MJF44H11 （ NPN ） ， MJF45H11 （ PNP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
动态特性
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
开关时间
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
t
d
+ t
r
ns
300
135
500
500
140
100
ns
ns
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
C
cb
pF
130
230
50
40
兆赫
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
60
40
1.0
1.5
VDC
VDC
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
80
1.0
10
VDC
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
f
T
t
s
t
f
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
图1.热响应
http://onsemi.com
2
MJF44H11 （ NPN ） ， MJF45H11 （ PNP ）
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
1.0毫秒
100
ms
10
ms
T
C
≤
70° C
占空比
≤
50%
dc
1.0
ms
MJF44H11/MJF45H11
5.0 7.0 10
2.0 3.0
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比以10％以下
T
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大额定正向偏置
安全工作区
T
A
PD ，功耗（瓦）
T
C
3.0
60
2.0
40
T
A
1.0
20
T
C
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
http://onsemi.com
3
MJF44H11 （ NPN ） ， MJF45H11 （ PNP ）
1000
1000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
100
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
100
1V
T
J
= 25°C
V
CE
= 1 V
T
J
= 25°C
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图4. MJF44H11直流电流增益
图5. MJF45H11直流电流增益
1000
1000
T
J
= 125°C
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
25°C
100
- 40°C
25°C
- 40°C
100
V
CE
= 1 V
V
CE
= 1 V
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图6. MJF44H11电流增益
与温度的关系
图7. MJF45H11电流增益
与温度的关系
1.2
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图8. MJF44H11导通电压
图9. MJF45H11导通电压
http://onsemi.com
4
MJF44H11 （ NPN ） ， MJF45H11 （ PNP ）
包装尺寸
的TO-220 FULLPAK
CASE 221D -03
ISSUE
T
F
Q
A
1 2 3
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸： INCH
3. 221D -01 THRU 221D -02过时了，新
标准221D -03 。
英寸
民
最大
0.617
0.635
0.392
0.419
0.177
0.193
0.024
0.039
0.116
0.129
0.100 BSC
0.118
0.135
0.018
0.025
0.503
0.541
0.048
0.058
0.200 BSC
0.122
0.138
0.099
0.117
0.092
0.113
0.239
0.271
MILLIMETERS
民
最大
15.67
16.12
9.96
10.63
4.50
4.90
0.60
1.00
2.95
3.28
2.54 BSC
3.00
3.43
0.45
0.63
12.78
13.73
1.23
1.47
5.08 BSC
3.10
3.50
2.51
2.96
2.34
2.87
6.06
6.88
B
C
S
U
H
K
Y
G
N
L
D
3 PL
M
J
R
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
U
0.25 (0.010)
B
M
Y
方式2 ：
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
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为了文学：
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销售代表
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5
MJF44H11/D
开关时间
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
0.02
0.03
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
0.07
0.05
0.01
0.01
0.3
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.01
D = 0.5
0.02
0.05
0.02
0.1
0.2
单脉冲
0.05
特征
0.1
0.2
MJF44H11 （ NPN ） ， MJF45H11 （ PNP ）
图1.热响应
0.5
http://onsemi.com
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
MJF44H11
MJF45H11
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
5.0
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
10
t
d
+ t
r
I
EBO
I
CES
h
FE
C
cb
f
T
t
s
t
f
20
民
40
60
80
50
P
（ PK）
占空比D = T
1
/t
2
100
典型值
140
100
500
500
300
135
130
230
50
40
t
1
t
2
200
最大
1.5
1.0
1.0
10
500
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
pF
ns
ns
ns
1.0 k
2
MJF44H11 （ NPN ） ， MJF45H11 （ PNP ）
100
IC ，集电极电流（ AMPS ）
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
1.0毫秒
100
ms
10
ms
T
C
≤
70° C
占空比
≤
50%
dc
1.0
ms
MJF44H11/MJF45H11
5.0 7.0 10
2.0 3.0
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比以10％以下
T
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大额定正向偏置
安全工作区
T
A
PD ，功耗（瓦）
T
C
3.0
60
2.0
40
T
A
1.0
20
T
C
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
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3
MJF44H11 （ NPN ） ， MJF45H11 （ PNP ）
1000
1000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
100
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
100
1V
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
V
CE
= 1 V
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图4. MJF44H11直流电流增益
图5. MJF45H11直流电流增益
1000
1000
T
J
= 125°C
25°C
40
°C
100
V
CE
= 1 V
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
25°C
100
40
°C
V
CE
= 1 V
10
的hFE ， DC电流增益
1
10
0.1
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图6. MJF44H11电流增益
与温度的关系
图7. MJF45H11电流增益
与温度的关系
1.2
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图8. MJF44H11导通电压
图9. MJF45H11导通电压
http://onsemi.com
4
MJF44H11 （ NPN ） ， MJF45H11 （ PNP ）
包装尺寸
的TO-220 FULLPAK
CASE 221D -03
ISSUE摹
T
F
Q
A
1 2 3
座位
飞机
B
C
S
U
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸： INCH
3. 221D -01 THRU 221D -02过时了，新
标准221D -03 。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
U
英寸
民
最大
0.625
0.635
0.408
0.418
0.180
0.190
0.026
0.031
0.116
0.119
0.100 BSC
0.125
0.135
0.018
0.025
0.530
0.540
0.048
0.053
0.200 BSC
0.124
0.128
0.099
0.103
0.101
0.113
0.238
0.258
MILLIMETERS
民
最大
15.88
16.12
10.37
10.63
4.57
4.83
0.65
0.78
2.95
3.02
2.54 BSC
3.18
3.43
0.45
0.63
13.47
13.73
1.23
1.36
5.08 BSC
3.15
3.25
2.51
2.62
2.57
2.87
6.06
6.56
H
K
Y
G
N
L
D
3 PL
M
J
R
0.25 (0.010)
B
M
Y
方式2 ：
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
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文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
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