MJH11017 ， MJH11019 ，
MJH11021 （ PNP ）
MJH11018 ， MJH11020 ，
MJH11022 （ NPN ）
首选设备
达林顿互补
硅功率晶体管
这些器件是专为使用一般通用放大器，
低频开关和电机控制应用。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益@ 10位ADC - ^ h
FE
= 400分钟（所有类型）
集电极 - 发射极耐受电压
V
CEO （ SUS ）
= 150伏直流（最小值） - MJH11018 ， 17
= 200伏直流（最小值） - MJH11020 ， 19
= 250 VDC （最小） - MJH11022 ， 21
低集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 1.2 V（典型值） @我
C
= 5.0 A
= 1.8 V （典型值） @我
C
= 10 A
整体结构
无铅包可用*
15安培达林顿
其他芯片
功率晶体管
150-250伏， 150瓦
记号
图
SOT93
(TO218)
CASE 340D
风格1
AYWWG
MJH110xx
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
最大
150
200
250
150
200
250
5.0
15
30
单位
VDC
集电极 - 发射极电压
MJH11018 ， MJH11017
MJH11020 ， MJH11019
MJH11022 ， MJH11021
集电极 - 基极电压
MJH11018 ， MJH11017
MJH11020 ， MJH11019
MJH11022 ， MJH11021
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
CB
VDC
V
EB
I
C
I
B
VDC
ADC
ADC
- 连续
- 山顶（注1 ）
0.5
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
P
D
150
1.2
W
W / ℃，
_C
工作和存储结温
范围
T
J
, T
英镑
-65
+150
A
Y
WW
G
MJH110xx
=
=
=
=
=
大会地点
YEAR
工作周
无铅封装
器件代码
xx = 17, 19, 21, 18, 20, 22
订购信息
设备
MJH11017
MJH11017G
MJH11018
MJH11018G
MJH11019
MJH11019G
MJH11020
MJH11020G
MJH11021
MJH11021G
MJH11022
MJH11022G
包
SOT93
SOT93
（无铅）
SOT93
SOT93
（无铅）
SOT93
SOT93
（无铅）
SOT93
SOT93
（无铅）
SOT93
SOT93
（无铅）
SOT93
SOT93
（无铅）
航运
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
30单位/铁
热特性
特征
符号
R
QJC
最大
单位
热阻，结到外壳
0.83
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5.0毫秒，占空比
v
10%.
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年7月 - 修订版6
出版订单号：
MJH11017/D
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2.0%.
开关特性
动态特性
基本特征
（注2 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
小信号电流增益（I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益带宽积（我
C
= 10位ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压（I
C
= 15 ADC ，我
B
= 150 mA）的
基射极电压上（我
C
= 10 A，V
CE
= 5.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10位ADC ，我
B
= 100 mA时）
(I
C
= 15 ADC ，我
B
= 150 mA）的
直流电流增益
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 15 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
CB
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
J
= 150_C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 75 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 100伏，我
B
= 0)
(V
CE
= 125 VDC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 0.1 ADC ，我
B
= 0)
MJH11017 ， MJH11019 ， MJH11021 （ PNP ） MJH11018 ， MJH11020 ， MJH11022 （ NPN ）
特征
特征
PD ，功耗（瓦）
160
100
120
140
20
40
60
80
0
0
(V
CC
= 100 V，I
C
= 10 A，I
B
= 100毫安
V
BE （OFF）的
= 5.0 V） （见图2 ）
20
MJH11018 ， MJH11020 ， MJH11022
MJH11017 ， MJH11019 ， MJH11021
40
60
80
100
120
T
C
，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
http://onsemi.com
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
2
140
V
CEO （ SUS ）
符号
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CEV
C
ob
h
FE
h
fe
f
T
t
d
t
s
t
r
t
f
160
NPN
民
150
400
100
150
200
250
2.5
4.4
1.2
3.0
75
典型
15,000
PNP
最大
400
600
2.5
2.7
0.5
3.8
2.8
2.5
4.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
1.0
75
MADC
MADC
MADC
单位
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
ns
ms
ms
ms
MJH11017 ， MJH11019 ， MJH11021 （ PNP ） MJH11018 ， MJH11020 ， MJH11022 （ NPN ）
V
CC
100 V
R
C
TUT
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复的类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
V2
约
+12 V
0
V1
约
8.0 V
R
B
51
D
1
+4.0 V
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V2 = 0
对于NPN测试电路，反向二极管和电压极性。
范围
25
ms
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
图2.开关时间测试电路
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 0.83 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
P
（ PK）
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200 300
500
1000
0.02 0.03
0.05
图3.热响应
正向偏压
IC ，集电极电流（ AMPS ）
T
C
= 25°C单脉冲
0.1毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
dc
WIRE BOND LIMIT
热限制
第二击穿极限
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
2.0 3.0 5.0 10
20 30 50
100 150 250
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
5.0毫秒
30
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图4中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图3.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图4.最大额定正向偏置
安全工作区（ FBSOA ）
http://onsemi.com
3
MJH11017 ， MJH11019 ， MJH11021 （ PNP ） MJH11018 ， MJH11020 ， MJH11022 （ NPN ）
30
IC ，集电极电流（ AMPS ）
L = 200
mH
I
C
/I
B1
≥
50
T
C
= 100°C
V
BE （OFF）的
= 05.0 V
R
BE
= 47
W
占空比= 10 ％
反向偏置
20
10
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
0
0 20
60
100
140
180
220
260
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
为电感性负载，高电压和高电流必须
关断期间的同时持续，在大多数情况下，
与基极 - 射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式，例如有源钳位， RC完成
不压井作业，载重线成型等。安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
并表示在电压 - 电流条件
反向偏置关断。这个等级下得到验证
夹紧条件，使该装置从未经受
雪崩模式。图5给出了RBSOA特性。
图5.最大额定反向偏置
安全工作区（ RBSOA ）
PNP
000
000
000
000
000
000
500
200
00
0.2
0.3
55
°C
T
C
= 150°C
25°C
10,000
V
CE
= 5.0 V
的hFE ， DC电流增益
5000
2000
1000
500
NPN
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 150°C
25°C
55
°C
200
0.5 0.7
1.0
3.0
5.0
10
15
100
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
3.0
5.0 7.0
10
15
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图6.直流电流增益
http://onsemi.com
4
MJH11017 ， MJH11019 ， MJH11021 （ PNP ） MJH11018 ， MJH11020 ， MJH11022 （ NPN ）
PNP
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
2.0 3.0 5.0
10
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5.0 A
20 30 50 100 200 300 500
I
B
，基极电流（毫安）
1000
T
J
= 25°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
4.5
4.0
3.5
3.0
I
C
= 15 A
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
I
C
= 5.0 A
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200 300 500 1000
I
B
，基极电流（毫安）
I
C
= 10 A
T
J
= 25°C
NPN
图7.集电极饱和区
PNP
4.0
3.5
电压（伏）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 100
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 100
T
J
= 25°C
电压（伏）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
NPN
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 100
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 100
0.5 0.7 1.0
2.0
5.0
10
20
0.5
0.2
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图8. “开”电压
PNP
MJH11017
MJH11019
MJH11021
集热器
NPN
MJH11018
MJH11020
MJH11022
集热器
BASE
BASE
辐射源
辐射源
图9.达林顿示意图
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJH11017 / D
MJH10012
（见MJ10012 ）
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般通用放大器，低频率切换和
电机控制应用。
高直流电流增益@ 10位ADC - 的hFE = 400分钟（所有类型）
集电极 - 发射极耐受电压
VCEO （ SUS） = 150伏直流（最小值） - MJH11018 ， 17
VCEO （ SUS）
= 200伏直流（最小值） - MJH11020 ， 19
VCEO （ SUS）
= 250 VDC （最小） - MJH11022 ， 21
低集电极 - 发射极饱和电压
VCE （SAT） = 1.2 V（典型值） @ IC = 5.0
VCE （ SAT ）
= 1.8 V （典型值） @ IC = 10 A
整体结构
MJH11017 *
MJH11019 *
MJH11021 *
MJH11018 *
MJH11020 *
MJH11022 *
*摩托罗拉的首选设备
PNP
NPN
PD ，功耗（瓦）
最大额定值
MJH
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
11018
11017
150
150
11020
11019
200
200
5.0
15
30
11022
11021
250
250
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
- 峰值（ 1 ）
基极电流
0.5
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
150
1.2
瓦
W/
_
C
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
15安培
达林顿
其他芯片
功率晶体管
150 ， 200 ， 250伏
150瓦
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻。结到外壳
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 5.0毫秒，占空比
160
v
10%.
0.83
_
C / W
CASE 340D -02
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
TC ，外壳温度（ ° C）
140
160
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJH11017 MJH11019 MJH11021 MJH11018 MJH11020 MJH11022
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
开关特性
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
小信号电流增益（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益带宽积
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压（ IC = 15 ADC ， IB = 150 mA）的
基射极电压上（ IC = 10 A ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10位ADC ， IB = 100 mA时）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 15 ADC ， IB = 150 mA）的
直流电流增益（ IC = 10位ADC ， VCE = 5.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = 15 ADC ， VCE = 5.0 V直流）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCB ， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCE =额定VCB ， VBE （关闭） = 1.5伏， TJ = 150
_
C)
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 75 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 100伏， IB = 0 ）
（ VCE = 125 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 0.1 ADC ， IB = 0 ）
2
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
特征
特征
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
(
（ VCC = 100V ， IC = 10 A， IB =百毫安
V,
A,
A
VBE （关闭） = 5.0 V ）（参见图2）
图2.开关时间测试电路
MJH11018 ， MJH11020 ， MJH11022
MJH11017 ， MJH11019 ， MJH11021
v
2.0%.
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
V2
约
+12 V
0
V1
约
– 8.0 V
对于NPN测试电路，反向二极管和电压极性。
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
25
s
51
COB
的hFE
的hFE
fT
td
ts
tr
tf
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
符号
ICEO
IEBO
ICEV
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
RB
D1
NPN
民
150
400
100
150
200
250
2.5
4.4
1.2
3.0
75
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TUT
典型
RC
VCC
100 V
15,000
—
PNP
最大
400
600
2.5
2.7
0.5
3.8
2.8
2.5
4.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
1.0
75
—
—
—
—
—
范围
MADC
MADC
MADC
单位
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
s
s
s
ns
—
—
—
+ 4.0 V
MJH11017 MJH11019 MJH11021 MJH11018 MJH11020 MJH11022
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.05
0.02
0.01
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 0.83 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
P（ PK）
D = 0.5
0.2
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200 300
500
1000
0.02 0.03
0.05
图3.热响应
IC ，集电极电流（ AMPS ）
TC = 25°C单脉冲
30
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0
0.5毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
dc
WIRE BOND LIMIT
热限制
第二击穿极限
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
20 30 50
100 150 250
2.0 3.0 5.0 10
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
0.1毫秒
正向偏压
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图4中的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. T J （ pk）的可从数据计算
图3.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图4.最大额定正向偏置
安全工作区（ FBSOA ）
30
IC ，集电极电流（ AMPS ）
L = 200
H
IC/IB1
≥
50
TC = 100℃
VBE （关闭） = 0 - 5.0 V
RBE = 47
占空比= 10 ％
反向偏置
为电感性负载，高电压和高电流必须
关断期间的同时持续，在大多数情况下，用
所述基极至发射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式如有源钳位来实现，
RC吸收，负载线整形，等安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
并表示在重新电压 - 电流条件
反向偏置关断。这个等级下的钳位验证
条件，使该装置从未经受ava-
拦车模式。图5给出了RBSOA特性。
20
10
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
0
0 20
60
100
180
220
260
140
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5.最大额定反向偏置
安全工作区（ RBSOA ）
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJH11017 MJH11019 MJH11021 MJH11018 MJH11020 MJH11022
PNP
10,000
7000
5000
的hFE ， DC电流增益
3000
2000
1000
500
– 55°C
TC = 150℃
25°C
10,000
VCE = 5.0 V
的hFE ， DC电流增益
5000
VCE = 5.0 V
TC = 150℃
2000
1000
500
– 55°C
200
100
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
5.0
10
15
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
3.0
5.0 7.0
10
15
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
25°C
NPN
200
100
图6.直流电流增益
PNP
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
IC = 15 A
IC = 10 A
IC = 5.0
100 200 300 500
1000
IB ，基极电流（毫安）
TJ = 25°C
4.5
4.0
3.5
3.0
IC = 15 A
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
IC = 5.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200 300 500 1000
IB ，基极电流（毫安）
IC = 10 A
TJ = 25°C
NPN
图7.集电极饱和区
PNP
4.0
3.5
3.0
电压（伏）
2.5
2.0
1.5
VBE @ VCE = 5.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 100
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
0.5
0.2
0.5 0.7 1.0
1.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 100
电压（伏）
TJ = 25°C
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
TJ = 25°C
NPN
VBE （星期六） @ IC / IB = 100
VBE @ VCE = 5.0 V
VCE （SAT） @ IC / IB = 100
2.0
5.0
10
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图8. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJH11017 MJH11019 MJH11021 MJH11018 MJH11020 MJH11022
PNP
MJH11017
MJH11019
MJH11021
集热器
MJH11018
MJH11020
MJH11022
NPN
集热器
BASE
BASE
辐射源
辐射源
图9.达林顿示意图
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJH11017 / D
MJH10012
（见MJ10012 ）
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般通用放大器，低频率切换和
电机控制应用。
高直流电流增益@ 10位ADC - 的hFE = 400分钟（所有类型）
集电极 - 发射极耐受电压
VCEO （ SUS） = 150伏直流（最小值） - MJH11018 ， 17
VCEO （ SUS）
= 200伏直流（最小值） - MJH11020 ， 19
VCEO （ SUS）
= 250 VDC （最小） - MJH11022 ， 21
低集电极 - 发射极饱和电压
VCE （SAT） = 1.2 V（典型值） @ IC = 5.0
VCE （ SAT ）
= 1.8 V （典型值） @ IC = 10 A
整体结构
最大额定值
MJH11017 *
MJH11019 *
MJH11021 *
MJH11018 *
MJH11020 *
MJH11022 *
*摩托罗拉的首选设备
PNP
NPN
PD ，功耗（瓦）
MJH
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
11018
11017
150
150
11020
11019
200
200
5.0
15
30
11022
11021
250
250
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
- 峰值（ 1 ）
基极电流
0.5
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
150
1.2
瓦
W/
_
C
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
15安培
达林顿
其他芯片
功率晶体管
150 ， 200 ， 250伏
150瓦
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻。结到外壳
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 5.0毫秒，占空比
160
v
10%.
0.83
_
C / W
CASE 340D -01
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
TC ，外壳温度（ ° C）
140
160
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJH11017 MJH11019 MJH11021 MJH11018 MJH11020 MJH11022
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
开关特性
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10位ADC ， IB = 100 mA时）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 15 ADC ， IB = 150 mA）的
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
小信号电流增益（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益带宽积
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压（ IC = 15 ADC ， IB = 150 mA）的
基射极电压上（ IC = 10 A ， VCE = 5.0 V直流）
直流电流增益（ IC = 10位ADC ， VCE = 5.0 V直流）
直流电流增益
（ IC = 15 ADC ， VCE = 5.0 V直流）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCB ， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCE =额定VCB ， VBE （关闭） = 1.5伏， TJ = 150
_
C)
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 75 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 100伏， IB = 0 ）
（ VCE = 125 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 0.1 ADC ， IB = 0 ）
2
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
特征
特征
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
（ VCC = 100V ， IC = 10 A， IB =百毫安
VBE （关闭） = 5.0 V ）（参见图2）
图2.开关时间测试电路
MJH11018 ， MJH11020 ， MJH11022
MJH11017 ， MJH11019 ， MJH11021
v
2.0%.
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
V2
约
+12 V
0
V1
约
– 8.0 V
对于NPN测试电路，反向二极管和电压极性。
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
25
s
51
COB
的hFE
的hFE
fT
td
ts
tr
tf
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
符号
ICEO
IEBO
ICEV
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
RB
D1
NPN
民
150
400
100
150
200
250
2.5
4.4
1.2
3.0
75
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TUT
典型
RC
VCC
100 V
15,000
—
PNP
最大
400
600
2.5
2.7
0.5
3.8
2.8
2.5
4.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
1.0
75
—
—
—
—
—
范围
MADC
MADC
MADC
单位
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
s
s
s
ns
—
—
—
+ 4.0 V
MJH11017 MJH11019 MJH11021 MJH11018 MJH11020 MJH11022
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.05
0.02
0.01
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 0.83 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
P（ PK）
D = 0.5
0.2
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200 300
500
1000
0.02 0.03
0.05
图3.热响应
IC ，集电极电流（ AMPS ）
TC = 25°C单脉冲
30
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0
0.5毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
dc
WIRE BOND LIMIT
热限制
第二击穿极限
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
2.0 3.0 5.0 10
20 30 50
100 150 250
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
0.1毫秒
正向偏压
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图4中的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. T J （ pk）的可从数据计算
图3.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图4.最大额定正向偏置
安全工作区（ FBSOA ）
30
IC ，集电极电流（ AMPS ）
L = 200
H
IC/IB1
≥
50
TC = 100℃
VBE （关闭） = 0 - 5.0 V
RBE = 47
占空比= 10 ％
反向偏置
为电感性负载，高电压和高电流必须
关断期间的同时持续，在大多数情况下，用
所述基极至发射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式如有源钳位来实现，
RC吸收，负载线整形，等安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
并表示在重新电压 - 电流条件
反向偏置关断。这个等级下的钳位验证
条件，使该装置从未经受ava-
拦车模式。图5给出了RBSOA特性。
20
10
MJH11017 ， MJH11018
MJH11019 ， MJH11020
MJH11021 ， MJH11022
0
0 20
220
260
140
60
100
180
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5.最大额定反向偏置
安全工作区（ RBSOA ）
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJH11017 MJH11019 MJH11021 MJH11018 MJH11020 MJH11022
PNP
10,000
7000
5000
的hFE ， DC电流增益
3000
2000
1000
500
– 55°C
TC = 150℃
25°C
10,000
VCE = 5.0 V
的hFE ， DC电流增益
5000
VCE = 5.0 V
TC = 150℃
2000
1000
500
– 55°C
200
100
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
5.0
10
15
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
3.0
5.0 7.0
10
15
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
25°C
NPN
200
100
图6.直流电流增益
PNP
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
IC = 15 A
IC = 10 A
IC = 5.0
100 200 300 500
1000
IB ，基极电流（毫安）
TJ = 25°C
4.5
4.0
3.5
3.0
IC = 15 A
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
IC = 5.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200 300 500 1000
IB ，基极电流（毫安）
IC = 10 A
TJ = 25°C
NPN
图7.集电极饱和区
PNP
4.0
3.5
3.0
电压（伏）
2.5
2.0
1.5
VBE @ VCE = 5.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 100
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
0.5
0.2
0.5 0.7 1.0
1.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 100
电压（伏）
TJ = 25°C
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
TJ = 25°C
NPN
VBE （星期六） @ IC / IB = 100
VBE @ VCE = 5.0 V
VCE （SAT） @ IC / IB = 100
2.0
5.0
10
20
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图8. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJH11017 MJH11019 MJH11021 MJH11018 MJH11020 MJH11022
PNP
MJH11017
MJH11019
MJH11021
集热器
MJH11018
MJH11020
MJH11022
NPN
集热器
BASE
BASE
辐射源
辐射源
图9.达林顿示意图
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
QQ：2881677436 复制
