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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
·分别
补充型
MJE4340/4341/4342/4343
ΔDC
电流增益
FE
=8(Min)@I
C
=16A
应用
For
在高功率音频放大器使用，
开关稳压器电路
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
MJE4350/4351/4352/4353
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
MJE4350
V
CBO
集电极 - 基
电压
MJE4351
发射极开路
MJE4352
MJE4353
MJE4350
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
MJE4351
开基
MJE4352
MJE4353
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
-140
-160
-7
-16
-20
-5
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
-140
-160
-100
-120
V
条件
价值
-100
-120
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
MJE4350
MJE4351
I
C
= -100mA ，我
B
=0
MJE4352
MJE4353
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
MJE4350
MJE4351
MJE4352
MJE4353
I
CEX
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= -8A ，我
B
=-0.8A
I
C
= -16A ;我
B
=-2.0A
I
C
= -16A ;我
B
=-2.0A
I
C
= -16A ; V
CE
=-4V
V
CE
= -50V ;我
B
=0
V
CE
= -60V ;我
B
=0
MJE4350/4351/4352/4353
条件
民
-100
-120
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-140
-160
-2.0
-3.5
-3.9
-3.9
V
V
V
V
I
首席执行官
集热器
截止电流
-0.75
V
CE
= -70V ;我
B
=0
V
CE
= -80V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CBO
; V
BE
=-1.5V
T
C
=150℃
V
CB
= RatedV
CB
; I
E
=0
V
EB
= -7V ;我
C
=0
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
I
C
= -16A ; V
CE
=-4V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=0.1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-20V;f=0.5MHz
1.0
15
8
800
-1.0
-5.0
-0.75
-1.0
mA
mA
mA
mA
pF
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
MJE4350/4351/4352/4353
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·补分别键入
MJE4340/4341/4342/4343
·直流电流增益
FE
=8(Min)@I
C
=16A
应用
·对于高功率音频放大器使用
和开关稳压器电路
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
MJE4350/4351/4352/4353
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（T
C
=25
)
符号
参数
MJE4350
V
CBO
集电极 - 基
电压
MJE4351
MJE4352
MJE4353
MJE4350
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
MJE4351
MJE4352
MJE4353
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-100
-120
-140
-160
-100
-120
-140
-160
-7
-16
-20
-5
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
MJE4350
MJE4351
I
C
= -100mA ，我
B
=0
MJE4352
MJE4353
V
CE
（SAT）
-1
V
CE
（SAT）
-2
V
BE
（SAT）
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
MJE4350
MJE4351
MJE4352
MJE4353
I
CEX
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
OB
f
T
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= -8A ，我
B
=-0.8A
I
C
= -16A ;我
B
=-2.0A
I
C
= -16A ;我
B
=-2.0A
I
C
= -16A ; V
CE
=-4V
V
CE
= -50V ;我
B
=0
V
CE
= -60V ;我
B
=0
符号
MJE4350/4351/4352/4353
条件
民
-100
-120
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-140
-160
-2.0
-3.5
-3.9
-3.9
V
V
V
V
I
首席执行官
集热器
截止电流
-0.75
V
CE
= -70V ;我
B
=0
V
CE
= -80V ;我
B
=0
V
CE
= RatedV
CBO
; V
BE
=-1.5V
T
C
=150
V
CB
= RatedV
CB
; I
E
=0
V
EB
= -7V ;我
C
=0
I
C
= -8A ; V
CE
=-2V
I
C
= -16A ; V
CE
=-4V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=0.1MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-20V;f=0.5MHz
1.0
15
8
800
-1.0
-5.0
-0.75
-1.0
mA
mA
mA
mA
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
MJE4350/4351/4352/4353
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
A
A
A
A
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    MJE4350
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