INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
描述
ΔDC
目前GAIN-
: h
FE
= 40 （分） @我
C
= -150mA
.Complement
到类型BD933 / 937分之935 / 941分之939
应用
·设计
在音频和电视输出级使用
放大器电路，其中高的峰值功率可能会发生。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BD934
BD936
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD938
BD940
BD942
BD934
BD936
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD938
BD940
BD942
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BD934/936/938/940/942
价值
-45
-60
-100
-120
-140
-45
-60
-80
-100
-120
-5
-3
-7
-0.5
30
150
-65~150
单位
V
V
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
4.17
70
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
。 。 。设计用于低功率音频放大器和低电流，高速开关
应用程序。
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60伏直流 - MJE171 ， MJE181
VCEO （ SUS）
= 80伏直流 - MJE172 ， MJE182
直流电流增益 -
的hFE = 30 （分钟） @ IC = 0.5 ADC
的hFE
= 12 （分） @ IC = 1.5 ADC
电流增益 - 带宽积 -
FT = 50兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC
环形结构以降低泄漏原因的 -
ICBO = 100 nA的（最大）额定VCB
热特性
最大额定值
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
特征
等级
TA TC
2.8 14
符号
符号
TJ ， TSTG
VCB
VCEO
VEB
IC
θ
JC
θ
JA
PD
IB
PD
MJE171
MJE181
60
80
- 65至+ 150
1.5
0.012
83.4
最大
12.5
0.1
1.0
3.0
6.0
7.0
10
MJE172
MJE182
100
80
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
塑料互补
硅功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
REV 2
PD ，功耗（瓦）
0.4 2.0
0.8 4.0
1.2 6.0
1.6 8.0
2.0
2.4
0
10
12
0
20
40
图1.功率降额
60
T，温度（ ° C）
TA
TC
80
100
120
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
140
160
3安培
功率晶体管
补充
硅
60 - 80伏
12.5 WATTS
MJE171*
MJE172*
NPN
MJE181*
MJE182*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 77-08
TO–225AA
订购此文件
通过MJE171 / D
PNP
1
MJE171 MJE172 MJE181 MJE182
（1）的fT =
h
fe
FTEST 。
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 500 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
基射极饱和电压
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 150 MADC ）
（ IC = 3.0 ADC ， IB = 600 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 150 MADC ）
（ IC = 3.0 ADC ， IB = 600 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 1.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 7.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
（ VCB = 100伏， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ， TC = 150
_
C)
（ VCB = 100伏， IE = 0 ， TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
2
+11 V
0
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
T， TIME （ NS ）
– 9.0 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
图2.开关时间测试电路
25
s
51
RB
特征
–4 V
D1
VCC
+ 30 V
RC
范围
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE171/MJE172
MJE181/MJE182
100
500
300
200
1K
50
30
20
10
5
3
2
1
1
2
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
IC ，集电极电流（ AMPS ）
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
图3.开启时间
ICBO
IEBO
COB
的hFE
fT
td
tr
VCE = 30 V
IC / IB = 10
VBE （关闭） = 4.0 V
TJ = 25°C
民
50
50
30
12
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
250
—
—
1.2
1.5
2.0
0.3
0.9
1.7
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
60
40
—
—
—
3
5
pF
—
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
10
MJE171 MJE172 MJE181 MJE182
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
100
200
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
D = 0.5
0.2
0.1
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
θ
JC = 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
图4.热响应
有源区的安全工作区
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
500
s
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@
TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
MJE171
MJE172
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
5.0毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
100
s
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
100
0.01
1.0
5.0毫秒
dc
100
s
500
s
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@
TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
MJE181
额定VCEO
MJE182
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. MJE171 ， MJE172
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管 - 平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
化;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于TJ （峰） = 150
_
℃; TC
10K
5K
3K
2K
1K
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
50
30
20
tf
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
5
10
10
0.5 0.7
1.0
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
图6. MJE181 ， MJE182
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10 ％，提供的TJ （ PK）
150
_
C. T J （ pk）的可从数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
t
100
70
C，电容（pF ）
50
PNP MJE171 / MJE172
NPN MJE181 / MJE182
兴业银行
TJ = 25°C
30
20
COB
10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
30
50
图7.开启，关闭时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
图8.电容
3
MJE171 MJE172 MJE181 MJE182
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO–225AA
ISSUE V
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*MJE171/D*
MJE171/D
。 。 。设计用于低功率音频放大器和低电流，高速开关
应用程序。
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60伏直流 - MJE171 ， MJE181
VCEO （ SUS）
= 80伏直流 - MJE172 ， MJE182
直流电流增益 -
的hFE = 30 （分钟） @ IC = 0.5 ADC
的hFE
= 12 （分） @ IC = 1.5 ADC
电流增益 - 带宽积 -
FT = 50兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC
环形结构以降低泄漏原因的 -
ICBO = 100 nA的（最大）额定VCB
热特性
最大额定值
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
特征
等级
TA TC
2.8 14
符号
符号
TJ ， TSTG
VCB
VCEO
VEB
IC
θ
JC
θ
JA
PD
IB
PD
MJE171
MJE181
60
80
- 65至+ 150
1.5
0.012
83.4
最大
12.5
0.1
1.0
3.0
6.0
7.0
10
MJE172
MJE182
100
80
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
塑料互补
硅功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
REV 2
PD ，功耗（瓦）
0.4 2.0
0.8 4.0
1.2 6.0
1.6 8.0
2.0
2.4
0
10
12
0
20
40
图1.功率降额
60
T，温度（ ° C）
TA
TC
80
100
120
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
140
160
3安培
功率晶体管
补充
硅
60 - 80伏
12.5 WATTS
MJE171*
MJE172*
NPN
MJE181*
MJE182*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 77-08
TO–225AA
订购此文件
通过MJE171 / D
PNP
1
MJE171 MJE172 MJE181 MJE182
（1）的fT =
h
fe
FTEST 。
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 500 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
基射极饱和电压
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 150 MADC ）
（ IC = 3.0 ADC ， IB = 600 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 1.5 ADC ， IB = 150 MADC ）
（ IC = 3.0 ADC ， IB = 600 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 1.5 ADC ， VCE = 1.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 7.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
（ VCB = 100伏， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ， TC = 150
_
C)
（ VCB = 100伏， IE = 0 ， TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
2
+11 V
0
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
T， TIME （ NS ）
– 9.0 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
图2.开关时间测试电路
25
s
51
RB
特征
–4 V
D1
VCC
+ 30 V
RC
范围
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE171/MJE172
MJE181/MJE182
100
500
300
200
1K
50
30
20
10
5
3
2
1
1
2
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
IC ，集电极电流（ AMPS ）
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
图3.开启时间
ICBO
IEBO
COB
的hFE
fT
td
tr
VCE = 30 V
IC / IB = 10
VBE （关闭） = 4.0 V
TJ = 25°C
民
50
50
30
12
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
250
—
—
1.2
1.5
2.0
0.3
0.9
1.7
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
60
40
—
—
—
3
5
pF
—
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
10
MJE171 MJE172 MJE181 MJE182
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
100
200
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
D = 0.5
0.2
0.1
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
θ
JC = 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
图4.热响应
有源区的安全工作区
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
500
s
dc
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@
TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
MJE171
MJE172
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
5.0毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
100
s
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
100
0.01
1.0
5.0毫秒
dc
100
s
500
s
TJ = 150℃
键合丝有限公司
限热@
TC = 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
MJE181
额定VCEO
MJE182
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. MJE171 ， MJE172
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管 - 平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
化;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于TJ （峰） = 150
_
℃; TC
10K
5K
3K
2K
1K
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
50
30
20
tf
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
5
10
10
0.5 0.7
1.0
ts
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
图6. MJE181 ， MJE182
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10 ％，提供的TJ （ PK）
150
_
C. T J （ pk）的可从数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
t
100
70
C，电容（pF ）
50
PNP MJE171 / MJE172
NPN MJE181 / MJE182
兴业银行
TJ = 25°C
30
20
COB
10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
VR ，反向电压（伏）
30
50
图7.开启，关闭时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
图8.电容
3
MJE171 MJE172 MJE181 MJE182
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO–225AA
ISSUE V
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
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M传真：
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日本：
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6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*MJE171/D*
MJE171/D
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
MJE172
MJE182
互补硅功率晶体管
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
互补PNP - NPN器件
描述
该MJE172 （ PNP型）和MJE182 （ NPN型）
在硅外延平面，互补
在JEDEC的SOT- 32塑料封装晶体管，它们
是专为低功率音频放大器和
低电流，高速开关应用。
3
2
1
SOT-32
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
基极 - 发射极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
在T总功率耗散
例
≤
25 C
o
价值
MJE182
MJE172
80
100
7
3
6
1
12.5
单位
80
100
7
3
6
1
12.5
V
V
V
A
A
A
W
1998年9月
1/4
MJE172 - MJE182
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
1998意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 墨西哥 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
.
4/4
MJE170 ， MJE171 ， MJE172
（ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ，
MJE182 （ NPN ）
首选设备
塑料互补
硅功率晶体管
该MJE170 / 180系列是专为低功耗音频放大器
和低电流，高速开关应用。
特点
http://onsemi.com
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 40伏直流 - MJE170 ， MJE180
= 60伏直流 - MJE171 ， MJE181
= 80伏直流 - MJE172 ， MJE182
直流电流增益 -
h
FE
= 30 （分） @我
C
= 0.5 ADC
= 12 （分） @我
C
= 1.5 ADC
电流增益 - 带宽积 -
f
T
= 50兆赫（最小值） @我
C
= 100 MADC
环形结构以降低泄漏原因的 -
I
CBO
= 100 nA的（最大）额定V
CB
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：机器型号，C
人体模型， 3B
无铅包可用*
3安培
功率晶体管
其他芯片
40 - 60 - 80伏
12.5 WATTS
TO225AA
CASE 77-09
风格1
3 2
1
最大额定值
集电极 - 基极电压
标记图
等级
符号
V
CB
价值
60
80
100
40
60
80
单位
VDC
MJE170 ， MJE180
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE170 ， MJE180
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
V
EB
I
C
I
B
7.0
3.0
6.0
1.0
VDC
ADC
ADC
- 连续
- 山顶
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
P
D
1.5
0.012
12.5
0.1
W
W / ℃，
W
W / ℃，
_C
T
J
, T
英镑
-65到+150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不正常
操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，
设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和可靠性可能
的影响。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
YWW
JE1xxG
Y
WW
JE1xx
G
=年
=工作周
=具体设备守则
X = 70 ， 71 ，72， 80 ，81，或82
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年1月 - 9牧师
出版订单号：
MJE171/D
1. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
热特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（注1 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
基射极饱和电压
(I
C
= 1.5 ADC ，我
B
= 150 MADC ）
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 600 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 1.5 ADC ，我
B
= 150 MADC ）
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 600 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.5 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 7.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0, T
C
= 150°C)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0, T
C
= 150°C)
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0, T
C
= 150°C)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
MJE170 ， MJE171 ， MJE172 （ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ， MJE182 （ NPN ）
特征
特征
http://onsemi.com
MJE170,
MJE171,
MJE172,
MJE170,
MJE171,
MJE172,
MJE170 ， MJE180
MJE171 ， MJE181
MJE172 ， MJE182
MJE171/MJE172
MJE181/MJE182
MJE180
MJE181
MJE182
MJE180
MJE181
MJE182
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
EBO
C
ob
h
FE
f
T
符号
QJC
qJA
2
民
50
50
30
12
40
60
80
最大
250
1.2
1.5
2.0
0.3
0.9
1.7
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
60
40
83.4
最大
10
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
° C / W
° C / W
pF
单位
MJE170 ， MJE171 ， MJE172 （ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ， MJE182 （ NPN ）
T
A
2.8
PD ，功耗（瓦）
2.4
2.0
T
C
14
12
10
T
C
1.6 8.0
1.2 6.0
0.8 4.0
0.4 2.0
0
0
T
A
20
40
60
80
100
120
140
160
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
V
CC
+30 V
R
C
R
B
D
1
范围
T， TIME （ NS ）
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
5
3
2
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
3
5
10
t
r
V
CE
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
V
BE （OFF）的
= 4.0 V
T
J
= 25°C
25
ms
+11 V
0
9.0 V
51
t
r
, t
f
≤
10纳秒
4 V
占空比=
1.0%
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
t
d
1
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
100
200
图4.热响应
http://onsemi.com
3
MJE170 ， MJE171 ， MJE172 （ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ， MJE182 （ NPN ）
有源区的安全工作区
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
dc
5.0毫秒
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@
T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
MJE171
MJE172
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
ms
500
ms
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
5.0毫秒
dc
100
ms
500
ms
0.05
0.02
0.01
1.0
0.05
0.02
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@
T
C
= 25°C （单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于MJE181
为V
首席执行官
MJE182
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
0.01
1.0
图5. MJE171 ， MJE172
图6. MJE181 ， MJE182
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管 - 平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10％的规定
T
J（下PK）
t
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
10K
5K
3K
2K
1K
T， TIME （ NS ）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.01
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
t
f
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
100
70
C，电容（pF ）
50
PNP MJE171 / MJE172
NPN MJE181 / MJE182
C
ib
T
J
= 25°C
30
20
C
ob
10
10
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
V
R
，反向电压（伏）
30
50
图7.开启，关闭时间
图8.电容
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MJE170 ， MJE171 ， MJE172 （ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ， MJE182 （ NPN ）
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