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深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
MJE系列晶体管
特点
应用
高电压能力
日光灯
高速开关
电子镇流器
MJE13003BR
范围的SOA
H
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
Tc=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
价值
600
400
9
1.0
20
150
-65-150
TO-126
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电子特性
特征
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
直流电流增益
Tc=25°C
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
首席执行官
V
EBO
VCEsat晶体管
VBEsat
h
FE
测试条件
V
CB
=600V
V
CE
=400V,I
B
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
=0.2A,I
B
=0.04A
I
C
=0.75A,I
B
=0.25A
I
C
=0.2A,I
B
=0.04A
V
CE
=5V,I
C
=1mA
V
CE
=10V,I
C
=0.1A
V
CE
=5V,I
C
=1A
7
10
5
1.5
3.5
S
1.0
40
400
9
0.30
0.50
1.2
民
最大
100
250
单位
A
A
V
V
V
V
贮存时间
下降时间
t
S
t
f
V
CC
=5V,
I
C
=0.25A,
(UI9600)
硅半导体
2005.12
1
深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
MJE系列晶体管
SOA （DC）的
120
100
MJE13003BR
%
H
10
IC （ A）
Pc
Tj
1
80
I
S / B
60
0.1
40
20
0
P合计
0.01
1
的hFE
10
100
的Vce （V）的
1000
0
50
100
150
TJ （
)
200
h
FE
- 集成电路
100
100
的hFE
h
FE
- 集成电路
Tj=125
Tj=25
Tj=125
Tj=25
10
TJ ？
40
10
TJ ？
40
Vce=1.5V
Vce=5V
1
0.01
0.1
1
IC （ A）
10
1
0.01
0.1
1
IC （ A）
10
10
VCES （ V）
h
FE
=5
VCES - IC
1.8
Tj=125
Tj=25
TJ ？
40
Vbes （ v）的
h
FE
=5
Vbes - IC
1.6
1.4
1.2
1
0.8
1
TJ ？
40
0.1
Tj=25
0.6
0.4
0.2
Tj=125
0.01
0.1
1
IC （ A）
0
0.1
1
10
IC （ A）
10
硅半导体
2005.12
2
深圳市思半导体有限公司。
产品speci fi cation
TO- 126机械数据
单位
符号
A
B
B1
b
c
D
E
e
民
2.3
1.0
0.8
0.65
0.45
10.5
7.2
2.29
喃
最大
2.8
1.2
1.0
0.88
0.60
11.1
7.8
符号
L
L1
P
P1
Q
Q1
R
3.6
0.9
0.5*
3.0
5.0
4.4
1.5
民
15.3
喃
mm
最大
16.5
2.54
3.2
硅半导体
2005.12
3
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MKW2035
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    MJE13003BRH
    -
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SI深爱
24+
898000
TO-92
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