半导体
技术参数
开关稳压器应用。
高压开关应用。
高速DC-DC转换器应用。
支架灯BALLASTOR应用。
特点
优秀
开关时间
S(最大) ,T
f
=0.9μ
S(最大) ,在我
C
=2A
: t
on
=0.8μ
高
集电极电压: V
CBO
=700V.
MJE13005F
三重扩散型NPN晶体管
最大额定值( TA = 25 ℃ )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC
集电极电流
脉冲
基极电流
集电极耗散功率
(Tc=25℃)
结温
存储温度范围
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
8
2
30
150
-55½150
A
W
℃
℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
700
400
9
4
A
单位
V
V
V
电气特性(Ta = 25℃)
特征
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE
(2)
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE
= 5V ,我
C
=2A
I
C
= 1A ,我
B
=0.2A
V
CE ( SAT )
I
C
= 2A ,我
B
=0.5A
I
C
= 4A ,我
B
=1A
I
C
= 1A ,我
B
=0.2A
基射极饱和电压
集电极输出电容
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
BE ( SAT )
I
C
= 2A ,我
B
=0.5A
C
ob
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
B1
I
B2
I
B1
=I
B2
=0.4A
占空比< 2 %
=
I
B2
符号
I
EBO
h
FE
(1)(注)
测试条件
V
EB
= 9V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1A
分钟。
-
18
10
-
-
-
-
-
-
4
产量
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
65
-
-
-
-
马克斯。
1
35
-
0.5
0.6
1
1.2
单位
mA
V
V
1.6
-
-
0.8
4
0.9
pF
兆赫
μ
S
μ
S
μ
S
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz ,我
E
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=0.5A
300S
62.5
输入
I
B1
-
-
-
V
CC
=125V
注:H
FE
Classification R:18½27, O:23½35
2008. 3. 26
版本号: 6
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