MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
动态特性
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
开关时间
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
t
d
+ t
r
ns
300
135
ns
500
500
ns
140
100
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
C
cb
pF
45
130
兆赫
85
90
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
60
40
1
1.5
VDC
VDC
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
80
1.0
1.0
VDC
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
f
T
t
s
t
f
http://onsemi.com
2
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.05
0.02
0.01
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
D = 0.5
0.2
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 6.25 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图1.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.1
热极限@ T
C
= 25°C
WIRE BOND LIMIT
5毫秒
500
ms
dc
100
ms
1毫秒
0.05
0.02
1
50
5
7 10
20 30
3
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大正向偏置
安全工作区
T
A
T
C
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
2 20
T
C
1.5 15
1 10
T
A
表面
MOUNT
0.5
5
0
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
http://onsemi.com
3
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1000
V
CE
= 1 V
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
150°C
150°C
1000
V
CE
= 1 V
25°C
100
-40°C
25°C
100
-40°C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图4. MJD44H11直流电流增益
图5. MJD45H11直流电流增益
1000
V
CE
= 4 V
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
150°C
25°C
100
1000
V
CE
= 4 V
150°C
25°C
100
-40°C
-40°C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图6. MJD44H11直流电流增益
图7. MJD45H11直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
集电极 - 发射极饱和电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
0.1
-40°C
25°C
150°C
0.1
-40°C
25°C
150°C
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图8. MJD44H11饱和电压
V
CE （ SAT ）
图9. MJD45H11饱和电压
V
CE （ SAT ）
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4
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
基射极饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 10
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
150°C
0.5
0.4
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
25°C
-40°C
基射极饱和电压（ V）
1.2
1.2
I
C
/I
B
= 10
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
150°C
0.5
0.4
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
25°C
-40°C
图10. MJD44H11饱和电压
V
BE （ SAT ）
图11. MJD45H11饱和电压
V
BE （ SAT ）
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5
MJD45H11
MJD45H11
通用电源和开关这样的
作为输出或驱动器级的应用
D- PAK表面贴装应用
负载形成了表面贴装应用（没有后缀）
直导线（ I- PAK ： “ -I ”后缀）
电类似于热门MJE45H
快速开关速度
低集电极发射极饱和电压
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
参数
价值
- 80
-5
-8
- 16
20
1.75
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
参数
*集电极发射极耐受电压
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
电流增益带宽积
集电极电容
启动时间
贮存时间
下降时间
测试条件
I
C
= - 30mA时我
B
= 0
V
CE
= - 80V ，我
B
= 0
V
BE
= - 5V ，我
C
= 0
V
CE
= - 1V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 1V ，我
C
= - 4A
I
C
= - 8A ，我
B
= - 0.4A
I
C
= - 8A ，我
B
= - 0.8A
V
CE
= - 10A ，我
C
= - 0.5A
V
CB
= - 10V ， F = 1MHz的
I
C
= - 5A
I
B1
= - I
B2
= - 0.5A
40
230
135
500
100
60
40
-1
- 1.5
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
分钟。
- 80
典型值。
马克斯。
- 10
- 50
单位
V
A
A
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2003仙童半导体公司
修订版C2 ， 2003年7月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2003仙童半导体公司
I3版本
开关时间
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
特征
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
http://onsemi.com
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
d
+ t
r
I
EBO
I
CES
h
FE
C
cb
f
T
t
s
t
f
民
40
60
80
典型值
140
100
500
500
300
135
130
230
50
40
最大
1.5
50
10
1
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
pF
ns
ns
ns
2
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
订购信息
设备
MJD44H11
MJD44H11G
MJD44H11001
MJD44H11001G
MJD44H11RL
MJD44H11RLG
MJD44H11T4
MJD44H11T4G
MJD44H11T5
MJD44H11T5G
MJD45H11
MJD45H11G
MJD45H11001
MJD45H11001G
MJD45H11RL
MJD45H11RLG
MJD45H11T4
MJD45H11T4G
套餐类型
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
369C
DPAK
DPAK
（无铅）
2500磁带&卷轴
1800磁带&卷轴
369D
75单位/铁
369C
2500磁带&卷轴
1800磁带&卷轴
369D
369C
75单位/铁
包
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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3
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.05
0.02
0.01
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
D = 0.5
0.2
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 6.25 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图1.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.1
热极限@ T
C
= 25°C
WIRE BOND LIMIT
dc
5毫秒
500
ms
100
ms
1毫秒
0.05
0.02
1
3
5
7 10
20 30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大正向偏置
安全工作区
T
A
T
C
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
2 20
T
C
1.5 15
1 10
T
A
表面
MOUNT
0.5
0
5
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
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4
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1000
1000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
100
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
100
1V
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
V
CE
= 1 V
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图4. MJD44H11直流电流增益
图5. MJD45H11直流电流增益
1000
1000
T
J
= 125°C
25°C
40
°C
100
V
CE
= 1 V
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
25°C
100
40
°C
V
CE
= 1 V
10
的hFE ， DC电流增益
1
10
0.1
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图6. MJD44H11电流增益
与温度的关系
图7. MJD45H11电流增益
与温度的关系
1.2
饱和电压（伏）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
饱和电压（伏）
V
BE （ SAT ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
10
V
BE （ SAT ）
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图8. MJD44H11导通电压
图9. MJD45H11导通电压
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5
MJD44H11
MJD45H11
互补硅PNP晶体管
s
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPES
低集电极 - 发射极饱和
电压
开关速度快
表面贴装TO- 252 （ DPAK ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀"T4" ）
3
1
DPAK
TO-252
（后缀"T4" ）
应用
s
通用开关
s
通用扩增fi er
描述
该MJD44H11是硅multiepitaxial平面
装在塑料DPAK NPN晶体管
封装。
这是inteded各种开关和一般
各种类型的应用。
互补PNP类型是MJD45H11
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗在T
c
≤
25 C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
MJD44H11
MJD45H11
80
5
8
16
20
-55到150
150
单位
V
V
A
A
W
o
o
C
C
适用于PNP型的值intented负。
2003年5月
1/5
MJD44H11 / MJD45H11
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
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5/5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJD44H11 / D
互补发电
晶体管
MJD44H11 *
PNP
MJD45H11 *
*摩托罗拉的首选设备
NPN
DPAK对于表面贴装应用
。 。 。通用电源和开关如输出或驱动器级
应用，如开关稳压器，转换器和功率放大器。
铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅形成版16毫米磁带和卷轴的表面贴装（ “ T4 ”后缀）
电类似于热门D44H / D45H系列
低集电极发射极饱和电压 - VCE （SAT） = 1.0伏最大@ 8.0安培
快速开关速度
互补对简化设计
硅
功率晶体管
8安培
80伏
20瓦
0.243
6.172
0.063
1.6
英寸
mm
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
0.118
3.0
最大额定值
等级
符号
VCEO
VEB
IC
D44H11或D45H11
80
5
单位
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
PEAK
总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
8
16
PD
20
0.16
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
总功率耗散（ 1 ）
@ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
PD
1.75
0.014
工作和存储结
温度范围
TJ ， TSTG
- 55 150
CASE 369A - 13
CASE 369-07
_
C
最小焊盘尺寸
推荐用于
表面贴装
应用
0.190
4.826
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
单位
热阻，结到外壳
6.25
71.4
260
_
C / W
_
C / W
_
C
热阻，结到环境（ 1 ）
无铅焊接温度的
（ 1 ）这些额定值适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
0.07
1.8
0.165
4.191
1
MJD44H11 MJD45H11
开关时间
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
下降时间
（ IC = 5 ADC ， IB1 = IB2 = 0.5 ADC ）
贮存时间
（ IC = 5 ADC ， IB1 = IB2 = 0.5 ADC ）
延迟和上升时间
（ IC = 5 ADC ， IB1 = 0.5 ADC ）
增益带宽积
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 20兆赫）
集电极电容
（ VCB = 10 VDC ， FTEST = 1兆赫）
直流电流增益
（ VCE = 1伏， IC = 4 ADC）
直流电流增益
（ VCE = 1伏， IC = 2 ADC ）
基射极饱和电压
（ IC = 8 ADC ， IB = 0.8 ADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 8 ADC ， IB = 0.4 ADC ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 5 VDC ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCEO ， VBE = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 30 mA时， IB = 0 ）
2
特征
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
TD + TR
IEBO
冰
的hFE
建行
fT
ts
tf
民
40
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
140
100
500
500
300
135
130
230
50
40
—
—
—
—
—
—
—
最大
1.5
50
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
pF
ns
ns
ns
—
MJD44H11
MJD45H11
互补硅PNP晶体管
s
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
低集电极 - 发射极饱和
电压
开关速度快
应用
s
通用开关
s
通用扩增fi er
描述
该MJD44H11是硅multiepitaxial平面
安装在DPAK塑料NPN晶体管
封装。
这是inteded各种开关和一般
各种类型的应用。
互补PNP类型是MJD45H11 。
3
1
DPAK
(TO-252)
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
吨OT
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗在T
c
≤
25 C
储存温度
马克斯。操作摄像结温
o
价值
MJD44H11
MJD45H11
80
5
8
16
20
-55到150
150
UNI吨
V
V
A
A
W
o
o
C
C
适用于PNP型的值intented负。
1997年7月
1/5
MJD44H11 / MJD45H11
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
s
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
5/5
开关时间
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
特征
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
http://onsemi.com
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
d
+ t
r
I
EBO
I
CES
h
FE
C
cb
f
T
t
s
t
f
民
40
60
80
典型值
140
100
500
500
300
135
130
230
50
40
最大
1.5
50
10
1
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
pF
ns
ns
ns
2
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
订购信息
设备
MJD44H11
MJD44H11001
MJD44H11G
MJD44H11RL
MJD44H11T4
MJD44H11T4G
MJD44H11T5
MJD45H11
MJD45H11001
MJD45H11G
MJD45H11RL
MJD45H11T4
MJD45H11T4G
套餐类型
DPAK
DPAK3
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
DPAK3
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
DPAK
（无铅）
包
369C
369D
369C
369C
369C
369C
369C
369C
369D
369C
369C
369C
369C
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
1800磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
1800磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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3
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.05
0.02
0.01
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
D = 0.5
0.2
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 6.25 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图1.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.1
热极限@ T
C
= 25°C
WIRE BOND LIMIT
dc
5毫秒
500
ms
100
ms
1毫秒
0.05
0.02
1
5
7 10
20 30
3
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大正向偏置
安全工作区
T
A
T
C
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
2 20
T
C
1.5 15
1 10
T
A
表面
MOUNT
0.5
0
5
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
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4
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1000
1000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
100
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
100
1V
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
V
CE
= 1 V
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图4. MJD44H11直流电流增益
图5. MJD45H11直流电流增益
1000
1000
T
J
= 125°C
25°C
40
°C
100
V
CE
= 1 V
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
25°C
100
40
°C
V
CE
= 1 V
10
的hFE ， DC电流增益
1
10
0.1
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图6. MJD44H11电流增益
与温度的关系
图7. MJD45H11电流增益
与温度的关系
1.2
饱和电压（伏）
饱和电压（伏）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
10
V
BE （ SAT ）
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图8. MJD44H11导通电压
图9. MJD45H11导通电压
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5
QQ：2880707522 复制
