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MJF44H11 ( NPN )
MJF45H11 ( PNP )
首选设备
补充
功率晶体管
对于隔离封装应用
互补功率晶体管通用电源
放大和开关,例如在输出或驱动器级
应用,如开关稳压器,转换器和电源
放大器器。
特点
http://onsemi.com
硅功率晶体管
10安培
80伏, 36瓦
低集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
= 1.0 V(最大) 8.0 A
快速开关速度
互补对简化设计
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
首席执行官
V
EB
I
C
价值
80
5
10
20
单位
VDC
VDC
ADC
1
2
孤立的TO-220
CASE 221D
方式2
3
连续
PEAK
总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
P
D
36
1.67
W
W / ℃,
W
W / ℃,
°C
P
D
2.0
0.016
工作和存储结
温度范围
T
J
, T
英镑
55
150
标记图
F4xH11G
AYWW
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
最大
3.5
单位
热阻,结到外壳
° C / W
° C / W
热阻,结到环境
62.5
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
F4xH11 =具体设备守则
X = 4或5的
G
= Pb-Free包装
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
订购信息
设备
MJF44H11
MJF44H11G
MJF45H11
MJF45H11G
的TO-220 FULLPACK
的TO-220 FULLPACK
(无铅)
的TO-220 FULLPACK
的TO-220 FULLPACK
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
2006年4月,
第4版
1
出版订单号:
MJF44H11/D
开关时间
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
下降时间
(I
C
= 5 ADC ,我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC)
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ,我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC)
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ,我
B1
= 0.5 ADC)
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 20兆赫)
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ,女
TEST
= 1兆赫)
直流电流增益
(V
CE
= 1伏,我
C
= 4 ADC)
直流电流增益
(V
CE
= 1伏,我
C
= 2 ADC)
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ,我
B
= 0.8 ADC)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ,我
B
= 0.4 ADC)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时,我
B
= 0)
0.02
0.03
R(T ) ,瞬态热
电阻(标准化)
0.07
0.05
0.01
0.01
0.3
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.01
D = 0.5
0.02
0.05
0.02
0.1
0.2
单脉冲
0.05
特征
0.1
0.2
MJF44H11 ( NPN ) , MJF45H11 ( PNP )
图1.热响应
0.5
http://onsemi.com
1.0
2.0
吨,时间( ms)的
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
Z
QJC (T )
= R(T )R
QJC
R
QJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
T
C
= P
( PK)
Z
QJC (T )
5.0
V
CEO ( SUS )
符号
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
10
t
d
+ t
r
I
EBO
I
CES
h
FE
C
cb
f
T
t
s
t
f
20
40
60
80
50
P
( PK)
占空比D = T
1
/t
2
100
典型值
140
100
500
500
300
135
130
230
50
40
t
1
t
2
200
最大
1.5
1.0
1.0
10
500
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
pF
ns
ns
ns
1.0 k
2
MJF44H11 ( NPN ) , MJF45H11 ( PNP )
100
IC ,集电极电流( AMPS )
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
1.0毫秒
100
ms
10
ms
T
C
70° C
占空比
50%
dc
1.0
ms
MJF44H11/MJF45H11
5.0 7.0 10
2.0 3.0
20 30
50 70 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J(下PK)
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次,脉细数
限制是有效的占空比以10%以下
T
J(下PK)
v
150℃。牛逼
J(下PK)
可以从在数据计算
图1.在高温情况下,热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大额定正向偏置
安全工作区
T
A
PD ,功耗(瓦)
T
C
3.0
60
2.0
40
T
A
1.0
20
T
C
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T,温度( ° C)
图3.功率降额
http://onsemi.com
3
MJF44H11 ( NPN ) , MJF45H11 ( PNP )
1000
1000
的hFE , DC电流增益
的hFE , DC电流增益
100
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
100
1V
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
V
CE
= 1 V
10
0.1
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
10
0.1
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
图4. MJF44H11直流电流增益
图5. MJF45H11直流电流增益
1000
1000
T
J
= 125°C
25°C
40
°C
100
V
CE
= 1 V
的hFE , DC电流增益
T
J
= 125°C
25°C
100
40
°C
V
CE
= 1 V
10
的hFE , DC电流增益
1
10
0.1
10
0.1
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
I
C
,集电极电流( AMPS )
图6. MJF44H11电流增益
与温度的关系
图7. MJF45H11电流增益
与温度的关系
1.2
饱和电压(伏)
饱和电压(伏)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
1
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
图8. MJF44H11导通电压
图9. MJF45H11导通电压
http://onsemi.com
4
MJF44H11 ( NPN ) , MJF45H11 ( PNP )
包装尺寸
的TO-220 FULLPAK
CASE 221D -03
ISSUE摹
T
F
Q
A
1 2 3
座位
飞机
B
C
S
U
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸: INCH
3. 221D -01 THRU 221D -02过时了,新
标准221D -03 。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
U
英寸
最大
0.625
0.635
0.408
0.418
0.180
0.190
0.026
0.031
0.116
0.119
0.100 BSC
0.125
0.135
0.018
0.025
0.530
0.540
0.048
0.053
0.200 BSC
0.124
0.128
0.099
0.103
0.101
0.113
0.238
0.258
MILLIMETERS
最大
15.88
16.12
10.37
10.63
4.57
4.83
0.65
0.78
2.95
3.02
2.54 BSC
3.18
3.43
0.45
0.63
13.47
13.73
1.23
1.36
5.08 BSC
3.15
3.25
2.51
2.62
2.57
2.87
6.06
6.56
H
K
Y
G
N
L
D
3 PL
M
J
R
0.25 (0.010)
B
M
Y
方式2 :
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
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