MJD47/50
MJD47/50
高电压和高可靠性
D- PAK表面贴装应用
负载形成了表面贴装应用（没有后缀）
直铅（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门TIP47和TIP50
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 发射极电压
： MJD47
： MJD50
集电极 - 发射极电压
： MJD47
： MJD50
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
T
J
T
英镑
结温
储存温度
价值
350
500
250
400
5
1
2
0.6
15
1.56
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： MJD47
： MJD50
集电极截止电流
： MJD47
： MJD50
I
CES
集电极截止电流
： MJD47
： MJD50
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
CE
= 350, V
EB
= 0
V
CE
= 500, V
EB
= 0
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.3A
V
CE
= 10V ，我
C
= 1A
I
C
= 1A ，我
B
= 0.2A
V
CE
= 10A ，我
C
= 1A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.2A
10
30
10
0.1
0.1
1
150
1
1.5
V
V
兆赫
mA
mA
mA
V
CE
= 150V ，我
B
= 0
V
CE
= 300V ，我
B
= 0
0.2
0.2
mA
mA
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
250
400
马克斯。
单位
V
V
I
首席执行官
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2001仙童半导体公司
修订版A2 ， 2001年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
*表面装在最小焊盘尺寸时，建议。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
300
s,
占空比
2%.
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
DPAK对于表面贴装应用
高电压功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
专为线路供电的音频输出放大器，开关模式电源驱动器
等开关应用。
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
热特性
最大额定值
REV 1
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
（ VCE = 300伏， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ） MJD47
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
MJD50
热阻，结到环境*
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散* @ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
电类似于热门TIP47和TIP50
250和400 V （最小值） - VCEO （ SUS ）
1 A额定集电极电流
等级
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
MJD47
350
250
- 65至+ 150
1.56
0.0125
15
0.12
0.6
1
2
5
MJD50
500
400
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
NPN硅
功率晶体管
1安培
250 ， 400伏
15瓦
最小焊盘尺寸
推荐用于
表面贴装
应用
*摩托罗拉的首选设备
MJD47*
MJD50*
CASE 369A - 13
CASE 369-07
订购此文件
通过MJD47 / D
0.190
4.826
特征
符号
R
θJC
R
θJA
8.33
最大
80
_
C / W
_
C / W
单位
_
C
0.165
4.191
无铅焊接温度的目的
特征
v
MJD47
MJD50
v
TL
VCEO （ SUS）
符号
ICEO
民
250
400
—
—
260
最大
0.2
0.2
—
—
（续）
MADC
单位
VDC
英寸
mm
1
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.07
1.8
MJD47 MJD50
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性 - 续
电气特性 - 续
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
小信号电流增益
（ IC = 0.2 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益 - 带宽积
（ IC = 0.2 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 2兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 1 ADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 1 ADC ， IB = 0.2 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 0.3 ADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 1 ADC ， VCE = 10 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 350伏， VBE = 0 ）
（ VCE = 500伏， VBE = 0 ）
2
PD ，功耗（瓦）
0.5
1.5 15
TA TC
2.5 25
0
1 10
2 20
0
5
25
TC
50
图1.功率降额
TA （表面贴装）
v
300
s,
占空比
v
2%.
T，温度（ ° C）
75
特征
100
典型特征
125
150
VIN 0
VEB （关闭）
约
+11 V
开通脉冲
约
+11 V
VIN
MJD47
MJD50
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
图2.开关时间等效电路
t2
关断脉冲
t1
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
t3
t1
≤
7纳秒
10 < T2 < 500
s
T3 < 15纳秒
VCC
VIN
占空比
≈
2%
APPROX - 9 V
51
CJD << CEB
民
25
10
30
10
—
—
—
—
—
RB
RC
–4 V
最大
150
—
1.5
0.1
0.1
—
—
1
1
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
—
—
范围
RB和RC变化，以OBTAIN
所需的电流水平。
MJD47 MJD50
200
VCE = 10 V
100
的hFE ， DC电流增益
60
40
20
10
6
4
2
0.02
V，电压（V ）
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
1.4
1.2
1
VBE （星期六） @ IC / IB = 5 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.02
VBE （ ON） @ VCE = 24 V
TJ = 25°C
VCE （SAT） @ IC / IB = 5 V
0.1
0.2
0.4 0.6
0.04 0.06
IC ，集电极电流（ AMPS ）
1
2
0.2
0.4 0.6
0.04 0.06 0.1
IC ，集电极电流（ AMPS ）
1
2
图3.直流电流增益
图4. “开”电压
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 8.33 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图5.热响应
5
IC ，集电极电流（ AMP ）
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
5
第二击穿极限
热极限25°C
WIRE BOND LIMIT
MJD47
曲线适用BELOW
MJD50
额定VCEO
10
20
50
100
200 300
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
TC
≤
25°C
1毫秒
dc
500
s
100
s
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图6中的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 5.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图6.活动区安全工作区
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
*表面装在最小焊盘尺寸时，建议。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
300
s,
占空比
2%.
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
DPAK对于表面贴装应用
高电压功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
专为线路供电的音频输出放大器，开关模式电源驱动器
等开关应用。
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
热特性
最大额定值
REV 1
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 150伏， IB = 0 ）
（ VCE = 300伏， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ） MJD47
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
MJD50
热阻，结到环境*
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散* @ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
电类似于热门TIP47和TIP50
250和400 V （最小值） - VCEO （ SUS ）
1 A额定集电极电流
等级
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
MJD47
350
250
- 65至+ 150
1.56
0.0125
15
0.12
0.6
1
2
5
MJD50
500
400
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
NPN硅
功率晶体管
1安培
250 ， 400伏
15瓦
最小焊盘尺寸
推荐用于
表面贴装
应用
*摩托罗拉的首选设备
MJD47*
MJD50*
CASE 369A - 13
CASE 369-07
订购此文件
通过MJD47 / D
0.190
4.826
特征
符号
R
θJC
R
θJA
8.33
最大
80
_
C / W
_
C / W
单位
_
C
0.165
4.191
无铅焊接温度的目的
特征
v
MJD47
MJD50
v
TL
VCEO （ SUS）
符号
ICEO
民
250
400
—
—
260
最大
0.2
0.2
—
—
（续）
MADC
单位
VDC
英寸
mm
1
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.07
1.8
MJD47 MJD50
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性 - 续
电气特性 - 续
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
小信号电流增益
（ IC = 0.2 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益 - 带宽积
（ IC = 0.2 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 2兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 1 ADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 1 ADC ， IB = 0.2 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 0.3 ADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 1 ADC ， VCE = 10 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 350伏， VBE = 0 ）
（ VCE = 500伏， VBE = 0 ）
2
PD ，功耗（瓦）
0.5
1.5 15
TA TC
2.5 25
0
1 10
2 20
0
5
25
TC
50
图1.功率降额
TA （表面贴装）
v
300
s,
占空比
v
2%.
T，温度（ ° C）
75
特征
100
典型特征
125
150
VIN 0
VEB （关闭）
约
+11 V
开通脉冲
约
+11 V
VIN
MJD47
MJD50
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
图2.开关时间等效电路
t2
关断脉冲
t1
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
t3
t1
≤
7纳秒
10 < T2 < 500
s
T3 < 15纳秒
VCC
VIN
占空比
≈
2%
APPROX - 9 V
51
CJD << CEB
民
25
10
30
10
—
—
—
—
—
RB
RC
–4 V
最大
150
—
1.5
0.1
0.1
—
—
1
1
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
—
—
范围
RB和RC变化，以OBTAIN
所需的电流水平。
MJD47 MJD50
200
VCE = 10 V
100
的hFE ， DC电流增益
60
40
20
10
6
4
2
0.02
V，电压（V ）
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
1.4
1.2
1
VBE （星期六） @ IC / IB = 5 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.02
VBE （ ON） @ VCE = 24 V
TJ = 25°C
VCE （SAT） @ IC / IB = 5 V
0.1
0.2
0.4 0.6
0.04 0.06
IC ，集电极电流（ AMPS ）
1
2
0.2
0.4 0.6
0.04 0.06 0.1
IC ，集电极电流（ AMPS ）
1
2
图3.直流电流增益
图4. “开”电压
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θJC （T ）
= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 8.33 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图5.热响应
5
IC ，集电极电流（ AMP ）
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
5
第二击穿极限
热极限25°C
WIRE BOND LIMIT
MJD47
曲线适用BELOW
MJD50
额定VCEO
10
20
50
100
200 300
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
TC
≤
25°C
1毫秒
dc
500
s
100
s
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图6中的数据是基于T J （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 5.在高温度的情况下，热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图6.活动区安全工作区
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJD47/50
MJD47/50
高电压和高可靠性
D- PAK表面贴装应用
负载形成了表面贴装应用（没有后缀）
直铅（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门TIP47和TIP50
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 发射极电压
： MJD47
： MJD50
集电极 - 发射极电压
： MJD47
： MJD50
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
T
J
T
英镑
结温
储存温度
价值
350
500
250
400
5
1
2
0.6
15
1.56
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： MJD47
： MJD50
集电极截止电流
： MJD47
： MJD50
I
CES
集电极截止电流
： MJD47
： MJD50
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
CE
= 350, V
EB
= 0
V
CE
= 500, V
EB
= 0
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.3A
V
CE
= 10V ，我
C
= 1A
I
C
= 1A ，我
B
= 0.2A
V
CE
= 10A ，我
C
= 1A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.2A
10
30
10
0.1
0.1
1
150
1
1.5
V
V
兆赫
mA
mA
mA
V
CE
= 150V ，我
B
= 0
V
CE
= 300V ，我
B
= 0
0.2
0.2
mA
mA
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
250
400
马克斯。
单位
V
V
I
首席执行官
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2001仙童半导体公司
修订版A2 ， 2001年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
MJD47 ， MJD50
高压电源
晶体管
DPAK对于表面贴装应用
esignedforlineoperate daudiooutputamplifier ，
SWITCHMODE
t
电源驱动器等开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
铅形成在塑料套管表面贴装应用
（没有后缀）
电类似于热门TIP47和TIP50
250和400 V （最小值）
V
CEO （ SUS ）
1 A额定集电极电流
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
这些都是无铅封装
NPN硅功率
晶体管
1安培
250 ， 400伏， 15瓦
4
1 2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
MJD47
MJD50
MJD47
MJD50
符号
V
首席执行官
最大
250
400
350
500
5
1
2
0.6
15
0.12
1.56
0.0125
65
+150
单位
VDC
DPAK
CASE 369C
风格1
标记图
AYWW
JxxG
集电极 - 基极电压
V
CB
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
连续
PEAK
V
EB
I
C
I
B
P
D
VDC
ADC
MADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
A
Y
WW
JXX
G
=大会地点
=年
=工作周
=器件代码
XX = 47或50
= Pb-Free包装
P
D
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
T
J
, T
英镑
热特性
特征
热阻结到外壳
热阻结到环境
（注1 ）
无铅焊接温度的目的
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
8.33
80
260
单位
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘时
推荐大小。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年1月
启示录10
1
出版订单号：
MJD47/D
MJD47 ， MJD50
1
0.5
t
r
T， TIME （
μ
s)
t
d
T
J
= 25°C
V
CC
= 200 V
I
C
/I
B
= 5
5
t
s
2
1
0.5
t
f
T
J
= 25°C
V
CC
= 200 V
I
C
/I
B
= 5
T， TIME （
μ
s)
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
0.02
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1
2
0.05
0.1
0.2
0.5
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
1
2
图7.开启时间
图8.开启，关闭时间
订购信息
设备
MJD47G
MJD47T4G
MJD50G
MJD50T4G
包
369C
（无铅）
369C
（无铅）
369C
（无铅）
369C
（无铅）
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
MJD47 ， MJD50
包装尺寸
DPAK
CASE 369C -01
版本D
C
A
B
c2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：英寸。
3.热PAD等高可选WITHIN DI-
MENSIONS B3 ，L3和Z。
4.尺寸D和E不包括塑模
闪存，突起，或毛刺。模具
闪存，突起，或毛刺SHALL
不得超过0.006英寸每边。
5.尺寸D和E是在确定的
塑料机身最外层极端。
6.基准A和B是AT DATUM DETERMINED
平面H.
暗淡
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
E
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Z
英寸
民
最大
0.086 0.094
0.000 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.180 0.215
0.018 0.024
0.018 0.024
0.235 0.245
0.250 0.265
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.050
0.040
0.155
MILLIMETERS
民
最大
2.18
2.38
0.00
0.13
0.63
0.89
0.76
1.14
4.57
5.46
0.46
0.61
0.46
0.61
5.97
6.22
6.35
6.73
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40
1.78
2.74 REF
0.51 BSC
0.89
1.27
1.01
3.93
E
b3
L3
1
4
A
D
2
3
Z
细节A
H
L4
b2
e
b
0.005 (0.13)
M
c
C
L2
规
飞机
H
C
L
L1
细节A
座位
飞机
A1
旋转90 CW
5
焊接足迹*
6.20
0.244
3.0
0.118
风格1 ：
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
SWITCHMODE是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MJD47/D
MJD47/50
MJD47/50
高电压和高可靠性
D- PAK表面贴装应用
负载形成了表面贴装应用（没有后缀）
直铅（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门TIP47和TIP50
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 发射极电压
： MJD47
： MJD50
集电极 - 发射极电压
： MJD47
： MJD50
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
T
J
T
英镑
结温
储存温度
价值
350
500
250
400
5
1
2
0.6
15
1.56
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： MJD47
： MJD50
集电极截止电流
： MJD47
： MJD50
I
CES
集电极截止电流
： MJD47
： MJD50
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
CE
= 350, V
EB
= 0
V
CE
= 500, V
EB
= 0
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.3A
V
CE
= 10V ，我
C
= 1A
I
C
= 1A ，我
B
= 0.2A
V
CE
= 10A ，我
C
= 1A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.2A
10
30
10
0.1
0.1
1
150
1
1.5
V
V
兆赫
mA
mA
mA
V
CE
= 150V ，我
B
= 0
V
CE
= 300V ，我
B
= 0
0.2
0.2
mA
mA
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
250
400
马克斯。
单位
V
V
I
首席执行官
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2001仙童半导体公司
修订版A2 ， 2001年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
QQ：2880707522 复制
