UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MJE13009
开关模式系列NPN
广颖电
晶体管
描述
该
MJE13009
是专为高电压，高转速动力
开关电感电路中的下降时间是至关重要的。他们是
特别适用于115和220伏的开关模式的应用程序
如开关稳压器，逆变器，马达控制，
电磁阀/继电器驱动器和偏转电路。
NPN硅晶体管
1
TO-3P
1
TO-220
特点
* V
首席执行官
400 V和300 V
*反向偏置SOA与感性负载@ T
C
= 100℃
*感应开关矩阵3 12安培， 25和100 ℃
TC @ 8 A， 100
℃
是120纳秒（典型值） 。
* 700V的阻断能力
* SOA和交换应用信息。
1
TO-220F
*无铅电镀产品编号： MJE13009L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
MJE13009-TA3-T
MJE13009L-TA3-T
MJE13009-TF3-T
MJE13009L-TF3-T
MJE13009-T3P-T
MJE13009L-T3P-T
包
TO-220
TO-220F
TO-3P
引脚分配
1
2
3
B
C
E
B
C
E
B
C
E
填料
管
管
管
MJE13009L-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） T：管
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF3 ： TO- 220F ， T3P ： TO- 3P
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
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2005 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R203-024,D
MJE13009
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ）
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
发射极电流
总功率耗散@ TA = 25 ℃
减免上述25 °
总功率耗散@ T
C
= 25℃
减免上述25 °
连续
山顶*
连续
山顶*
连续
山顶*
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
I
E
I
EM
P
D
P
D
NPN硅晶体管
评级
400
700
9
12
24
6
12
18
36
2
16
100
800
单位
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/ °
W
毫瓦/ °
℃
℃
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比
≤
10%
2.
绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
热阻结到环境
热阻结到外壳
参数
*开关特性
集电极 - 发射耐受电压
收藏家Cuto FF电流
V
CBO
=额定值
发射Cuto FF电流
*基本特征
直流电流增益
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE 2
符号
θ
JA
θ
JC
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
V
BE （OFF）的
= 1.5VDC
V
BE （OFF）的
= 1.5VDC ，T
C
= 100℃
V
EB
= 9VDC ，我
C
= 0
I
C
= 5A ，V
CE
= 5V
I
C
= 8A ，V
CE
= 5V
I
C
= 5A ，我
B
= 1A
I
C
= 8A ，我
B
= 1.6A
I
C
= 12A ，我
B
= 3A
I
C
= 8A ，我
B
= 1.6A ，T
C
= 100℃
I
C
= 5A ，我
B
= 1A
I
C
= 8A ，我
B
= 1.6A
I
C
= 8A ，我
B
= 1.6A ，T
C
= 100℃
4
180
0.06
0.45
1.3
0.2
0.92
0.12
0.1
1
3
0.7
2.3
0.7
评级
54
4
民
400
1
5
1
40
30
1
1.5
3
2
1.2
1.6
1.5
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
s
s
s
s
s
s
典型值
单位
℃/W
℃/W
最大单位
V
mA
mA
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
电流发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
动态特性
跃迁频率
f
T
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
输出电容
C
ob
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f =为0.1MHz
开关特性
（阻性负载，表1）
延迟时间
t
DLY
V
CC
= 125VDC ，我
C
= 8A
上升时间
t
R
I
B1
= I
B2
= 1.6A ，T
P
= 25s
贮存时间
t
S
占空比
≤1%
下降时间
t
F
感性负载时，钳位（表1，图13 ）
电压存储时间
t
S
I
C
= 8A ，V
钳
= 300V ，我
B1
=1.6A
V
BE （OFF）的
= 5V ，T
C
= 100℃
交叉时间
t
C
*脉冲测试：脉冲Wieth = 300μS ，占空比= 2 ％
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2第8
QW-R203-024,D
MJE13009
+5V
1N4933
0.001μF
33
MJE210
V
CC
NPN硅晶体管
电阻开关
表1.测试条件为动态性能
反向偏置安全工作区以及电感式开关
+125V
L
MR826*
测试电路
5V
P
W
占空比
≤
10% 68
t
R
, t
F
≤
10纳秒
1k
1k
+5V
1N4933
0.02μF
270
33 1N4933
2N2222
R
B
I
B
I
C
V
钳
*选择研究
.
1千伏
V
CE
D.U.T.
2N2905
47
1/2W
100
–V
BE （OFF）的
MJE200
51
R
C
TUT
R
B
范围
5.1k
D1
1k
记
PW和V
CC
调整所需的I
C
R
B
调整所需的I
B1
-4.0V
电路值
线圈参数：
Ferroxcube公司核心＃ 6656
满管（ 16圈） ＃ 16
GAP 200
H/20
A
L
COIL
= 200
H
V
CC
= 20 V
V
钳
= 300伏
V
CC
= 125 V
R
C
= 15
D1 = 1N5820或E.T.模式。
R
B
=
输出波形
+10V
25
s
测试波形
t
F
夹
I
C
I
CM
t
t
1
V
CE
V
CEM
时间
t
2
V
钳
t
2
≈
L
COIL
(I
CM
)
V
钳
t
F
t
1
≈
t
F
松开
9
t
2
T1为调整
获得IC
L
COIL
(I
CM
)
V
CC
测试设备
范围 - 泰克
475或等效
0
-8V
t
R
, t
F
＆ LT ; 10纳秒
占空比= 1.0 ％
R
B
和R
C
调整
对于想要我
B
我
C
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3 8
QW-R203-024,D
MJE13009
电路
24A
NPN硅晶体管
LOAD单线图
TURN -ON （正向偏压） SOA
t
ON
≤
10毫秒
占空比
≤
10%
P
D
= 4000 W 2
350V
12A
开启
关闭
+
V
CC
400V 1
1
TURN -OFF （反向偏置） SOA
1.5 V
≤
V
BE （OFF）的
≤
9.0 V
占空比
≤
10%
表2.应用开关电路的例子
时序图
I
C
集电极电流
系列开关
调节器
T
C
= 100°C
V
CE
V
CC
时间
t
V
CC
V
OUT
700V
集电极电压
时间
I
C
t
呼入CHOKE
逆变器
24A
集电极电流
TURN -ON （正向偏压） SOA
t
ON
≤
10毫秒
占空比
≤
10%
P
D
= 4000 W 2
350V
TURN -OFF （反向偏置） SOA
1.5 V
≤
V
BE （OFF）的
≤
9.0 V
占空比
≤
10%
V
CC
N
V
OUT
T
C
= 100°C
12A
t
关闭
t
ON
V
CE
V
CC+
N（ V
O
)
V
CC
t
漏感尖峰
关闭
开启
+ V
CC
V
CC
+ N （V
OUT ）
400V 1
700V 1
t
集电极电压
推 - 拉
逆变器/转换器
24A
TURN -ON （正向偏压） SOA
t
ON
≤
10毫秒
占空比
≤
10%
P
D
= 4000 W 2
350V
开启
TURN -OFF （反向偏置） SOA
1.5 V
≤
V
BE （OFF）的
≤
9.0 V
占空比
≤
10%
2 V
CC
V
CC
400V 1
700V
1
I
C
t
关闭
t
ON
t
V
CE
2 V
CC
V
CC
t
V
OUT
集电极电流
T
C
= 100°C
12A
V
CC
关闭
+
集电极电压
电磁驱动器
V
CC
集电极电流
24A
TURN -ON （正向偏压） SOA
t
ON
≤
10毫秒
占空比
≤
10%
P
D
= 4000 W 2
350V
TURN -OFF （反向偏置） SOA
1.5 V
≤
V
BE （OFF）的
≤
9.0 V
占空比
≤
10%
2 V
CC
400V 1
700V 1
I
C
T
C
= 100°C
12A
t
ON
V
CE
V
CC
t
关闭
t
电磁阀
关闭
开启
+
V
CC
集电极电压
t
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4 8
QW-R203-024,D
MJE13009
I
C
(A)
3
5
8
12
T
C
(℃)
25
100
25
100
25
100
25
100
t
sv
（纳秒）
770
1000
630
820
720
920
640
800
t
rv
（纳秒）
100
230
72
100
55
70
20
32
NPN硅晶体管
t
fi
（纳秒）
150
160
26
55
27
50
17
24
t
ti
（纳秒）
200
200
10
30
2
8
2
4
t
c
（纳秒）
240
320
100
180
77
120
41
54
表3.典型的感应开关性能
切换时间注意事项
在电阻开关电路，上升，下降，存储时间已经确定，并适用于当前和
电压
的波形，因为它们是同相的。但是，对于电感性负载中通用的开关模式电源
用品和锤驱动器，电流和电压波形不是同相的。因此，单独的测量
必须使每个波形以确定总的切换时间。出于这个原因，下面的新术语
已被定义。
t
sv
=电压贮存时间， 90 ％I
B1
到10 ％的V
CEM
t
rv
=电压上升时间， 10-90 ％V
CEM
t
fi
=电流下降时间， 90-10 ％I
CM
t
ti
=电流拖尾， 10-2 ％I
CM
t
c
=交叉时， 10 ％V
CEM
到10％我
CM
关断波形的放大部分示于图13中的这些术语的视觉识别来帮助。
对于设计者，存在在贮存期间时间最小的开关损耗和主要的开关功率损耗
发生交叉间隔期间，可使用来自AN- 222的标准方程获得：
P
SWT
= 1/2 V
CC
I
C
(t
c
) f
典型的电感式开关波形示于图14。一般来说，叔
rv
+ t
fi
≈
t
c
。然而，在较低的测试
电流这种关系可能是无效的。
为是与大多数的开关晶体管，电阻切换是在25指定
℃
并已成为一个
基准的设计师。然而，对于高频率变换器电路设计者，用户导向
该指标使之成为一个“开关模式”晶体管是电感式开关速度（T
c
和T
sv
），它们是
保证在100
℃
.
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5 8
QW-R203-024,D
MJE13009
100
50
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
T
C
= 25°C
dc
100
m
σ
14
10
m
σ
12
IC，收集器（ AMP ）
10
8
6
4
2
500
0
0
100
200
3V
300
1.5
400 V 500
600
700
800
V
BE （OFF）的
= 9 V
5V
T
C
≤
100°C
I
B1
= 2.5 A
1m
s
0.1
0.05
0.02
0.01
热限制
焊线LIMIT
二次击穿LIM-
曲线适用于低于额定
IT
V
首席执行官
5
7
20 30
200 300
10
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
CEV
，集电极 - 发射极钳位电压（伏）
图1.正向偏置安全工作区
图2.反向偏置安全开关
工作区
的安全工作区 - 图显示在图1和2中指定为示出在测试条件下，这些设备的评分。
1
0.8
第二突破性
DOWN降额
0.6
热
降额
0.4
0.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
C
，外壳温度（ ° C）
图3.正向偏压功率降额
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图1中的数据是基于T
C
= 25°C ;吨
J（下PK）
is
变量取决于功率电平。二次击穿
脉冲限制是有效的占空比以10％，但必须是
降级当T
C
≥
25_C 。二次击穿限制做
不减免一样的热限制。允许
当前在对图1所示的电压可以在以下网址找到
通过使用合适的曲线任何情况下温度
网络连接gure 3 。
T
J（下PK）
可以从数据计算在图4中在高
情况下，热限制将降低电源
可处理到值小于限制
通过二次击穿的罚款。使用反向偏置安全的
操作区域的数据（图2）中的应用进行了讨论
信息部分。
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
功率降额因子
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.25 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
5
10
20
50
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
吨，时间（ ms）的
图4.典型的热响应[Z
QJC
(t)]
http://onsemi.com
3
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MJE13009
开关模式系列NPN
广颖电
晶体管
描述
该
MJE13009
是专为高电压，高转速动力
开关电感电路中的下降时间是至关重要的。他们是
特别适用于115和220V开关模式的应用程序，例如
作为开关稳压器，逆变器，电机控制，电磁阀/继电器
司机和偏转电路。
NPN硅晶体管
特点
* V
首席执行官
400V和300 V
*反向偏置SOA与感性负载@ T
C
= 100℃
*感应开关矩阵3 12安培， 25和100 ℃
t
C
@ 8 A, 100
℃
是120纳秒（典型值） 。
* 700V的阻断能力
* SOA和交换应用信息。
订购信息
订购数量
无铅
无卤
MJE13009L-TA3-T
MJE13009G-TA3-T
MJE13009L-TF3-T
MJE13009G-TF3-T
MJE13009L-T3P-T
MJE13009G-T3P-T
包
TO-220
TO-220F
TO-3P
引脚分配
1
2
3
B
C
E
B
C
E
B
C
E
填料
管
管
管
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版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1 9
QW-R203-024,F
MJE13009
绝对最大额定值
(T
A
= 25℃)
NPN硅晶体管
参数
符号
评级
单位
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
400
V
集电极 - 发射极电压（V
BE
=-1.5V)
V
CEV
700
V
发射极电压
V
EBO
9
V
12
连续
I
C
A
集电极电流
峰值（注3 ）
I
CM
24
6
连续
I
B
A
基极电流
峰值（注3 ）
I
BM
12
18
连续
I
E
A
发射极电流
峰值（注3 ）
I
EM
36
TO-220
2
TO-220F
0.7
功耗
W
TO-3P
80
P
D
TO-220
16
TO-220F
减免上述25 °
毫瓦/ °
5.6
TO-3P
640
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比
≤
10%
2.绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
热数据
参数
结到环境
TO-220
TO-220F
TO-3P
TO-220
TO-220F
TO-3P
符号
θ
JA
评级
54
62.5
21
4
3.13
1.55
单位
℃/W
结到外壳
θ
JC
℃/W
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
参数
开关特性
（注）
集电极 - 发射耐受电压
收藏家Cuto FF电流
V
CBO
=额定值
发射Cuto FF电流
基本特征
（注）
直流电流增益
符号
V
首席执行官
I
CEV
I
EBO
h
FE1
h
FE 2
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
V
BE （OFF）的
= 1.5V
DC
V
BE （OFF）的
= 1.5V
DC
, T
C
= 100℃
V
EB
= 9V
DC
, I
C
= 0
I
C
= 5A ，V
CE
= 5V
I
C
= 8A ，V
CE
= 5V
I
C
= 5A ，我
B
= 1A
I
C
= 8A ，我
B
= 1.6A
I
C
= 12A ，我
B
= 3A
I
C
= 8A ，我
B
= 1.6A ，T
C
= 100℃
I
C
= 5A ，我
B
= 1A
I
C
= 8A ，我
B
= 1.6A
I
C
= 8A ，我
B
= 1.6A ，T
C
= 100℃
民
400
1
5
1
40
30
1
1.5
3
2
1.2
1.6
1.5
V
V
V
V
V
V
V
典型值
最大单位
V
mA
mA
电流发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
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2 9
QW-R203-024,F
MJE13009
电气特性（续）
NPN硅晶体管
参数
符号
测试条件
动态特性
跃迁频率
f
T
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OB
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f =为0.1MHz
开关特性
（阻性负载，表1）
延迟时间
t
DLY
V
CC
= 125VDC ，我
C
= 8A
上升时间
t
R
I
B1
= I
B2
= 1.6A ，T
P
= 25μs
贮存时间
t
S
占空比
≤1%
下降时间
t
F
感性负载时，钳位
（表1，图13）
电压存储时间
t
S
I
C
= 8A ，V
钳
= 300V ，我
B1
=1.6A
V
BE （OFF）的
= 5V ，T
C
= 100℃
交叉时间
t
C
注：脉冲测试：脉冲Wieth = 300μS ，占空比= 2 ％
民
4
典型值
最大单位
兆赫
pF
0.1
1
3
0.7
2.3
0.7
s
s
s
s
s
s
180
0.06
0.45
1.3
0.2
0.92
0.12
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 9
QW-R203-024,F
MJE13009
+5V
V
CC
1N4933
0.001
F
33
MJE210
L
MR826*
NPN硅晶体管
电阻开关
表1.测试条件为动态性能
反向偏置安全工作区以及电感式开关
测试电路
5V
P
W
占空比
≤
10%
t
R
, t
F
≤
10纳秒
1k
68
1k
+5V
1N4933
33 1N4933
2N2222
R
B
I
B
I
C
V
钳
*选择研究。 1千伏
V
CE
D.U.T.
2N2905
MJE200
51
5.1k
1k
0.02
F
注意：
P
W
和V
CC
调整所需的I
C
R
B
调整所需的I
B1
270
47
1/2W
100
-V
BE （OFF）的
电路值
线圈参数：
Ferroxcube公司核心＃ 6656
满管（ 16圈） ＃ 16
GAP为200μH / 20A
L
COIL
= 200μH
V
CC
= 20V
V
钳
= 300V
DC
V
CC
= 125V
R
C
= 15
D1 = 1N5820或E.T.模式。
R
B
=
+10V
25s
测试波形
0
-8V
t
R
, t
F
＆ LT ; 10纳秒
占空比= 1.0 ％
R
B
和R
C
调整
对于想要我
B
我
C
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4 9
QW-R203-024,F
MJE13009
电路
24A
NPN硅晶体管
LOAD单线图
TURN -ON （正向偏压） SOA
t
ON
≤
10毫秒
占空比
≤
10%
P
D
= 4000 W 2
350V
12A
开启
TURN -OFF （反向偏置） SOA
1.5 V
≤
V
BE （OFF）的
≤
9.0 V
占空比
≤
10%
表2.应用开关电路的例子
时序图
系列开关
调节器
T
C
= 100°C
V
CC
V
OUT
+
关闭
V
CC
400V 1
700V
1
集电极电压
呼入CHOKE
逆变器
24A
TURN -ON （正向偏压） SOA
t
ON
≤
10毫秒
占空比
≤
10%
P
D
= 4000 W 2
350V
TURN -OFF （反向偏置） SOA
1.5 V
≤
V
BE （OFF）的
≤
9.0 V
占空比
≤
10%
I
C
V
CC
N
V
OUT
T
C
= 100 C
12A
t
关闭
t
ON
V
CE
V
CC+
N（ V
O
)
V
CC
t
漏感尖峰
关闭
开启
+ V
CC
V
CC
+ N （V
OUT ）
推 - 拉
逆变器/转换器
400V 1
700V
1
t
集电极电压
V
OUT
V
CC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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5 9
QW-R203-024,F
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
MJE13009
图2外形尺寸（ unindicated公差： 0.10mm）的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
MJE13009
图2外形尺寸（ unindicated公差： 0.10mm）的
3
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
产品speci fi cation
SWITCHMODE系列NPN硅功率晶体管
MJE13009
描述
这些器件专为高
–
电压，高
–
高速功率开关电感电路
其中，下降时间是至关重要的。它们特别适用于115和220伏开关模式如
作为开关稳压器
’
S，逆变器，马达控制，应用电磁阀/继电器驱动器和
偏转电路。
O
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗在
马克斯。工作结温
l
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
价值
700
400
9
12.0
6.0
110
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
储存温度
TO-3PN
电气特性（TA = 25℃ ）
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压维持
直流电流增益
符号
测试条件
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
EB
= 9V ，我
C
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=5.0A
V
CE
= 5V ，我
C
=8.0A
I
C
=8.0A,I
B
=1.6A
I
C
=12.0A,I
B
=3.0A
基射极饱和电压
电流增益带宽积
贮存时间
分钟。
—
—
400
8
6
—
—
—
4
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.5
马克斯。
1.0
1.0
—
40
30
1.5
3.0
1.6
—
4
V
兆赫
us
V
单位
mA
mA
V
O
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE(1)
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
C
=8.0A,I
B
=1.6A
f
T
T
S
V
CE
=10V,I
C
=500mA
I
B1
=I
B2
= 1.6A吨
p
=25us
QQ：2880707522 复制
