SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
MJE15030
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
MJE15028 MJE15030
MJE15029 MJE15031
NPN
PNP
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体MJE15028 / MJE15029
系列类型是互补硅功率晶体管
设计用于音频放大器的应用中使用。
其他芯片
功率晶体管
标记：全部型号
TO- 220 CASE
最大额定值：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
功耗
功率耗散（ TC = 25°C ）
工作和存储结温
热阻
热阻
电气特性：
(TC=25°C)
符号
测试条件
ICBO
VCB =额定VCBO
ICEO
IEBO
BVCEO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
fT
VCE =额定VCEO
VEB=5.0V
IC = 10毫安（ MJE15028 ， MJE15029 ）
IC = 10毫安（ MJE15030 ， MJE15031 ）
IC = 1.0A ， IB =百毫安
VCE = 2.0V ， IC = 1.0A
VCE = 2.0V ， IC =百毫安
VCE = 2.0V ， IC = 2.0A
VCE = 2.0V ， IC = 3.0A
VCE = 2.0V ， IC = 4.0A
VCE = 10V ， IC = 500毫安， F = 10MHz时
40
40
40
20
30
兆赫
120
150
0.5
1.0
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
Θ
JC
MJE15028
MJE15029
120
120
5.0
8.0
16
2.0
2.0
50
-65到+150
62.5
2.5
MJE15030
MJE15031
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
° C / W
° C / W
民
最大
10
100
10
单位
μA
μA
μA
V
V
V
V
R0 （ 2009年17月）
MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ）
MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
首选设备
其他芯片
塑料功率晶体管
这些器件专为在使用高频驱动器
音频放大器。
特点
http://onsemi.com
直流电流增益指定为4.0安培
h
FE
= 40 （分） @我
C
= 3.0 ADC
= 20 （分） @我
C
= 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 120伏直流（最小值） ; MJE15028 ， MJE15029
= 150伏直流（最小值） ; MJE15030 ， MJE15031
高电流增益 - 带宽积
f
T
= 30兆赫（最小值） @我
C
= 500 MADC
TO- 220AB封装紧凑
无铅包可用*
8安培
功率晶体管
其他芯片
120-150伏， 50瓦
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
集电极 - 基极电压
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
- 连续
- 山顶
符号
V
首席执行官
120
150
V
CB
120
150
V
EB
I
C
I
CM
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
5.0
8.0
16
2.0
50
0.40
2.0
0.016
-65
+150
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
_C
MJE150xxG
AY WW
VDC
价值
单位
VDC
1
2
3
TO220AB
CASE 221A -09
风格1
标记图
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
MJE150xx =器件代码
X = 28 ， 29 ， 30或31
G
= Pb-Free包装
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年2月 - 第4版
出版订单号：
MJE15028/D
PD ，功耗（瓦）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
2. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
电流增益 - 带宽积（注2 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.1 ADC）
直流电流增益线性度
(V
CE
从2.0到20V ，我
C
0.1 A到3 A）
（ NPN TO PNP ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 2.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 4.0 ADC ，V
CE
= 2.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 120伏，我
E
= 0)
(V
CB
= 150伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 120伏，我
B
= 0)
(V
CE
= 150伏，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ） MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
特征
1.0
2.0
3.0
T
A
0
T
C
20
40
60
0
0
20
40
http://onsemi.com
图1.功率降额
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
T，温度（ ° C）
60
T
A
80
T
C
100
120
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE
f
T
140
160
民
120
150
30
40
40
40
20
典型值
2
3
最大
1.0
0.5
0.1
0.1
10
10
10
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
2
MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ） MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P
（ PK）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
图2.热响应
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
16
10
100
ms
5毫秒
dc
键合丝有限公司
限热
第二击穿
有限公司@ T
C
= 25°C
1.0
0.1
0.02
2.0
MJE15028
MJE15029
MJE15030
MJE15031
50
20
120 150
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
5.0
10
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
散热则曲线表明。
图3和图4的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从该数据在图2中进行计算。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
图3.正向偏置安全工作区
8.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
1000
500
C，电容（pF ）
C
ib
（ NPN ）
C
ib
（ PNP）
5.0
I
C
/I
B
= 10
T
C
= 25°C
V
BE （OFF）的
= 9 V
5V
3V
1.5 V
0V
100 110 120 130 140 150
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
200
100
50
30
20
10
1.5
3.0
50
5.0 7.0 10
30
V
R
，反向电压（伏）
C
ob
（ NPN ）
C
ob
（ PNP）
3.0
2.0
1.0
0
0
100 150
图4.反向偏置开关
安全工作区
图5的电容
http://onsemi.com
3
MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ） MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
尺，电流增益带宽积（兆赫）
100
HFE ，小信号电流增益
100
90
（ PNP）
（ NPN ）
60
50
50
30
20
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.5 A
T
C
= 25°C
PNP
NPN
10
20
10
0
0.1
0.2
0.5
2.0
1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
5.0
0.5
0.7
1.0
3.0
2.0
男，频率（MHz）
5.0
7.0
10
图6.小信号电流增益
图7.电流增益带宽积
NPN - MJE15028 MJE15030
1K
500
的hFE ， DC电流增益
200
150
100
70
50
30
20
10
0.1
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
1K
500
PNP - MJE15029 MJE15031
V
CE
= 2 V
T
J
= 150°C
200
100
50
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
20
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图8.直流电流增益
NPN
PNP
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.8
T
J
= 25°C
1.4
1.2
1.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
CE （ SAT ）
= I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
1.0
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
= I
C
/I
B
= 20
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
0.2
0.1
I
C
/I
B
= 10
5.0
10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图9. “开”电压
http://onsemi.com
4
MJE15028 ， MJE15030 （ NPN ） MJE15029 ， MJE15031 （ PNP ）
1.0
0.5
0.2
0.1
t
r
（ PNP）
V
CC
= 80 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
d
（ NPN ， PNP ）
T， TIME （
μ
s)
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
t
r
（ NPN ）
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
0.1
0.1
t
f
（ NPN ）
0.2
0.3
0.5
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
t
f
（ PNP）
t
s
（ PNP）
V
CC
= 80 V
I
C
/I
B
= 10, I
B1
= I
B2
t
s
（ NPN ）T
J
= 25°C
T， TIME （
μ
s)
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
图10.开启时间
图11.关断时间
订购信息
设备
MJE15028
MJE15028G
MJE15029
MJE15029G
MJE15030
MJE15030G
MJE15031
MJE15031G
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
http://onsemi.com
5
直流电流增益指定为4.0安培
的hFE = 40 （分钟） @ IC = 3.0 ADC
的hFE
= 20 （分） @ IC = 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （ SUS） = 120伏直流（最小值） - MJE15028 ， MJE15029
VCEO （ SUS）
= 150伏直流（最小值） - MJE15030 ， MJE15031
高电流增益 - 带宽积
FT = 30兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
TO- 220AB封装紧凑
。 。 。专为使用在音频放大器的高频驱动。
热特性
最大额定值
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
- 山顶
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
TA TC
符号
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
R
θJC
R
θJA
VEB
IC
PD
IB
PD
MJE15028
MJE15029
120
120
- 65至+ 150
2.0
0.016
62.5
最大
50
0.40
2.5
2.0
8.0
16
5.0
MJE15030
MJE15031
150
150
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
PD ，功耗（瓦）
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
1.0
2.0
3.0
0
40
20
60
0
0
20
40
图1.功率降额
T，温度（ ° C）
60
TA
80
TC
100
120
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
140
160
MJE15028*
MJE15030*
PNP
MJE15029*
MJE15031*
8安培
功率晶体管
补充
硅
120 - 150伏
50瓦
*摩托罗拉的首选设备
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过MJE15028 / D
NPN
1
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 1.0 ADC ， IB = 0.1 ADC ）
直流电流增益线性度
（ VCE从2.0 V至20 V ， IC从0.1 A到3 A）
（ NPN TO PNP ）
直流电流增益
（ IC = 0.1 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 120伏， IE = 0 ）
（ VCB = 150伏， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 120伏， IB = 0 ）
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
2
0.02
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
0.03
0.07
0.05
0.01
0.01
0.3
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.01
D = 0.5
0.02
0.05
0.02
0.1
0.2
单脉冲
0.05
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
0.1
特征
0.2
0.5
图2.热响应
1.0
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
10
VCEO （ SUS）
20
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICBO
ICEO
IEBO
的hFE
的hFE
fT
50
P（ PK）
民
120
150
占空比D = T1 / T2
30
40
40
40
20
—
—
—
—
—
—
—
t1
典型值
2
3
t2
最大
1.0
0.5
0.1
0.1
10
10
10
—
—
—
—
—
—
—
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
100
200
500
1.0 k
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
16
10
100
s
5毫秒
dc
1.0
键合丝有限公司
限热
第二击穿
有限公司@ TC = 25°C
0.1
0.02
2.0
MJE15028
MJE15029
MJE15030
MJE15031
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
化则曲线表明。
图3和图4的数据是基于TJ （峰） = 150
_
C;
TC是可变根据条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10 ％，提供的TJ （ PK）
＆ LT ; 150
_
C. TJ （ pk）的可从数据在图2中计算的。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于限制功率
通过二次击穿的罚款。
5.0
10
50
20
120 150
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图3.正向偏置安全工作区
8.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
1000
500
C，电容（pF ）
CIB （ NPN ）
CIB （ PNP ）
5.0
IC / IB = 10
TC = 25°C
3.0
2.0
1.0
0
0
VBE （关闭） = 9 V
5V
3V
1.5 V
0V
100 110 120 130 140 150
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200
100
50
30
20
10
1.5
3.0
5.0 7.0 10
30
50
VR ，反向电压（伏）
100 150
COB （ NPN ）
COB （ PNP ）
图4.反向偏置开关
安全工作区
图5的电容
尺，电流增益带宽积（兆赫）
100
HFE ，小信号电流增益
100
90
（ PNP）
（ NPN ）
60
50
50
30
20
VCE = 10 V
IC = 0.5 A
TC = 25°C
PNP
NPN
10
20
10
0
0.1
0.2
1.0
0.5
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
5.0
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
男，频率（MHz）
5.0
7.0
10
图6.小信号电流增益
图7.电流增益带宽积
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
NPN - MJE15028 MJE15030
1K
500
的hFE ， DC电流增益
200
150
100
70
50
30
20
10
0.1
TJ = 150℃
TJ = 25°C
TJ = - 55°C
VCE = 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
1K
VCE = 2 V
500
TJ = 150℃
200
100
50
TJ = 25°C
TJ = - 55°C
PNP - MJE15029 MJE15031
20
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
0.2
0.5
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
图8.直流电流增益
NPN
PNP
TJ = 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.8
TJ = 25°C
1.4
1.2
1.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 2.0 V
VCE （SAT） = IC / IB = 20
0.2
IC / IB = 10
0.5
1.0
2.0
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
1.0
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 2.0 V
0.4
VCE （SAT） = IC / IB = 20
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.2
0.1
IC / IB = 10
5.0
10
图9. “开”电压
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
TR （ NPN ）
TR （ PNP ）
VCC = 80 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
TD （ NPN ， PNP ）
T， TIME （
s)
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
TF （ PNP ）
TS （ PNP ）
VCC = 80 V
IC / IB = 10， IB1 = IB2
TS （ NPN ） TJ = 25°C
T， TIME （
s)
0.2
0.1
0.1
TF （ NPN ）
0.2
0.3
0.5
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
0.2
0.5
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
图10.开启时间
图11.关断时间
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
直流电流增益指定为4.0安培
的hFE = 40 （分钟） @ IC = 3.0 ADC
的hFE
= 20 （分） @ IC = 4.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （ SUS） = 120伏直流（最小值） - MJE15028 ， MJE15029
VCEO （ SUS）
= 150伏直流（最小值） - MJE15030 ， MJE15031
高电流增益 - 带宽积
FT = 30兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
TO- 220AB封装紧凑
。 。 。专为使用在音频放大器的高频驱动。
热特性
最大额定值
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
- 山顶
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
TA TC
符号
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
R
θJC
R
θJA
VEB
IC
PD
IB
PD
MJE15028
MJE15029
120
120
- 65至+ 150
2.0
0.016
62.5
最大
50
0.40
2.5
2.0
8.0
16
5.0
MJE15030
MJE15031
150
150
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
PD ，功耗（瓦）
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
1.0
2.0
3.0
0
40
20
60
0
0
20
40
图1.功率降额
T，温度（ ° C）
60
TA
80
TC
100
120
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
140
160
MJE15028*
MJE15030*
PNP
MJE15029*
MJE15031*
8安培
功率晶体管
补充
硅
120 - 150伏
50瓦
*摩托罗拉的首选设备
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过MJE15028 / D
NPN
1
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 1.0 ADC ， IB = 0.1 ADC ）
直流电流增益线性度
（ VCE从2.0 V至20 V ， IC从0.1 A到3 A）
（ NPN TO PNP ）
直流电流增益
（ IC = 0.1 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
（ IC = 2.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
（ IC = 4.0 ADC ， VCE = 2.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 120伏， IE = 0 ）
（ VCB = 150伏， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 120伏， IB = 0 ）
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
2
0.02
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
0.03
0.07
0.05
0.01
0.01
0.3
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.01
D = 0.5
0.02
0.05
0.02
0.1
0.2
单脉冲
0.05
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
0.1
特征
0.2
0.5
图2.热响应
1.0
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
MJE15028 ， MJE15029
MJE15030 ， MJE15031
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
Z
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.56 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
10
VCEO （ SUS）
20
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICBO
ICEO
IEBO
的hFE
的hFE
fT
50
P（ PK）
民
120
150
占空比D = T1 / T2
30
40
40
40
20
—
—
—
—
—
—
—
t1
典型值
2
3
t2
最大
1.0
0.5
0.1
0.1
10
10
10
—
—
—
—
—
—
—
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
100
200
500
1.0 k
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
16
10
100
s
5毫秒
dc
1.0
键合丝有限公司
限热
第二击穿
有限公司@ TC = 25°C
0.1
0.02
2.0
MJE15028
MJE15029
MJE15030
MJE15031
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
化则曲线表明。
图3和图4的数据是基于TJ （峰） = 150
_
C;
TC是可变根据条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10 ％，提供的TJ （ PK）
＆ LT ; 150
_
C. TJ （ pk）的可从数据在图2中计算的。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于限制功率
通过二次击穿的罚款。
5.0
10
50
20
120 150
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图3.正向偏置安全工作区
8.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
1000
500
C，电容（pF ）
CIB （ NPN ）
CIB （ PNP ）
5.0
IC / IB = 10
TC = 25°C
3.0
2.0
1.0
0
0
VBE （关闭） = 9 V
5V
3V
1.5 V
0V
100 110 120 130 140 150
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200
100
50
30
20
10
1.5
3.0
5.0 7.0 10
30
50
VR ，反向电压（伏）
100 150
COB （ NPN ）
COB （ PNP ）
图4.反向偏置开关
安全工作区
图5的电容
尺，电流增益带宽积（兆赫）
100
HFE ，小信号电流增益
100
90
（ PNP）
（ NPN ）
60
50
50
30
20
VCE = 10 V
IC = 0.5 A
TC = 25°C
PNP
NPN
10
20
10
0
0.1
0.2
1.0
0.5
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
5.0
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
男，频率（MHz）
5.0
7.0
10
图6.小信号电流增益
图7.电流增益带宽积
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
NPN - MJE15028 MJE15030
1K
500
的hFE ， DC电流增益
200
150
100
70
50
30
20
10
0.1
TJ = 150℃
TJ = 25°C
TJ = - 55°C
VCE = 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
1K
VCE = 2 V
500
TJ = 150℃
200
100
50
TJ = 25°C
TJ = - 55°C
PNP - MJE15029 MJE15031
20
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
0.2
0.5
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
图8.直流电流增益
NPN
PNP
TJ = 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.8
TJ = 25°C
1.4
1.2
1.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 2.0 V
VCE （SAT） = IC / IB = 20
0.2
IC / IB = 10
0.5
1.0
2.0
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
1.0
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 2.0 V
0.4
VCE （SAT） = IC / IB = 20
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.2
0.1
IC / IB = 10
5.0
10
图9. “开”电压
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
TR （ NPN ）
TR （ PNP ）
VCC = 80 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
TD （ NPN ， PNP ）
T， TIME （
s)
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
TF （ PNP ）
TS （ PNP ）
VCC = 80 V
IC / IB = 10， IB1 = IB2
TS （ NPN ） TJ = 25°C
T， TIME （
s)
0.2
0.1
0.1
TF （ NPN ）
0.2
0.3
0.5
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
0.2
0.5
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
5.0
10
图10.开启时间
图11.关断时间
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
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2.04
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风格1 ：
PIN 1 。
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CASE 221A -06
TO–220AB
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摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
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