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 6伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 1000伏, RBE = 50
,
TC = 100
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCEV = 1000伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCEV = 1000伏, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压(表1)
( IC = 100 mA时, IB = 0 )
2
( IC = 5 ADC ,
VCC = 250 VDC ,
IB1 = 0.66 ADC ,
PW = 30
s,
占空比
2%)
( IC = 5 ADC ,
IB1 = 0.66 ADC ,
VBE (关闭) = 5 VDC ,
VCE ( PK) = 400 VDC )
特征
v
v
2%.
(VBE (关闭) = 5伏直流)
( IB2 = 1.3 ADC ,
RB1 = RB2 = 4
)
( TJ = 150
_
C)
( TJ = 100
_
C)
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
TSV
td
ts
ts
tc
TFI
tc
TFI
tr
tf
tf
500
5
参见图14A或14B
0.005
0.020
0.003
0.020
1400
1000
0.35
0.50
0.60
典型值
100
475
175
400
150
120
800
25
90
80
8
1
1
参见图15
3000
2000
0.15
0.15
1.0
最大
400
700
100
300
200
350
1.5
1.5
0.7
1
1.5
1.0
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
MJH16006A
典型静态特性
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100
50
的hFE , DC电流增益
30
20
10
5
3
2
1
25°C
TJ = 100℃
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
5
IC / IB = 10
TJ = 25°C
– 55°C
0.2
0.3
0.5
2
3
1
5
IC ,集电极电流( AMPS )
10
20
0.1
0.2
1
2
3
0.3
0.5
IC ,集电极电流( AMPS )
5
10
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和区
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1
VBE ,基极发射极电压(伏)
2
1.5
1
0.5
8A
3A
5A
IC / IB = 10
TJ = 25°C
IC / IB = 10
TJ = 100℃
0.3
0.2
1A
0.1
0.1
0.5
0.3
0.2
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
IB ,基极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
图3.集电极 - 发射极饱和区
图4.基射极饱和区
10 k
兴业银行
C,电容(pF )
TJ = 25°C
1k
COB
100
10
0.1
1
10
100
VR ,反向电压(伏)
850
图5.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJH16006A
典型电感式开关特性
IC / IB1 = 5 , TC = 75 ° C, VCE ( PK ) = 400 V
3000
2000
吨SV ,存储时间(纳秒)
VBE (关闭) = 0 V
吨SV ,存储时间(纳秒)
3000
2000
VBE (关闭) = 0 V
1000
700
500
400
300
1
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
5V
2V
IC / IB1 = 10 , TC = 75 ° C, VCE ( PK ) = 400 V
2V
1000
700
500
400
300
5V
图6.储存时间
图7.储存时间
400
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
300
0V
200
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
40
1
2
3
5
7
10
I
* βF = C
IB1
IC ,集电极电流( AMPS )
5V
2V
5V
2V
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
400
300
200
VBE (关闭) = 0 V
100
70
2V
5V
50
40
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
图8.集电极电流下降时间
图9.集电极电流下降时间
500
500
T C ,交叉时间(纳秒)
2V
200
5V
T C ,交叉时间(纳秒)
300
300
200
2V
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
5V
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
图10.交叉时间
4
图11.交叉时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJH16006A
表1.感应负载开关
驱动电路
+15
1
F
150
100
100
F
MTP8P10
MTP8P10
RB1
A
MPF930
50
MUR105
MTP12N10
500
F
150
VOFF
*泰克AM503
*P6302
或同等学历
范围 - 泰克
7403或同等
Lcoil ( ICpk )
T1
VCC
T1的调整,以获得集成电路( pk)的
MJE210
1
F
RB2
VCEO ( SUS)
L = 10毫亨
RB2 =
VCC = 20伏
电感式开关
L = 750
H
RB2 = 0
VCC = 20伏
选择所需IB1 RB1
RBSOA
L = 750
H
RB2 = 0
VCC = 20伏
选择所需IB1 RB1
IC ( PK)
IC
VCE ( PK)
VCE
IB1
IB
IB2
* IC
T.U.T.
MR918
* IB
VCLAMP
–V
VCC
MPF930
+10
L
[
A
T1
0V
+V
注:调整Voff时,在A点以获得所需的VBE (关闭)
VCE ( PK)
90%的集成电路( pk)的
TFI
tc
TTI
90%的VCE( pk)的
IC
TSV
TRV
我B2,反向基极电流(安培)
IC ( PK)
8
6
IB1 = 1
4
0.5 A
2
IC = 5 A
TJ = 25°C
VCE
IB
10%的VCE( pk)的
90 % IB1
10%
IC ( PK) 2 % IC
0
T,时间
0
4
6
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
2
8
图12.感应开关测量
图13.峰值反向基极电流
表2.阻性负载开关
+15
H.P. 214
OR
当量。
P.G.
RB = 8.5
50
TD和TR
* IB
T.U.T.
RL
VCC
* IC
TS和TF
1
F
150
100
100
F
MTP8P10
MTP8P10
RB1
A
V(关)调整
给指定的
关闭驱动器
MPF930
+10 V
MPF930
50
MUR105
RB2
MTP12N10
VCC
VIN
0V
tr
15纳秒
11 V
RL
IC
IB
250 V
50
5A
0.66 A
VOFF
500
F
150
MJE210
1
F
A
* IB
T.U.T.
* IC
VCC
RL
*泰克AM503
*P6302
或同等学历
RL
50
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJH16006A / D
设计师
NPN硅功率晶体管
1千伏开关模式系列
这些晶体管是专为高电压,高转速,功率开关的
电感电路,其中下降时间是至关重要的。它们特别适用于
行操作的开关模式应用。
典型应用:
产品特点:
开关稳压器
逆变器
螺线管
继电器驱动器
电机控制
偏转电路
集电极 - 发射极电压 - VCEV = 1000 VDC
快速关断时间
80 ns的电感下降时间 - 100
_
C(典型值)
120 ns的感应交叉时间 - 100
_
C(典型值)
800 ns的电感储存时间 - 100
_
C(典型值)
100
_
性能指定为:
反向偏置SOA带感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流
扩展FBSOA评级使用超高速整流器
极高RBSOA能力
数据表
MJH16006A
功率晶体管
8安培
500伏
150瓦
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
价值
500
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
1000
6
连续集电极电流 -
- 峰值( 1 )
基极电流 - 连续
- 峰值( 1 )
8
16
6
12
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述TC = 25
_
C
工作和存储结
温度范围
125
50
1
W/
_
C
TJ , TSTG
- 55 150
CASE 340D -02
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
TL
最大
1
单位
热阻,结到外壳
_
C / W
_
C
无铅焊接温度的目的:
1/8 ?从案例5秒
275
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
v
10%.
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
设计师和开关模式是Motorola,Inc.的商标。
转4
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJH16006A
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性( 1 )
阻性负载(表2)
感性负载(如表1 )
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1千赫)
直流电流增益
( IC = 8 ADC , VCE = 5 VDC )
基射极饱和电压
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC , TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 3的ADC, IB = 0.6 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC , TC = 100
_
C)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 6伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 1000伏, RBE = 50
,
TC = 100
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCEV = 1000伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCEV = 1000伏, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压(表1)
( IC = 100 mA时, IB = 0 )
2
(
( IC = 5 ADC ,
广告,
VCC = 250 VDC ,
IB1 = 0 66 ADC ,
0.66 ADC
PW = 30
s,
值班C L
D
周期
2%)
( IC = 5 ADC
Ad
ADC ,
IB1 = 0.66 ADC ,
,
VBE (关闭) = 5 VDC ,
VCE ( PK) = 400 VDC )
特征
v
v
2%.
(VBE (关闭) = 5伏直流)
(
( IB2 = 1 3的广告,
1.3 ADC ,
RB1 = RB2 = 4
)
( TJ = 1 0
_
C)
150
( TJ = 100
_
C)
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
TSV
td
ts
ts
tc
TFI
tc
TFI
tr
tf
tf
500
5
参见图14A或14B
0.005
0.020
0.003
0.020
1400
1000
0.35
0.50
0.60
典型值
100
475
175
400
150
120
800
25
90
80
8
1
1
参见图15
3000
2000
0.15
0.15
1.0
最大
400
700
100
300
200
350
1.5
1.5
0.7
1
1.5
1.0
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
MJH16006A
典型静态特性
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100
50
的hFE , DC电流增益
30
20
10
5
3
2
1
25°C
TJ = 100℃
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
5
IC / IB = 10
TJ = 25°C
– 55°C
0.2
0.3
0.5
1
5
2
3
IC ,集电极电流( AMPS )
10
20
0.1
0.2
1
2
3
0.3
0.5
IC ,集电极电流( AMPS )
5
10
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和区
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1
VBE ,基极发射极电压(伏)
2
1.5
1
0.5
8A
3A
5A
IC / IB = 10
TJ = 25°C
IC / IB = 10
TJ = 100℃
0.3
0.2
1A
0.1
0.1
0.5
0.3
0.2
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
IB ,基极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
图3.集电极 - 发射极饱和区
图4.基射极饱和区
10 k
兴业银行
C,电容(pF )
TJ = 25°C
1k
COB
100
10
0.1
1
10
100
VR ,反向电压(伏)
850
图5.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJH16006A
典型电感式开关特性
IC / IB1 = 5 , TC = 75 ° C, VCE ( PK ) = 400 V
3000
2000
吨SV ,存储时间(纳秒)
VBE (关闭) = 0 V
吨SV ,存储时间(纳秒)
3000
2000
VBE (关闭) = 0 V
1000
700
500
400
300
1
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
5V
2V
IC / IB1 = 10 , TC = 75 ° C, VCE ( PK ) = 400 V
2V
1000
700
500
400
300
5V
图6.储存时间
图7.储存时间
400
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
300
0V
200
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
40
1
2
3
5
7
10
I
* βF = C
IB1
IC ,集电极电流( AMPS )
5V
2V
5V
2V
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
400
300
200
VBE (关闭) = 0 V
100
70
2V
5V
50
40
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
图8.集电极电流下降时间
图9.集电极电流下降时间
500
500
T C ,交叉时间(纳秒)
2V
200
5V
T C ,交叉时间(纳秒)
300
300
200
2V
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
5V
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
图10.交叉时间
4
图11.交叉时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJH16006A
表1.感应负载开关
驱动电路
+15
1
F
150
100
100
F
MTP8P10
MTP8P10
RB1
A
MPF930
50
MUR105
MTP12N10
500
F
150
VOFF
*泰克AM503
*P6302
或同等学历
范围 - 泰克
7403或同等
Lcoil ( ICpk )
T1
VCC
T1的调整,以获得集成电路( pk)的
MJE210
1
F
RB2
VCEO ( SUS)
L = 10毫亨
RB2 =
VCC = 20伏
电感式开关
L = 750
H
RB2 = 0
VCC = 20伏
选择所需IB1 RB1
RBSOA
L = 750
H
RB2 = 0
VCC = 20伏
选择所需IB1 RB1
IC ( PK)
IC
VCE ( PK)
VCE
IB1
IB
IB2
* IC
T.U.T.
MR918
* IB
VCLAMP
–V
VCC
MPF930
+10
L
[
A
T1
0V
+V
注:调整Voff时,在A点以获得所需的VBE (关闭)
VCE ( PK)
90%的集成电路( pk)的
TFI
tc
TTI
90%的VCE( pk)的
IC
TSV
TRV
我B2,反向基极电流(安培)
IC ( PK)
8
6
IB1 = 1
4
0.5 A
2
IC = 5 A
TJ = 25°C
VCE
IB
10%的VCE( pk)的
90 % IB1
10%
IC ( PK) 2 % IC
0
T,时间
0
4
6
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
2
8
图12.感应开关测量
图13.峰值反向基极电流
表2.阻性负载开关
+15
H.P. 214
OR
当量。
P.G.
RB = 8.5
50
TD和TR
* IB
T.U.T.
RL
VCC
* IC
TS和TF
1
F
150
100
100
F
MTP8P10
MTP8P10
RB1
A
V(关)调整
给指定的
关闭驱动器
MPF930
+10 V
MPF930
50
MUR105
RB2
MTP12N10
VCC
VIN
0V
tr
15纳秒
11 V
RL
IC
IB
250 V
50
5A
0.66 A
VOFF
500
F
150
MJE210
1
F
A
* IB
T.U.T.
* IC
VCC
RL
*泰克AM503
*P6302
或同等学历
RL
50
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJH16006A / D
设计师
NPN硅功率晶体管
1千伏开关模式系列
这些晶体管是专为高电压,高转速,功率开关的
电感电路,其中下降时间是至关重要的。它们特别适用于
行操作的开关模式应用。
典型应用:
产品特点:
开关稳压器
逆变器
螺线管
继电器驱动器
电机控制
偏转电路
集电极 - 发射极电压 - VCEV = 1000 VDC
快速关断时间
80 ns的电感下降时间 - 100
_
C(典型值)
120 ns的感应交叉时间 - 100
_
C(典型值)
800 ns的电感储存时间 - 100
_
C(典型值)
100
_
性能指定为:
反向偏置SOA带感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流
扩展FBSOA评级使用超高速整流器
极高RBSOA能力
数据表
MJH16006A
功率晶体管
8安培
500伏
150瓦
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
价值
500
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
1000
6
连续集电极电流 -
- 峰值( 1 )
基极电流 - 连续
- 峰值( 1 )
8
16
6
12
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述TC = 25
_
C
工作和存储结
温度范围
125
50
1
W/
_
C
TJ , TSTG
- 55 150
CASE 340D -01
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
TL
最大
1
单位
热阻,结到外壳
_
C / W
_
C
无铅焊接温度的目的:
1/8 ?从案例5秒
275
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
v
10%.
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
设计师和开关模式是Motorola,Inc.的商标。
REV 3
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJH16006A
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性( 1 )
阻性负载(表2)
感性负载(如表1 )
下降时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
交叉时间
下降时间
贮存时间
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1千赫)
直流电流增益
( IC = 8 ADC , VCE = 5 VDC )
基射极饱和电压
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC , TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 3的ADC, IB = 0.6 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC )
( IC = 5 ADC , IB = 1 ADC , TC = 100
_
C)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 6伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 1000伏, RBE = 50
,
TC = 100
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCEV = 1000伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCEV = 1000伏, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压(表1)
( IC = 100 mA时, IB = 0 )
2
( IC = 5 ADC ,
VCC = 250 VDC ,
IB1 = 0.66 ADC ,
PW = 30
s,
占空比
2%)
( IC = 5 ADC ,
IB1 = 0.66 ADC ,
VBE (关闭) = 5 VDC ,
VCE ( PK) = 400 VDC )
特征
v
v
2%.
(VBE (关闭) = 5伏直流)
( IB2 = 1.3 ADC ,
RB1 = RB2 = 4
)
( TJ = 150
_
C)
( TJ = 100
_
C)
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
TSV
td
ts
ts
tc
TFI
tc
TFI
tr
tf
tf
500
5
参见图14A或14B
0.005
0.020
0.003
0.020
1400
1000
0.35
0.50
0.60
典型值
100
475
175
400
150
120
800
25
90
80
8
1
1
参见图15
3000
2000
0.15
0.15
1.0
最大
400
700
100
300
200
350
1.5
1.5
0.7
1
1.5
1.0
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ns
MJH16006A
典型静态特性
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100
50
的hFE , DC电流增益
30
20
10
5
3
2
1
25°C
TJ = 100℃
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
5
IC / IB = 10
TJ = 25°C
– 55°C
0.2
0.3
0.5
2
3
1
5
IC ,集电极电流( AMPS )
10
20
0.1
0.2
1
2
3
0.3
0.5
IC ,集电极电流( AMPS )
5
10
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和区
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1
VBE ,基极发射极电压(伏)
2
1.5
1
0.5
8A
3A
5A
IC / IB = 10
TJ = 25°C
IC / IB = 10
TJ = 100℃
0.3
0.2
1A
0.1
0.1
0.5
0.3
0.2
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
IB ,基极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
图3.集电极 - 发射极饱和区
图4.基射极饱和区
10 k
兴业银行
C,电容(pF )
TJ = 25°C
1k
COB
100
10
0.1
1
10
100
VR ,反向电压(伏)
850
图5.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJH16006A
典型电感式开关特性
IC / IB1 = 5 , TC = 75 ° C, VCE ( PK ) = 400 V
3000
2000
吨SV ,存储时间(纳秒)
VBE (关闭) = 0 V
吨SV ,存储时间(纳秒)
3000
2000
VBE (关闭) = 0 V
1000
700
500
400
300
1
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
5V
2V
IC / IB1 = 10 , TC = 75 ° C, VCE ( PK ) = 400 V
2V
1000
700
500
400
300
5V
图6.储存时间
图7.储存时间
400
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
300
0V
200
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
40
1
2
3
5
7
10
I
* βF = C
IB1
IC ,集电极电流( AMPS )
5V
2V
5V
2V
TFI ,集电极电流下降时间( NS )
400
300
200
VBE (关闭) = 0 V
100
70
2V
5V
50
40
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
图8.集电极电流下降时间
图9.集电极电流下降时间
500
500
T C ,交叉时间(纳秒)
2V
200
5V
T C ,交叉时间(纳秒)
300
300
200
2V
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
5V
VBE (关闭) = 0 V
100
70
50
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMPS )
图10.交叉时间
4
图11.交叉时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJH16006A
表1.感应负载开关
驱动电路
+15
1
F
150
100
100
F
MTP8P10
MTP8P10
RB1
A
MPF930
50
MUR105
MTP12N10
500
F
150
VOFF
*泰克AM503
*P6302
或同等学历
范围 - 泰克
7403或同等
Lcoil ( ICpk )
T1
VCC
T1的调整,以获得集成电路( pk)的
MJE210
1
F
RB2
VCEO ( SUS)
L = 10毫亨
RB2 =
VCC = 20伏
电感式开关
L = 750
H
RB2 = 0
VCC = 20伏
选择所需IB1 RB1
RBSOA
L = 750
H
RB2 = 0
VCC = 20伏
选择所需IB1 RB1
IC ( PK)
IC
VCE ( PK)
VCE
IB1
IB
IB2
* IC
T.U.T.
MR918
* IB
VCLAMP
–V
VCC
MPF930
+10
L
[
A
T1
0V
+V
注:调整Voff时,在A点以获得所需的VBE (关闭)
VCE ( PK)
90%的集成电路( pk)的
TFI
tc
TTI
90%的VCE( pk)的
IC
TSV
TRV
我B2,反向基极电流(安培)
IC ( PK)
8
6
IB1 = 1
4
0.5 A
2
IC = 5 A
TJ = 25°C
VCE
IB
10%的VCE( pk)的
90 % IB1
10%
IC ( PK) 2 % IC
0
T,时间
0
4
6
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
2
8
图12.感应开关测量
图13.峰值反向基极电流
表2.阻性负载开关
+15
H.P. 214
OR
当量。
P.G.
RB = 8.5
50
TD和TR
* IB
T.U.T.
RL
VCC
* IC
TS和TF
1
F
150
100
100
F
MTP8P10
MTP8P10
RB1
A
V(关)调整
给指定的
关闭驱动器
MPF930
+10 V
MPF930
50
MUR105
RB2
MTP12N10
VCC
VIN
0V
tr
15纳秒
11 V
RL
IC
IB
250 V
50
5A
0.66 A
VOFF
500
F
150
MJE210
1
F
A
* IB
T.U.T.
* IC
VCC
RL
*泰克AM503
*P6302
或同等学历
RL
50
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
·
集电极 - 发射极电压 - 可持续
: V
CEO ( SUS )
= 450V (最小值)
开关速度
应用
·设计
高电压,高转速,功率开关的
电感电路,其中下降时间是至关重要的。他们是partic-
ularly适合于操作线开关模式的应用程序。
典型应用:
切换
稳压器
·逆变器
·电磁阀
和继电器驱动器
Motor
控制
·偏转
电路
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CEV
V
CEO ( SUS )
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
MJH16006
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
850
450
6
8
16
6
12
125
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE
(SAT) -
1
V
CE
(SAT) -
2
V
BE
(SAT)
I
CEV
I
CER
I
EBO
h
FE
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
输出电容
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
B
MJH16006
450
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
3.0
1.5
1.5
0.25
1.5
2.5
1.0
5
350
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= 5A ;我
B
= 0.66A
I
C
= 5A ;我
B
= 0.66A ,T
C
=100℃
B
B
I
C
= 5A ;我
B
= 0.66A
I
C
= 5A ;我
B
= 0.66A ,T
C
=100℃
B
B
V
CEV
=850V;V
BE
(关闭)
=1.5V
V
CEV
=850V;V
BE
(关闭)
=1.5V;T
C
=100℃
V
CE
= 850V ;
BE
= 50Ω,T
C
= 100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 8A ; V
CE
= 5V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
=1.0kHz
pF
开关时间;阻性负载
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5A ,V
CC
= 250V ;
B2
= 4Ω;
I
B1
= 0.66A ;我
B2
= -1.3A ; PW =为30μs ;
值班Cycle≤2.0 %
20
85
1000
70
50
250
2500
250
ns
ns
ns
ns
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联系人:刘生
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