MJE700 ， MJE702 ， MJE703
（ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ，
MJE803 （ NPN ）
塑料达林顿
其他芯片
功率晶体管
这些器件是专为通用放大器和
低速开关的应用程序。
特点
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高直流电流增益 - ^ h
FE
= 2000 （典型值） @我
C
= 2.0 ADC
单片式结构，具有内置基射极电阻器来
限制泄漏 - 乘法
套餐的选择 - MJE700和MJE800系列
无铅包可用*
4.0安培
达林顿功率
晶体管
其他芯片
40瓦
50 WATT
最大额定值
集电极 - 发射极电压
MJE700 ， MJE800
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
集电极 - 基极电压
MJE700 ， MJE800
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
首席执行官
VDC
60
80
60
80
V
CB
VDC
V
EB
I
C
I
B
5.0
4.0
0.1
VDC
ADC
ADC
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
40
0.32
W
毫瓦/°C的
_C
T
J
, T
英镑
-55到+150
等级
符号
价值
单位
TO225
CASE 77
风格1
3
2 1
标记图
YWW
JEx0yG
热特性
特征
符号
q
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
6.25
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
Y
=年
WW
=工作周
JEx0y =器件代码
X = 7或8的
y = 0的，2或3
G
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 修订版8
出版订单号：
MJE700/D
MJE700 ， MJE702 ， MJE703 （ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ， MJE803 （ NPN ）
PD ，功耗（瓦）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）
MJE700 ， MJE800
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 0)
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 80伏直流，我
B
= 0)
MJE700 ， MJE800
MJE702 ， MJE703 ， MJE802 ， MJE803
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
60
80
VDC
MADC
100
100
100
500
2.0
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0)
(V
CB
=额定BV
首席执行官
, I
E
= 0, T
C
= 100_C)
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
I
CBO
MADC
I
EBO
MADC
基本特征
直流电流增益（注1 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
h
FE
MJE700 ， MJE702 ， MJE800 ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
750
750
100
集电极 - 发射极饱和电压（注1 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，我
B
= 30 MADC ）
MJE700 ， MJE702 ， MJE800 ， MJE802
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
MJE703 ， MJE803
(I
C
= 4.0 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
所有器件
基射极电压上（注1 ）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
MJE700 ， MJE702 ， MJE800 ， MJE802
MJE703 ， MJE803
所有器件
V
CE （ SAT ）
VDC
2.5
2.8
3.0
2.5
2.5
3.0
V
BE（上）
VDC
动态特性
小信号电流增益
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
h
fe
1.0
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
50
40
TO220AB
30
TO126
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
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2
MJE700 ， MJE702 ， MJE703 （ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ， MJE803 （ NPN ）
4.0
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
TUT
V
2
约
+8.0 V
0
V
1
约
12 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
V
CC
30 V
R
C
t
s
2.0
范围
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （
μ
s)
t
f
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
t
r
D
1
≈
6.0 k
≈
150
+ 4.0 V
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
ID断开
和V
2
= 0, R
B
和R
C
是多种多样的
以获得所需的测试电流。
对于NPN测试电路，反向二极管，
极性和输入脉冲。
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.2
0.04 0.06
图2.开关时间测试电路
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
图3.开关时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
D = 0.5
0.2
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 3.12 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
0.1
0.07
0.05
0.03
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图4.热响应（ MJE700 ， 800系列）
有源区的安全工作区
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
ms
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
ms
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE702 ， 703
MJE700
7.0
10
20
30
50
70
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热
@ T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
MJE802 ， 803
MJE800
7.0
10
20
30
50
70
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图5. MJE700系列
图6. MJE800系列
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图4中计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
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3
MJE700 ， MJE702 ， MJE703 （ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ， MJE803 （ NPN ）
PNP
MJE700系列
6.0 k
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
55
°C
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
T
J
= 125°C
25°C
V
CE
= 3.0 V
4.0 k
的hFE ， DC电流增益
3.0 k
2.0 k
25°C
55
°C
6.0 k
T
J
= 125°C
V
CE
= 3.0 V
NPN
MJE800系列
1.0 k
800
600
400
300
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0
4.0
图7.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
T
J
= 25°C
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
I
C
=
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.1
I
C
=
0.5 A
1.0 A
2.0 A
4.0 A
T
J
= 25°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
I
B
，基极电流（毫安）
I
B
，基极电流（毫安）
图8.集电极饱和区
2.2
T
J
= 25°C
1.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V，电压（V ）
2.2
T
J
= 25°C
1.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
http://onsemi.com
4
MJE700 ， MJE702 ， MJE703 （ PNP ） - MJE800 ， MJE802 ， MJE803 （ NPN ）
订购信息
设备
MJE700
MJE700G
MJE702
MJE702G
MJE703
MJE703G
MJE800
MJE800G
MJE802
MJE802G
MJE803
MJE803G
包
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
50单位/散装
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
航运
http://onsemi.com
5
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