【MJF122 ， MJF127互补发电DARLINGTONS对于隔离封装应用专为通用放大器和开关应用】,IC型号MJF122G,MJF122G PDF资料,MJF122G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MJF122 ， MJF127

互补发电

DARLINGTONS

对于隔离封装应用

专为通用放大器和开关

应用程序，其中该装置的安装表面是必需的，以

从散热器或底盘电隔离。

特点

http://onsemi.com

电类似于流行的TIP122 TIP127和

100 V

CEO （ SUS ）

5.0 A额定集电极电流

无隔离垫圈要求

降低系统成本

高直流电流增益

2000（最小值） @我

C

= 3 ADC

UL认证，文件＃ E69369 ， 3500 V

RMS

隔离

无铅包可用*

等级

符号

V

首席执行官

V

CB

V

EB

价值

100

5

单位

VDC

其他芯片

功率达林顿

5.0 A， 100 V， 30瓦

记号

图

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

RMS的隔离电压（注1 ）测试1号

按照图14 （ 1秒，相对湿度< 30 ％，

测试2号每图T第15

A

= 25_C)

试验编号3每图16

集电极电流

连续

PEAK

基极电流

V

ISOL

4500

3500

1500

5

8

V

RMS

I

C

I

B

ADC

0.12

总功率耗散（注2 ）

@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

P

D

30

0.24

W

W / ℃，

W

W / ℃，

I

C

总功率耗散@ T

A

= 25_C

减免上述25℃

P

D

2

0.016

工作和存储结温

TURE系列

T

J

, T

英镑

65

to

+ 150

最大额定值

TO220

CASE 221D -02

方式2

MJF12xG

AYWW

x

G

A

Y

WW

= 2或7的

= Pb-Free包装

=大会地点

=年

=工作周

订购信息

设备

MJF122

MJF122G

MJF127

MJF127G

包

TO220

（无铅）

TO220

（无铅）

航运

50单位/铁

热特性

特征

符号

R

qJA

R

QJC

T

L

最大

4.1

单位

热阻，结到环境

62.5

° C / W

_C

热阻，结到外壳

（注2 ）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

无铅焊接温度的目的

260

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

必须提供1.正确的罢工和爬电距离。

2.测量热电偶绝缘接触的底部制成

安装面（在模具下方的位置）时，设备安装在一

散热片与导热硅脂和安装扭矩

≥

6英寸磅。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

*有关我们的无铅策略的更多信息

和焊接的详细信息，请下载

安森美半导体焊接与安装

技术参考手册， SOLDERRM / D 。

出版订单号：

MJF122/D

2006年4月，

启5

1

MJF122 ， MJF127

V

2

约。

+8 V

0

V

1

约。

12 V

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1 ％

51

R

B

≈

8k

≈

120

D

1

T， TIME （

μ

s)

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

符号

民

100

最大

单位

VDC

集电极 - 发射极耐受电压（注3 ）

(I

C

= 100 MADC ，我

B

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

V

CEO （ SUS ）

I

首席执行官

I

CBO

I

EBO

h

FE

10

2

MADC

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

发射极截止电流（V

BE

= 5 VDC ，我

C

= 0)

MADC

基本特征

（注3）

直流电流增益（I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 3伏）

直流电流增益

(I

C

= 3的ADC ，V

CE

= 3伏）

1000

2000

4

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 3的ADC，我

B

= 12 MADC ）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 5 ADC ，我

B

= 20 MADC ）

基射极电压上（我

C

= 3的ADC ，V

CE

= 3伏）

V

CE （ SAT ）

V

BE（上）

h

fe

2

3.5

VDC

2.5

动态特性

小信号电流增益（I

C

= 3的ADC ，V

CE

= 4伏， F = 1兆赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

MJF127

MJF122

C

ob

300

200

pF

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

5

R

B

＆放大器;

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

，必须快速恢复类型，例如，

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

V

CC

30 V

R

C

TUT

范围

3

2

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.1

t

s

t

f

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

0.2

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

25

ms

+4 V

对于T

d

和T

r

, D

1

断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有的极性。

PNP

NPN

0.5 0.7 1

2

3

0.3

I

C

，集电极电流（ AMP ）

5

7

10

图1.开关时间测试电路

图2.典型的开关时间

http://onsemi.com

2

MJF122 ， MJF127

T

A

T

C

4 80

PD ，功耗（瓦）

3 60

T

C

2 40

1 20

T

A

0

20

40

60

80

100

120

140

160

T，温度（ ° C）

图3.最大功率降额

1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.03

0.02

0.01

0.1

0.2 0.3

0.5

1

2

3

5

10

20 30

50

吨，时间（ ms）的

100

200 300

500

1K

2K 3K

5K

10K

单脉冲

R

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

R（T ），瞬态热

电阻（标准化）

图4.热响应

10

IC ，集电极电流（ AMPS ）

100

ms

5

3

2

1

0.5

0.3

0.2

0.1

电流限制

二次击穿

极限

热极限@

T

C

= 25°C （单脉冲）

1

5

20 30

2

3

10

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

100

T

J

= 150°C

d

c

5毫秒

1毫秒

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。二次击穿

脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

< 150_C 。牛逼

J（下PK）

可以从该数据在图4中计算。

在高温情况下，热限制将减少

可处理到值小于所述电源

通过限制二次击穿的罚款。

图5.最大正向偏置

安全工作区

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3

MJF122 ， MJF127

10,000

HFE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

50

30

20

10

1

2

T

C

= 25°C

V

CE

= 4伏

I

C

= 3 ADC

300

T

J

= 25°C

200

C，电容（pF ）

C

ob

100

70

50

PNP

NPN

5

10

20

50 100

男，频率（KHz ）

200

500 1000

30

0.1

0.2

PNP

NPN

0.5

1

2

5

10

20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

C

ib

图6.典型的小信号电流增益

图7.典型电容

NPN

MJF122

20,000

V

CE

= 4 V

10,000

的hFE ， DC电流增益

5000

3000

2000

25°C

1000

500

300

200

55

°C

T

J

= 150°C

10,000

的hFE ， DC电流增益

7000

5000

3000

2000

1000

700

500

20,000

PNP

MJF127

V

CE

= 4 V

T

J

= 150°C

25°C

55

°C

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

7

10

300

200

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

7

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图8.典型的直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2 A

2.2

4A

6A

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3

T

J

= 25°C

2.6

I

C

= 2 A

2.2

4A

6A

1.8

1.4

1

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

7

10

20

30

I

B

，基极电流（毫安）

1

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

7

10

20

30

I

B

，基极电流（毫安）

图9.典型集电极饱和区

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4

MJF122 ， MJF127

NPN

MJF122

3

T

J

= 25°C

2.5

V，电压（V ）

2.5

3

T

J

= 25°C

PNP

MJF127

2

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V

BE

@ V

CE

= 4 V

1

0.5

0.1

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

2

1.5

V

BE

@ V

CE

= 4 V

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

1

0.5

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

7

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

0.2 0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

7

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图10.典型的“开”电压

+5

+4

+3

+2

+1

0

1

2

3

4

5

0.1

25 ℃150 ℃的

- 55 ° C至25°C时

q

VB

对于V

BE

0.2 0.3

0.5

0.7

1

2

3

5

7

10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

*q

VC

对于V

CE （ SAT ）

*I

C

/I

B

≤

h

FE 3

25 ℃150 ℃的

- 55 ° C至25°C时

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

θ

V，温度系数（毫伏

°

C)

+5

+4

+3

+2

+1

0

1

2

3

4

5

0.1

q

VB

对于V

BE

- 55 ° C至25°C时

25 ℃150 ℃的

5

7

10

*q

VC

对于V

CE （ SAT ）

- 55 ° C至25°C时

*I

C

/I

B

≤

h

FE 3

25 ℃150 ℃的

0.2 0.3

0.5

1

2 3

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图11.典型温度系数

10

5

反向

IC ，集电极电流（

μ

A)

10

4

V

CE

= 30 V

10

3

10

2

T

J

= 150°C

10

1

10

0

100°C

前锋

IC ，集电极电流（

μ

A)

10

5

反向

10

4

V

CE

= 30 V

10

3

10

2

10

1

10

0

10

1

25°C

+0.6 +0.4 +0.2

0

0.2 0.4

0.6 0.8

1

1.2 1.4

V

BE

，基极发射极电压（伏）

T

J

= 150°C

100°C

前锋

25°C

10

1

0.6 0.4 0.2

0

+0.2

+0.4 +0.6 +0.8

+1

+1.2 +1.4

V

BE

，基极发射极电压（伏）

图12.典型集电极截止区

http://onsemi.com

5