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MJE3439
NPN硅高压
功率晶体管
该器件设计用于线供电设备
要求高F
T
.
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 - ^ h
FE
= 40160 @ I
C
= 20 MADC
电流增益带宽积 - F
T
= 15兆赫(最小值) @我
C
= 10 MADC
低输出电容 - C
ob
= 10 pF的(最大) @频率
= 1.0兆赫
无铅包装是可用*
0.3安培
功率晶体管
NPN硅
350伏, 15瓦
最大额定值
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
350
450
5.0
0.3
VDC
VDC
VDC
ADC
连续集电极电流 -
基极电流
150
MADC
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
15
0.12
W
毫瓦/°C的
_C
T
J
, T
英镑
-65到+150
等级
符号
价值
单位
TO225
CASE 77
风格1
3
2 1
标记图
热特性
特征
符号
q
JC
最大
单位
YWW
E3439G
热阻,结到外壳
8.33
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
Y
WW
E3439
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MJE3439
MJE3439G
TO225
TO225
(无铅)
航运
500单位/箱
500单位/箱
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年2月, - 11牧师
出版订单号:
MJE3439/D
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
小信号电流增益
(I
C
= 5.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 5.0兆赫)
基射极电压ON
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
基射极饱和电压
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 4.0 MADC )
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 4.0 MADC )
直流电流增益
(I
C
= 2.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
(I
C
= 20 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏,我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 350伏,我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 450 V ,V
EB (O FF )
= 1.5伏)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 300伏,我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 5.0 MADC ,我
B
= 0)
特征
http://onsemi.com
MJE3439
2
V
CEO ( SUS )
符号
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
C
ob
h
FE
f
T
h
fe
350
25
15
30
15
最大
200
500
0.8
1.3
0.5
10
20
20
20
MADC
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
MJE3439
16
PD ,功耗(瓦)
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
20
40
80
120
60
100
T
C
,外壳温度( ° C)
140
160
图1.电源温度降额曲线
IC ,集电极电流( AMP )
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.007
0.005
0.003
0.002
1.0
MJE3439
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30 50 70 100 200 300 500 1000
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
0.001
图2.有源区安全工作区
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
限额以下,器件不会进入二次击穿。
具体电路集电极负载线必须落在适用安全区域内,以避免造成灾难性的失败。对
确保低于最大的T操作
J
,电源温度降额必须为稳态和脉冲功率观察
条件。
http://onsemi.com
3
MJE3439
包装尺寸
TO225
CASE 77-09
ISSUE
B
U
Q
F
M
C
A
1 2 3
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. 077-01 THRU -08陈旧,新标准
07709.
英寸
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
MILLIMETERS
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
M
A
M
B
M
B
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
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美国/加拿大
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
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日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
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安森美半导体网站:
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为了文学:
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有关更多信息,请联系您
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4
MJE3439/D
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MJE3439G
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MJE3439G
ON
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联系人:何小姐
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MJE3439G
PTIF
21+
6000
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全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82798529
联系人:钟小姐
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