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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJE200 / D
互补硅功率
塑料晶体管
。 。 。专为低电压，低功耗，高增益音频放大器应用。
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 25伏直流（最小值） @ IC = 10 MADC
高直流电流增益 - 的hFE = 70 （分钟） @ IC = 500 MADC
高直流电流增益 - 的hFE
= 45 （分） @ IC = 2.0 ADC
高直流电流增益 - 的hFE
= 10 （分钟） @ IC = 5.0 ADC
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 0.3伏（最大） @ IC = 500 MADC
VCE （ SAT ）
= 0.75伏直流（最大） @ IC = 2.0 ADC
高电流增益 - 带宽积 -
FT = 65兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC
环形结构以降低漏 -
ICBO = 100 NADC @额定VCB
最大额定值
MJE200*
PNP
MJE210*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
5安培
功率晶体管
补充
硅
25伏
15瓦
TC
PD ，功耗（瓦）
等级
符号
VCB
VCEO
VEB
IC
IB
PD
PD
价值
40
25
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
8.0
5.0
10
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
15
0.12
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
1.5
0.012
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
CASE 77-08
TO–225AA
_
C
热特性
特征
符号
θ
JC
θ
JA
最大
单位
热阻，结到外壳
8.34
83.4
_
C / W
_
C / W
热阻，结到环境
16
1.6
TA
PD ，功耗（瓦）
12
1.2
8.0
0.8
4.0
0.4
0
20
40
60
80
100
120
140
0
160
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
第七版
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJE200 MJE210
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）
基射极电压上（ 1 ）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 1.0 V直流）
基射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 1.0 ADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 1.0 ADC ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 8.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ， TJ = 125
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
2
+11 V
0
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
T， TIME （ NS ）
– 9.0 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
图2.开关时间测试电路
25
s
51
RB
特征
–4 V
D1
[
2.0%.
VCC
+ 30 V
RC
范围
100
500
300
200
1K
10
50
30
20
1
1
2
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
3
2
MJE200
MJE210
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE200
MJE210
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
图3.开启时间
ICBO
IEBO
COB
的hFE
fT
tr
td
民
65
70
45
10
25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3
0.75
1.8
最大
VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
80
120
—
180
—
100
100
100
1.6
2.5
—
—
3
5
pF
—
NADC
μAdc
NADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
10
MJE200 MJE210
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
100
200
0.02
0.01
0 （单脉冲）
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
θ
JC = 8.34 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
图4.热响应
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
1.0毫秒
500
s
100
s
dc
5.0毫秒
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
30
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. T J （ pk）的可从数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区的安全工作区
10K
5K
3K
2K
1K
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.01
tf
MJE200
MJE210
0.2 0.3 0.5
1
2 3
0.02 0.03 0.05 0.1
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
10
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
200
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
COB
30
20
0.4 0.6
MJE200 （ NPN ）
MJE210 （ PNP ）
1.0
2.0
4.0 6.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
兴业银行
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJE200 MJE210
NPN
MJE200
400
TJ = 150℃
25°C
的hFE ， DC电流增益
400
TJ = 150℃
25°C
100
80
60
40
VCE = 1.0 V
VCE = 2.0 V
3.0
5.0
20
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
5.0
PNP
MJE210
的hFE ， DC电流增益
200
200
– 55°C
100
80
60
40
VCE = 1.0 V
VCE = 2.0 V
0.5 0.7 1.0
2.0
0.2 0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
– 55°C
20
0.05 0.07 0.1
图8.直流电流增益
2.0
TJ = 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0
5.0
1.2
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0
5.0
0.8
0.8
图9. “开”电压
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
θ
VB的VBE
- 55 ° C至25°C时
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0
25 ℃150 ℃的
θ
VC的VCE （SAT）
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
*适用于IC / IB
≤
hFE/3
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0
θ
VB的VBE
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
* θVC FOR VCE （SAT）
- 55 ° C至25°C时
25 ℃150 ℃的
*适用于IC / IB
≤
hFE/3
– 2.5
0.05 0.07 0.1
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10.温度系数
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE200 MJE210
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO–225AA
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
MJE200
MJE200
特征
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流增益带宽积：F
T
= 65MHz的@我
C
= 100毫安（最小值）
补到MJE210
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
参数
价值
40
25
8
5
15
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0 @ T
J
=125°C
V
BE
= 8V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
V
CE
= 1V ，我
C
=2A
V
CE
= 2V ，我
C
=5A
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 2A ，我
C
=200mA
I
C
= 5A ，我
B
=1A
I
C
= 5A ，我
B
=1A
V
CE
= 1V ，我
C
=2A
V
CE
= 10V ，我
C
=100mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f =为0.1MHz
65
80
70
45
10
分钟。
25
马克斯。
100
100
100
180
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
V
V
V
V
V
兆赫
pF
单位
V
nA
A
nA
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
基地 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
2001仙童半导体公司
修订版A2 ， 2001年6月
MJE200
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
1000
10
I
C
= 10 I
B
h
FE
，直流电流增益
V
CE
= 2V
100
1
V
BE
（SAT）
V
CE
=1V
10
0.1
V
CE
（SAT）
1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
1000
100
f=0.1MHZ
I
E
=0
I
C
[A] ，集电极电流
C
ob
[ pF的] ，电容
100
10
10
5m
DC
1
1m
0
s
s
s
50
0
s
10
1
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
V
CB
[V] ，集电极基极电压
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图3.集电极输出电容
图4.安全工作区
25
P
C
[W] ，功率耗散
20
15
10
5
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
T
C
[C] ，外壳温度
图5.功率降额
2001仙童半导体公司
修订版A2 ， 2001年6月
MJE200
包装Demensions
TO-126
±0.10
3.90
8.00
±0.30
3.25
±0.20
14.20MAX
3.20
±0.10
11.00
±0.20
(1.00)
0.75
±0.10
1.60
±0.10
0.75
±0.10
±0.30
(0.50)
1.75
±0.20
#1
2.28TYP
[2.28±0.20]
2.28TYP
[2.28±0.20]
13.06
16.10
±0.20
0.50
–0.05
+0.10
单位：毫米
2001仙童半导体公司
修订版A2 ， 2001年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
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生命支持政策
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设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
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在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
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初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
摩托罗拉
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互补硅功率
塑料晶体管
。 。 。专为低电压，低功耗，高增益音频放大器应用。
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 25伏直流（最小值） @ IC = 10 MADC
高直流电流增益 - 的hFE = 70 （分钟） @ IC = 500 MADC
高直流电流增益 - 的hFE
= 45 （分） @ IC = 2.0 ADC
高直流电流增益 - 的hFE
= 10 （分钟） @ IC = 5.0 ADC
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 0.3伏（最大） @ IC = 500 MADC
VCE （ SAT ）
= 0.75伏直流（最大） @ IC = 2.0 ADC
高电流增益 - 带宽积 -
FT = 65兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC
环形结构以降低漏 -
ICBO = 100 NADC @额定VCB
最大额定值
MJE200*
PNP
MJE210*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
5安培
功率晶体管
补充
硅
25伏
15瓦
TC
PD ，功耗（瓦）
等级
符号
VCB
VCEO
VEB
IC
IB
PD
PD
价值
40
25
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
8.0
5.0
10
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
15
0.12
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
1.5
0.012
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
CASE 77-08
TO–225AA
_
C
热特性
特征
符号
θ
JC
θ
JA
最大
单位
热阻，结到外壳
8.34
83.4
_
C / W
_
C / W
热阻，结到环境
16
1.6
TA
PD ，功耗（瓦）
12
1.2
8.0
0.8
4.0
0.4
0
20
40
60
80
100
120
140
0
160
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
第七版
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
MJE200 MJE210
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）
基射极电压上（ 1 ）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 1.0 V直流）
基射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 1.0 ADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 2.0 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 1.0 ADC ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 8.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ， TJ = 125
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
2
+11 V
0
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
T， TIME （ NS ）
– 9.0 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
图2.开关时间测试电路
25
s
51
RB
特征
–4 V
D1
[
2.0%.
VCC
+ 30 V
RC
范围
100
500
300
200
1K
10
50
30
20
1
1
2
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
3
2
MJE200
MJE210
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE200
MJE210
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
图3.开启时间
ICBO
IEBO
COB
的hFE
fT
tr
td
民
65
70
45
10
25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3
0.75
1.8
最大
VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
80
120
—
180
—
100
100
100
1.6
2.5
—
—
3
5
pF
—
NADC
μAdc
NADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
10
MJE200 MJE210
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
100
200
0.02
0.01
0 （单脉冲）
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
θ
JC = 8.34 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
图4.热响应
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
1.0毫秒
500
s
100
s
dc
5.0毫秒
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
30
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. T J （ pk）的可从数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区的安全工作区
10K
5K
3K
2K
1K
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.01
tf
MJE200
MJE210
0.2 0.3 0.5
1
2 3
0.02 0.03 0.05 0.1
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
10
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
200
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
COB
30
20
0.4 0.6
MJE200 （ NPN ）
MJE210 （ PNP ）
1.0
2.0
4.0 6.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
兴业银行
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJE200 MJE210
NPN
MJE200
400
TJ = 150℃
25°C
的hFE ， DC电流增益
400
TJ = 150℃
25°C
100
80
60
40
VCE = 1.0 V
VCE = 2.0 V
3.0
5.0
20
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
5.0
PNP
MJE210
的hFE ， DC电流增益
200
200
– 55°C
100
80
60
40
VCE = 1.0 V
VCE = 2.0 V
0.5 0.7 1.0
2.0
0.2 0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
– 55°C
20
0.05 0.07 0.1
图8.直流电流增益
2.0
TJ = 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0
5.0
1.2
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0
5.0
0.8
0.8
图9. “开”电压
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
θ
VB的VBE
- 55 ° C至25°C时
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0
25 ℃150 ℃的
θ
VC的VCE （SAT）
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
*适用于IC / IB
≤
hFE/3
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0
θ
VB的VBE
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
* θVC FOR VCE （SAT）
- 55 ° C至25°C时
25 ℃150 ℃的
*适用于IC / IB
≤
hFE/3
– 2.5
0.05 0.07 0.1
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10.温度系数
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE200 MJE210
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO–225AA
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
MJE200 - NPN ，
MJE210 - PNP
首选设备
其他芯片
电源塑料晶体管
这些器件是专为低电压，低功耗，高增益
音频放大器应用。
特点
http://onsemi.com
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 25伏直流（最小值） @我
C
= 10 MADC
高直流电流增益 -
h
FE
= 70 （分） @我
C
= 500 MADC
= 45 （分） @我
C
= 2.0 ADC
= 10 （分钟） @我
C
= 5.0 ADC
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 0.3伏（最大） @我
C
= 500 MADC
= 0.75伏直流（最大） @我
C
= 2.0 ADC
高电流增益 - 带宽积 -
f
T
= 65兆赫（最小值） @我
C
= 100 MADC
环形结构以降低漏 -
I
CBO
= 100 NADC @额定V
CB
无铅包可用*
5.0安培
功率晶体管
其他芯片
25伏， 15瓦
TO-225
CASE 77
风格1
3
2 1
标记图
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
40
25
8.0
5.0
10
1.0
15
0.12
1.5
0.012
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
_C
MJE200
符号
q
JC
q
JC
最大
8.34
83.4
单位
° C / W
° C / W
MJE210
MJE210G
MJE200G
Y
=年
WW
=工作周
JE2x0 =器件代码
X = 0或1
G
= Pb-Free包装
YWW
JE2x0G
最大额定值
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
- 连续
- 山顶
订购信息
设备
包
TO-225
TO-225
（无铅）
TO-225
TO-225
（无铅）
TO-225
TO-225
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，
结到环境
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
MJE210T
MJE210TG
50单位/铁
50单位/铁
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年7月 - 12牧师
出版订单号：
MJE200/D
TC
PD ，功耗（瓦）
TA
PD ，功耗（瓦）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
[
2.0%.
2. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（注2 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
基射极电压上（注1 ）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
基射极饱和电压（注1 ）
(I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压（注1 ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 2.0 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
(I
C
= 5.0 ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
直流电流增益（注1 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 8.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0, T
J
= 125_C)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
特征
4.0
8.0
16
12
0
20
MJE200 - NPN ，
40
图1.功率降额
60
http://onsemi.com
T，温度（ ° C）
80
100
2
MJE210 - PNP
MJE200
MJE210
120
140
f
T
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
EBO
C
ob
h
FE
0
160
0.4
1.2
1.6
0.8
民
65
70
45
10
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.3
0.75
1.8
80
120
-
180
-
100
100
100
1.6
2.5
-
-
NADC
NADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
-
pF
MJE200 - NPN ，
V
CC
+ 30 V
R
C
R
B
D
1
-4 V
范围
T， TIME （ NS ）
MJE210 - PNP
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
5
3
2
MJE200
MJE210
3
5
10
t
r
t
d
25
ms
+11 V
0
- 9.0 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
1
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 8.34 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
100
200
图4.热响应
http://onsemi.com
3
MJE200 - NPN ，
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
30
1.0毫秒
500
ms
100
ms
MJE210 - PNP
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
- V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
IC ，集电极电流（ AMP ）
dc
5.0毫秒
图5.活动区的安全工作区
10K
5K
3K
2K
1K
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.01
t
f
MJE200
MJE210
0.2 0.3 0.5
1
2 3
0.02 0.03 0.05 0.1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
5
10
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
200
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
C
ob
30
20
0.4 0.6
MJE200 （ NPN ）
MJE210 （ PNP ）
1.0
2.0
4.0 6.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
C
ib
图6.开启，关闭时间
图7.电容
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4
MJE200 - NPN ，
NPN
MJE200
400
T
J
= 150°C
25°C
的hFE ， DC电流增益
MJE210 - PNP
PNP
MJE210
400
T
J
= 150°C
25°C
100
80
60
40
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
200
200
- 55°C
100
80
60
40
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
- 55°C
20
0.05 0.07 0.1
20
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图8.直流电流增益
2.0
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.0
T
J
= 25°C
1.6
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0
5.0
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0
5.0
0.8
0.8
图9. “开”电压
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
q
VB
对于V
BE
- 55 ° C至25°C时
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0
25 ℃150 ℃的
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0
q
VB
对于V
BE
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
- 55 ° C至25°C时
25 ℃150 ℃的
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
- 2.5
0.05 0.07 0.1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10.温度系数
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5
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
MJE200
描述
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压 -
ΔDC
电流增益带宽积
高
直流电流增益
.Complement
到MJE210
应用
·设计
低电压，低功耗，高增益音频
放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
40
25
8
5
1
15
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
i
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
8.34
83.4
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
CE
(sat)-3
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
集电极电容
条件
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50毫安
I
C
= 2A ，我
B
= 0.2A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
B
MJE200
民
25
最大
单位
V
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
0.1
0.1
0.1
70
45
10
65
80
180
V
V
V
V
V
μA
mA
μA
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
I
C
= 2A
;
V
CE
= 1V
V
CB
= 40V
;
I
E
= 0
V
CB
= 40V
;
I
E
= 0;T
C
= 125℃
V
EB
= 8V ;我
C
= 0
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 1V
I
C
= 2A ; V
CE
= 1V
I
C
= 5A ; V
CE
=2V
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 10V ; F
TEST
= 10MHz时
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
=为0.1MHz
兆赫
pF
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M38035M6L-XXXKP
M29W160DT70ZA6T
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型号
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数量
封装
单价/备注
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