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A
A
A
A
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
描述
·集电极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
=-80 V
ΔDC
目前Gain
: h
FE
= 750 （最小值） @我
C
=-2A
.Complement
到类型MJE802T
MJE702T
应用
·设计
为通用放大器和低速
切换应用程序
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
-80
-80
-5
-4
-0.1
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
i
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
MJE702T
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
= 0
-80
V
V
CE
(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -1.5A ;我
B
=-30mA
-2.5
V
V
CE
(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
=-40mA
-3.0
V
V
BE
(on)-1
基射极电压上
I
C
=-1.5A
;
V
CE
=-3V
-2.5
V
V
BE
(on)-2
I
首席执行官
基射极电压上
I
C
=-4A
;
V
CE
= -3V
-3.0
V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=-80V
;
I
B
= 0
B
-0.1
-0.1
-0.5
-2.0
mA
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
=-80V
;
I
E
= 0
V
CB
=-80V
;
I
E
= 0;T
C
= 100℃
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1.5A ; V
CE
=-3V
750
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
=-3V
100
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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