SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
MJE180/181/182
描述
·采用TO- 126封装
·补充输入MJE170 /一百七十二分之一百七十一
应用
·对于低功率音频放大器和低
电流高速开关应用
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（T
C
=25
)
符号
参数
MJE180
V
CBO
集电极 - 基极电压
MJE181
MJE182
MJE180
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
MJE181
MJE182
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
i
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25
集电极耗散功率
T
C
=25
结温
储存温度
12.5
150
-65~150
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
60
80
100
40
60
80
7
3
6
1
1.5
W
V
A
A
A
V
V
单位
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
LILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
VCX
UHC
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
启摹
MJE170 ， MJE171 ， MJE172
（ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ，
MJE182 （ NPN ）
首选设备
塑料互补
硅功率晶体管
该MJE170 / 180系列是专为低功耗音频放大器
和低电流，高速开关应用。
特点
http://onsemi.com
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 40伏直流 - MJE170 ， MJE180
= 60伏直流 - MJE171 ， MJE181
= 80伏直流 - MJE172 ， MJE182
直流电流增益 -
h
FE
= 30 （分） @我
C
= 0.5 ADC
= 12 （分） @我
C
= 1.5 ADC
电流增益 - 带宽积 -
f
T
= 50兆赫（最小值） @我
C
= 100 MADC
环形结构以降低泄漏原因的 -
I
CBO
= 100 nA的（最大）额定V
CB
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：机器型号，C
人体模型， 3B
无铅包可用*
3安培
功率晶体管
其他芯片
40 - 60 - 80伏
12.5 WATTS
TO225AA
CASE 77-09
风格1
3 2
1
最大额定值
集电极 - 基极电压
标记图
等级
符号
V
CB
价值
60
80
100
40
60
80
单位
VDC
MJE170 ， MJE180
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE170 ， MJE180
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
EB
I
C
I
B
7.0
3.0
6.0
1.0
VDC
ADC
ADC
- 连续
- 山顶
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
P
D
1.5
0.012
12.5
0.1
W
W / ℃，
W
W / ℃，
_C
T
J
, T
英镑
-65到+150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不正常
操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，
设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和可靠性可能
的影响。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
YWW
JE1xxG
Y
WW
JE1xx
G
=年
=工作周
=具体设备守则
X = 70 ， 71 ，72， 80 ，81，或82
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年1月 - 9牧师
出版订单号：
MJE171/D
1. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
热特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（注1 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
基射极饱和电压
(I
C
= 1.5 ADC ，我
B
= 150 MADC ）
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 600 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 1.5 ADC ，我
B
= 150 MADC ）
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 600 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 7.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0, T
C
= 150°C)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0, T
C
= 150°C)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0, T
C
= 150°C)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
MJE170 ， MJE171 ， MJE172 （ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ， MJE182 （ NPN ）
特征
特征
http://onsemi.com
MJE170,
MJE171,
MJE172,
MJE170,
MJE171,
MJE172,
MJE170 ， MJE180
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE171/MJE172
MJE181/MJE182
MJE180
MJE181
MJE182
MJE180
MJE181
MJE182
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
EBO
C
ob
h
FE
f
T
符号
QJC
qJA
2
民
50
50
30
12
40
60
80
最大
250
1.2
1.5
2.0
0.3
0.9
1.7
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
60
40
83.4
最大
10
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
° C / W
° C / W
pF
单位
MJE170 ， MJE171 ， MJE172 （ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ， MJE182 （ NPN ）
T
A
2.8
PD ，功耗（瓦）
2.4
2.0
T
C
14
12
10
T
C
1.6 8.0
1.2 6.0
0.8 4.0
0.4 2.0
0
0
T
A
20
40
60
80
100
120
140
160
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
V
CC
+30 V
R
C
R
B
D
1
范围
T， TIME （ NS ）
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
5
3
2
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
3
5
10
t
r
V
CE
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
V
BE （OFF）的
= 4.0 V
T
J
= 25°C
25
ms
+11 V
0
9.0 V
51
t
r
, t
f
≤
10纳秒
4 V
占空比=
1.0%
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
t
d
1
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
100
200
图4.热响应
http://onsemi.com
3
MJE170 ， MJE171 ， MJE172 （ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ， MJE182 （ NPN ）
有源区的安全工作区
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
dc
5.0毫秒
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@
T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
MJE171
MJE172
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
ms
500
ms
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
5.0毫秒
dc
100
ms
500
ms
0.05
0.02
0.01
1.0
0.05
0.02
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@
T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于MJE181
为V
首席执行官
MJE182
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
0.01
1.0
图5. MJE171 ， MJE172
图6. MJE181 ， MJE182
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管 - 平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10％的规定
T
J（下PK）
t
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
10K
5K
3K
2K
1K
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.01
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
t
f
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
100
70
C，电容（pF ）
50
PNP MJE171 / MJE172
NPN MJE181 / MJE182
C
ib
T
J
= 25°C
30
20
C
ob
10
10
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
30
50
图7.开启，关闭时间
图8.电容
http://onsemi.com
4
MJE170 ， MJE171 ， MJE172 （ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ， MJE182 （ NPN ）
订购信息
设备
MJE170
MJE170G
MJE171
MJE171G
MJE172
MJE172G
MJE180
MJE180G
MJE181
MJE181G
MJE182
MJE182G
包
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
TO225
TO225
（无铅）
500单位/箱
航运
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
