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A
A
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
MJE2801T
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 60V （最小值）
高
直流电流GAIN-
:
h
FE
= 25-100@I
C
= 3A
.Complement
到类型MJE2901T
应用
·设计
用作互补输出装置
音频放大器每通道35瓦特音乐的力量。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
60
60
4
10
5
75
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
MJE2801T
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 200毫安;我
B
=
0
60
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.4A
B
1.1
V
V
BE
（上）
I
CBO
基射极电压上
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
V
CB
= 60V ;我
E
= 0
V
CB
= 60V ;我
E
= 0;T
C
= 150℃
V
EB
= 4V ;我
C
=0
1.4
0.1
2.0
1.0
V
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
25
100
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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    MJE2801T
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    -
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