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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2123页 > MJE702
MJE700 ， MJE702 ， MJE703
（ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ，
MJE803 （ NPN ）
塑料达林顿
其他芯片
功率晶体管
这些器件是专为通用放大器和
低速开关的应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 - ^ h
FE
= 2000 （典型值） @我
C
= 2.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极电阻器来
限制泄漏 - 乘法
套餐的选择 - MJE700和MJE800系列
无铅包可用*
4.0安培
达林顿功率
晶体管
其他芯片
40瓦
50 WATT
最大额定值
集电极 - 发射极电压
MJE700 ， MJE800
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
集电极 - 基极电压
MJE700 ， MJE800
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
首席执行官
VDC
60
80
60
80
V
CB
VDC
V
EB
I
C
I
B
5.0
4.0
0.1
VDC
ADC
ADC
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
40
0.32
W
毫瓦/°C的
_C
T
J
, T
英镑
-55到+150
等级
符号
价值
单位
TO225
CASE 77
风格1
3
2 1
标记图
YWW
JEx0yG
热特性
特征
符号
q
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
6.25
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
Y
=年
WW
=工作周
JEx0y =器件代码
X = 7或8的
y = 0的，2或3
G
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 修订版8
出版订单号：
MJE700/D
MJE700 ， MJE702 ， MJE703 （ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ， MJE803 （ NPN ）
PD ，功耗（瓦）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）
MJE700 ， MJE800
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 0)
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 80伏直流，我
B
= 0)
MJE700 ， MJE800
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
60
80
VDC
MADC
100
100
100
500
2.0
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0)
(V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0, T
C
= 100_C)
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
I
CBO
MADC
I
EBO
MADC
基本特征
直流电流增益（注1 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
h
FE
MJE700 ， MJE702 ， MJE800 ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
750
750
100
集电极 - 发射极饱和电压（注1 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，我
B
= 30 MADC ）
MJE700 ， MJE702 ， MJE800 ， MJE802
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
MJE703 ， MJE803
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
所有器件
基射极电压上（注1 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
MJE700 ， MJE702 ， MJE800 ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
V
CE （ SAT ）
VDC
2.5
2.8
3.0
2.5
2.5
3.0
V
BE（上）
VDC
动态特性
小信号电流增益
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
h
fe
1.0
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
50
40
TO220AB
30
TO126
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
http://onsemi.com
2
MJE700 ， MJE702 ， MJE703 （ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ， MJE803 （ NPN ）
4.0
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
TUT
V
2
约
+8.0 V
0
V
1
约
12 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
V
CC
30 V
R
C
t
s
2.0
范围
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （
μ
s)
t
f
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
t
r
D
1
≈
6.0 k
≈
150
+ 4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
ID断开
和V
2
= 0, R
B
和R
C
是多种多样的
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.2
0.04 0.06
图2.开关时间测试电路
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
D = 0.5
0.2
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 3.12 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
0.1
0.07
0.05
0.03
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图4.热响应（ MJE700 ， 800系列）
有源区的安全工作区
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
ms
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
ms
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE702 ， 703
MJE700
7.0
10
20
30
50
70
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE802 ， 803
MJE800
7.0
10
20
30
50
70
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图5. MJE700系列
图6. MJE800系列
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
http://onsemi.com
3
MJE700 ， MJE702 ， MJE703 （ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ， MJE803 （ NPN ）
PNP
MJE700系列
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
55
°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
T
J
= 125°C
25°C
V
CE
= 3.0 V
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
25°C
55
°C
6.0 k
T
J
= 125°C
V
CE
= 3.0 V
NPN
MJE800系列
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图7.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
T
J
= 25°C
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
I
C
=
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
I
C
=
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
T
J
= 25°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
I
B
，基极电流（毫安）
I
B
，基极电流（毫安）
图8.集电极饱和区
2.2
T
J
= 25°C
1.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V，电压（V ）
2.2
T
J
= 25°C
1.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
http://onsemi.com
4
MJE700 ， MJE702 ， MJE703 （ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ， MJE803 （ NPN ）
订购信息
设备
MJE700
MJE700G
MJE702
MJE702G
MJE703
MJE703G
MJE800
MJE800G
MJE802
MJE802G
MJE803
MJE803G
包
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
50单位/散装
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
航运
http://onsemi.com
5
高直流电流增益 -
的hFE = 2000 （典型值） @ IC = 2.0 ADC
整体结构与内置基射极电阻器，以限制泄漏
乘法
套餐的选择 -
MJE700和MJE800系列
T0220AB ， MJE700T和MJE800T
。 。 。设计用于通用放大器和低速开关应用。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
晶体管
互补硅功率
塑料达林顿
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 3
PD ，功耗（瓦）
热阻，结到外壳
CASE 77
TO–220
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
10
20
40
50
30
0
25
50
TO–126
图1.功率降额
TC ，外壳温度（ ° C）
TO–220AB
75
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
符号
R
θJC
100
MJE700,T
MJE800,T
CASE 77
40
0.32
60
60
- 55至+ 150
125
0.1
4.0
5.0
3.13
2.50
最大
MJE702
MJE703
MJE802
MJE803
TO–220
50
0.40
80
80
150
瓦
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
4.0安培
达林顿
功率晶体管
补充
硅
40瓦
50 WATT
MJE800,T
MJE700,T
MJE803
MJE802
MJE703
MJE702
CASE 77-08
TO- 225AA型
MJE700 - 703
MJE800 - 803
CASE 221A -06
TO–220AB
MJE700T
MJE800T
订购此文件
通过MJE700 / D
NPN
PNP
1
T， TIME （
s)
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
60
80
—
—
—
—
—
最大
—
—
单位
VDC
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 0 ）
MJE700 ，T ， MJE800 ，T
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
V（ BR ） CEO
ICEO
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
MJE700 ，T ， MJE800 ，T
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
集电极截止电流（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ， TC = 100
_
C)
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
μAdc
100
100
100
500
2.0
ICBO
IEBO
的hFE
μAdc
MADC
—
基本特征
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
750
750
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 30 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
（ IC = 4.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
基射极电压上（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
动态特性
VCE （ SAT ）
VDC
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
2.5
2.8
3.0
2.5
2.5
3.0
—
VBE （ON）的
VDC
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
小信号电流增益（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
的hFE
1.0
—
4.0
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
V2
约
+ 8.0 V
0
V1
约
–12 V
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
RB
VCC
– 30 V
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
RC
TUT
2.0
范围
tf
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
tr
D1
≈
6.0 k
≈
150
+ 4.0 V
25
s
对于TD和TR ， D1 ID断开
和V2 = 0 ，R B和R C是变化
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
TD @ VBE （关闭） = 0
0.2
0.04 0.06
图2.开关时间测试电路
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02
0.05
0.01
单脉冲
0.1
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
图3.开关时间
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 2.50 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
t1
图4.热响应（ MJE700T ， 800T系列）
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
θ
JC = 3.12 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t2
占空比D = T1 / T2
t1
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图5.热响应（ MJE700 ， 800系列）
有源区的安全工作区
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
s
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
s
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE702 ， 703
MJE700
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE802 ， 803
MJE800
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图6. MJE700系列
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图7. MJE800系列
图6和图7的数据是基于TJ （峰） = 150
_
C;
TC是可变根据条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10 ％，提供的TJ （ PK）
＆ LT ; 150
_
C. TJ （ pk）的可从数据在图4中计算出的
或5.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
10
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
100
s
1.0毫秒
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
5.0
100
s
1.0毫秒
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
0.2
0.1
5.0
0.2
0.1
5.0
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图8. MJE700T
图9. MJE800T
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
PNP
MJE700 ，T系列
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
TJ = 125°C
25°C
VCE = 3.0 V
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
6.0 k
TJ = 125°C
NPN
MJE800 ，T系列
VCE = 3.0 V
25°C
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1
0.4 0.6
1.0
0.2
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.4 0.6
1.0
0.2
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图10.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TJ = 25°C
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IC =
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
IC =
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
TJ = 25°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IB ，基极电流（毫安）
IB ，基极电流（毫安）
图11.集电极饱和区
2.2
TJ = 25°C
1.8
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
V，电压（V ）
2.2
TJ = 25°C
1.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图12. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
高直流电流增益 -
的hFE = 2000 （典型值） @ IC = 2.0 ADC
整体结构与内置基射极电阻器，以限制泄漏
乘法
套餐的选择 -
MJE700和MJE800系列
T0220AB ， MJE700T和MJE800T
。 。 。设计用于通用放大器和低速开关应用。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
晶体管
互补硅功率
塑料达林顿
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 3
PD ，功耗（瓦）
热阻，结到外壳
CASE 77
TO–220
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
10
20
40
50
30
0
25
50
TO–126
图1.功率降额
TC ，外壳温度（ ° C）
TO–220AB
75
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
符号
R
θJC
100
MJE700,T
MJE800,T
CASE 77
40
0.32
60
60
- 55至+ 150
125
0.1
4.0
5.0
3.13
2.50
最大
MJE702
MJE703
MJE802
MJE803
TO–220
50
0.40
80
80
150
瓦
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
4.0安培
达林顿
功率晶体管
补充
硅
40瓦
50 WATT
MJE800,T
MJE700,T
MJE803
MJE802
MJE703
MJE702
CASE 77-08
TO- 225AA型
MJE700 - 703
MJE800 - 803
CASE 221A -06
TO–220AB
MJE700T
MJE800T
订购此文件
通过MJE700 / D
NPN
PNP
1
T， TIME （
s)
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
60
80
—
—
—
—
—
最大
—
—
单位
VDC
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 0 ）
MJE700 ，T ， MJE800 ，T
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
V（ BR ） CEO
ICEO
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
MJE700 ，T ， MJE800 ，T
（ VCE = 80伏直流电， IB = 0 ）
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
集电极截止电流（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB =额定BVCEO ， IE = 0 ， TC = 100
_
C)
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
μAdc
100
100
100
500
2.0
ICBO
IEBO
的hFE
μAdc
MADC
—
基本特征
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
750
750
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 30 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
（ IC = 4.0 ADC ， IB = 40 MADC ）
基射极电压上（ 1 ）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
动态特性
VCE （ SAT ）
VDC
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
2.5
2.8
3.0
2.5
2.5
3.0
—
VBE （ON）的
VDC
MJE700 ，T ， MJE702 ， MJE800 ，T ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
小信号电流增益（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
的hFE
1.0
—
4.0
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1 ，必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
V2
约
+ 8.0 V
0
V1
约
–12 V
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
RB
VCC
– 30 V
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
RC
TUT
2.0
范围
tf
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
tr
D1
≈
6.0 k
≈
150
+ 4.0 V
25
s
对于TD和TR ， D1 ID断开
和V2 = 0 ，R B和R C是变化
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
TD @ VBE （关闭） = 0
0.2
0.04 0.06
图2.开关时间测试电路
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02
0.05
0.01
单脉冲
0.1
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
图3.开关时间
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 2.50 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P（ PK）
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
t1
图4.热响应（ MJE700T ， 800T系列）
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
θ
JC = 3.12 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t2
占空比D = T1 / T2
t1
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图5.热响应（ MJE700 ， 800系列）
有源区的安全工作区
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
s
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
s
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE702 ， 703
MJE700
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE802 ， 803
MJE800
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图6. MJE700系列
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图7. MJE800系列
图6和图7的数据是基于TJ （峰） = 150
_
C;
TC是可变根据条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10 ％，提供的TJ （ PK）
＆ LT ; 150
_
C. TJ （ pk）的可从数据在图4中计算出的
或5.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
10
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
100
s
1.0毫秒
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
5.0
100
s
1.0毫秒
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
0.2
0.1
5.0
0.2
0.1
5.0
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
7.0
10
20
30
50
70
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图8. MJE700T
图9. MJE800T
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
PNP
MJE700 ，T系列
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
TJ = 125°C
25°C
VCE = 3.0 V
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
6.0 k
TJ = 125°C
NPN
MJE800 ，T系列
VCE = 3.0 V
25°C
– 55°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1
0.4 0.6
1.0
0.2
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.4 0.6
1.0
0.2
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图10.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TJ = 25°C
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IC =
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
IC =
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
TJ = 25°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IB ，基极电流（毫安）
IB ，基极电流（毫安）
图11.集电极饱和区
2.2
TJ = 25°C
1.8
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
V，电压（V ）
2.2
TJ = 25°C
1.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.4
VBE @ VCE = 3.0 V
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
1.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图12. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE700 ，T MJE702 MJE703 MJE800 ，T MJE802 MJE803
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
MJE700/701/702/703
MJE700/701/702/703
整体结构采用内置基线
发射极电阻
高直流电流增益：H
FE
= 750 （分钟） @我
C
= -1.5和-2.0A DC
补到MJE800 / 801 /八百〇三分之八百〇二
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
PNP外延硅达林顿晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
对称
BOL
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
： MJE700 / 701
： MJE702 / 703
价值
- 60
- 80
- 60
- 80
-5
-4
- 0.1
40
150
- 55 ~ 150
单位
s
V
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
R1
R2
E
等效电路
C
B
集电极 - 发射极电压： MJE700 / 701
： MJE702 / 703
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
R
1
10
k
R
2
0.6
k
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
参数
集电极 - 发射极击穿电压
： MJE700 / 701
： MJE702 / 703
集电极截止电流
： MJE700 / 701
： MJE702 / 703
集电极截止电流
测试条件
I
C
= - 10毫安，我
B
= 0
分钟。
-60
-80
-100
-100
-100
-500
-2
750
750
100
-2.5
-2.8
-3
-1.2
-2.5
-3
V
V
V
V
V
V
马克斯。
单位
V
V
A
A
A
A
mA
I
首席执行官
V
CE
= - 60V ，我
B
= 0
V
CE
= - 80V ，我
B
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0
T
C
= 100°C
V
BE
= - 5V ，我
C
= 0
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 1.5A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 4A
I
C
= - 1.5A ，我
B
= - 30毫安
I
C
= - 2A ，我
B
= - 40毫安
I
C
= - 4A ，我
B
= - 40毫安
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 1.5A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 3V ，我
C
= - 4A
I
CBO
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
： MJE700 / 702
： MJE701 / 703
：所有器件
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
： MJE700 / 702
： MJE701 / 703
：所有器件
基射极电压上
： MJE700 / 702
： MJE701 / 703
：所有器件
V
BE
（上）
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年2月
MJE700/701/702/703
典型特征
-5
10k
I
B
= -1000
s
V
CE
= -3V
0 0
s
I
B
= -4
00
s
I
B
= -3
I
C
（A ） ，集电极电流
-4
I
B
= -900
s
I
B
= -800
s
I
B
= -700
s
I
B
= -600
s
h
FE
，直流电流增益
-5
-3
I
B
= -500
s
0
s
I
B
= -20
1k
-2
I
B
= -100
s
100
-1
-0
-0
-1
-2
-3
-4
10
-0.01
-0.1
-1
-10
V
CE
（V ） ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
-100
1000
I
C
= 500 I
B
f=0.1MHZ
I
E
=0
C
ob
[ pF的] ，电容
-10
100
V
BE
（SAT）
-1
10
V
CE
（SAT）
-0.1
-0.01
-0.1
-1
-10
1
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
I
C
[A] ，集电极电流
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
图3.集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
图4.集电极输出电容
-100
60
50
I
C
[A] ，集电极电流
P
C
[W] ，功率耗散
-10
40
0
10
s
1m
s
5m
s
D
.C
.
30
-1
20
MJE700/701
MJE702/703
-0.1
-1
-10
-100
-1000
10
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图5.安全工作区
图6.功率降额
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年2月
MJE700/701/702/703
包装Demensions
TO-126
±0.10
3.90
8.00
±0.30
3.25
±0.20
14.20MAX
3.20
±0.10
11.00
±0.20
(1.00)
0.75
±0.10
1.60
±0.10
0.75
±0.10
±0.30
(0.50)
1.75
±0.20
#1
2.28TYP
[2.28±0.20]
2.28TYP
[2.28±0.20]
13.06
16.10
±0.20
0.50
–0.05
+0.10
单位：毫米
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
LILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
VCX
UHC
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
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M5-384/256-15VI
MAX6324AUT29-T
MSK5232-2.5D
M27C512-90XC6F
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