添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第927页 > MJD44H11RLG
MJD44H11 （ NPN ）
MJD45H11 （ PNP ）
互补发电
晶体管
DPAK对于表面贴装应用
专为通用电源和开关如输出或
驱动器级中的应用，如开关稳压器，转换器，
和功率放大器。
特点
http://onsemi.com
率先在塑料套管形成了表面贴装应用
（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
电类似于热门D44H / D45H系列
低集电极发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏最大@ 8.0安培
快速开关速度
互补对简化设计
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
这些都是无铅封装
硅
功率晶体管
8安培
80伏， 20瓦
记号
图表
4
1 2
AYWW
J4
xH11G
DPAK
CASE 369C
风格1
4
AYWW
J4
xH11G
2
3
DPAK3
CASE 369D
风格1
=
=
=
=
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
X = 4或5的
= Pb-Free包装
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
符号
V
首席执行官
V
EB
I
C
P
D
最大
80
5
8
16
20
0.16
1.75
0.014
55
+150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
A
Y
WW
J4xH11
G
1
总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
T
J
, T
英镑
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1 ）
无铅焊接温度的
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
6.25
71.4
260
单位
° C / W
° C / W
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘时
推荐大小。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年1月
启示录10
1
出版订单号：
MJD44H11/D
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
动态特性
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
开关时间
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
t
d
+ t
r
ns
300
135
ns
500
500
ns
140
100
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
C
cb
pF
45
130
兆赫
85
90
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
60
40
1
1.5
VDC
VDC
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
80
1.0
1.0
VDC
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
f
T
t
s
t
f
http://onsemi.com
2
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.05
0.02
0.01
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
D = 0.5
0.2
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 6.25 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图1.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.1
热极限@ T
C
= 25°C
WIRE BOND LIMIT
5毫秒
500
ms
dc
100
ms
1毫秒
0.05
0.02
1
50
5
7 10
20 30
3
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大正向偏置
安全工作区
T
A
T
C
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
2 20
T
C
1.5 15
1 10
T
A
表面
MOUNT
0.5
5
0
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
http://onsemi.com
3
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1000
V
CE
= 1 V
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
150°C
150°C
1000
V
CE
= 1 V
25°C
100
-40°C
25°C
100
-40°C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图4. MJD44H11直流电流增益
图5. MJD45H11直流电流增益
1000
V
CE
= 4 V
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
150°C
25°C
100
1000
V
CE
= 4 V
150°C
25°C
100
-40°C
-40°C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图6. MJD44H11直流电流增益
图7. MJD45H11直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
集电极 - 发射极饱和电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
0.1
-40°C
25°C
150°C
0.1
-40°C
25°C
150°C
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图8. MJD44H11饱和电压
V
CE （ SAT ）
图9. MJD45H11饱和电压
V
CE （ SAT ）
http://onsemi.com
4
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
基射极饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 10
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
150°C
0.5
0.4
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
25°C
-40°C
基射极饱和电压（ V）
1.2
1.2
I
C
/I
B
= 10
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
150°C
0.5
0.4
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
25°C
-40°C
图10. MJD44H11饱和电压
V
BE （ SAT ）
图11. MJD45H11饱和电压
V
BE （ SAT ）
http://onsemi.com
5
MJD44H11 （ NPN ）
MJD45H11 （ PNP ）
首选设备
互补发电
晶体管
DPAK对于表面贴装应用
http://onsemi.com
专为通用电源和开关如输出或
驱动器级中的应用，如开关稳压器，转换器，
和功率放大器。
特点
率先在塑料套管形成了表面贴装应用
（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
电类似于热门D44H / D45H系列
低集电极发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏最大@ 8.0安培
快速开关速度
互补对简化设计
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
无铅包可用
硅
功率晶体管
8安培
80伏， 20瓦
记号
图表
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
风格1
YWW
J4
xH11G
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
- 山顶
符号
V
首席执行官
V
EB
I
C
P
D
20
0.16
P
D
1.75
0.014
T
J
, T
英镑
-55到+150
最大
80
5
8
16
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
1
2
3
4
YWW
J4
xH11G
DPAK3
CASE 369D
风格1
总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
Y
WW
J4xH11
G
=年
=工作周
=器件代码
X = 4或5的
= Pb-Free包装
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1 ）
无铅焊接温度的
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
6.25
71.4
260
单位
° C / W
° C / W
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘时
推荐大小。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 启示录7
出版订单号：
MJD44H11/D
开关时间
动态特性
基本特征
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
特征
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
http://onsemi.com
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
MJD44H11
MJD45H11
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
d
+ t
r
I
EBO
I
CES
h
FE
C
cb
f
T
t
s
t
f
民
40
60
80
典型值
140
100
500
500
300
135
130
230
50
40
最大
1.5
50
10
1
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mA
pF
ns
ns
ns
2
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
订购信息
设备
MJD44H11
MJD44H11G
MJD44H11001
MJD44H11001G
MJD44H11RL
MJD44H11RLG
MJD44H11T4
MJD44H11T4G
MJD44H11T5
MJD44H11T5G
MJD45H11
MJD45H11G
MJD45H11001
MJD45H11001G
MJD45H11RL
MJD45H11RLG
MJD45H11T4
MJD45H11T4G
套餐类型
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
369C
DPAK
DPAK
（无铅）
2500磁带&卷轴
1800磁带&卷轴
369D
75单位/铁
369C
2500磁带&卷轴
1800磁带&卷轴
369D
369C
75单位/铁
包
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
3
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.05
0.02
0.01
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
D = 0.5
0.2
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 6.25 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图1.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.1
热极限@ T
C
= 25°C
WIRE BOND LIMIT
dc
5毫秒
500
ms
100
ms
1毫秒
0.05
0.02
1
3
5
7 10
20 30
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大正向偏置
安全工作区
T
A
T
C
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
2 20
T
C
1.5 15
1 10
T
A
表面
MOUNT
0.5
0
5
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
http://onsemi.com
4
MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）
1000
1000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
100
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
100
1V
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
V
CE
= 1 V
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
图4. MJD44H11直流电流增益
图5. MJD45H11直流电流增益
1000
1000
T
J
= 125°C
25°C
40
°C
100
V
CE
= 1 V
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 125°C
25°C
100
40
°C
V
CE
= 1 V
10
的hFE ， DC电流增益
1
10
0.1
10
0.1
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图6. MJD44H11电流增益
与温度的关系
图7. MJD45H11电流增益
与温度的关系
1.2
饱和电压（伏）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
饱和电压（伏）
V
BE （ SAT ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE （ SAT ）
10
V
BE （ SAT ）
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
10
1
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图8. MJD44H11导通电压
图9. MJD45H11导通电压
http://onsemi.com
5
MJD44H11,
NJVMJD44H11 （ NPN ）
MJD45H11,
NJVMJD45H11 （ PNP ）
互补发电
晶体管
DPAK对于表面贴装应用
专为通用电源和开关如输出或
驱动器级中的应用，如开关稳压器，转换器，
和功率放大器。
特点
http://onsemi.com
硅
功率晶体管
8安培
80伏， 20瓦
记号
图表
4
1 2
AYWW
J4
xH11G
DPAK
CASE 369C
风格1
4
AYWW
J4
xH11G
2
3
IPAK
CASE 369D
风格1
=
=
=
=
大会地点
YEAR
工作周
器件代码
X = 4或5的
= Pb-Free包装
率先在塑料套管形成了表面贴装应用
（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
电类似于热门D44H / D45H系列
低集电极发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏最大@ 8.0 A
快速开关速度
互补对简化设计
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
NJV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的，有能力PPAP
这些都是无铅封装*
3
1
A
Y
WW
J4xH11
G
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年8月
启示录14
1
出版订单号：
MJD44H11/D
MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
最大额定值
(T
A
= 25_C ，共同为NPN和PNP ，减号，“ - ” ，对于PNP省略，除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
符号
V
首席执行官
V
EB
I
C
P
D
最大
80
5
8
16
20
0.16
1.75
0.014
55
+150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（注1 ）
无铅焊接温度的
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
6.25
71.4
260
单位
° C / W
° C / W
°C
1.这些额定值，适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
http://onsemi.com
2
MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
电气特性
(T
A
= 25_C ，共同为NPN和PNP ，减号，“ - ” ，对于PNP省略，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
动态特性
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
C
cb
pF
45
130
兆赫
85
90
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
60
40
1
1.5
VDC
VDC
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
80
1.0
1.0
VDC
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20 MHz）的MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
开关时间
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
f
T
t
d
+ t
r
ns
300
135
ns
500
500
ns
140
100
t
s
t
f
http://onsemi.com
3
MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.05
0.02
0.01
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
D = 0.5
0.2
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 6.25 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图1.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.1
热极限@ T
C
= 25°C
WIRE BOND LIMIT
5毫秒
500
ms
dc
100
ms
1毫秒
0.05
0.02
1
50
5
7 10
20 30
3
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
70 100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图1.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图2.最大正向偏置
安全工作区
T
A
T
C
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
2 20
T
C
1.5 15
1 10
T
A
表面
MOUNT
0.5
5
0
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图3.功率降额
http://onsemi.com
4
MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
1000
V
CE
= 1 V
150°C
25°C
100
55°C
1000
V
CE
= 1 V
h
FE
，直流电流增益
150°C
25°C
100
55°C
h
FE
，直流电流增益
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图4. MJD44H11直流电流增益
1000
V
CE
= 4 V
h
FE
，直流电流增益
150°C
25°C
100
55°C
h
FE
，直流电流增益
1000
图5. MJD45H11直流电流增益
V
CE
= 4 V
150°C
25°C
100
55°C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图6. MJD44H11直流电流增益
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMIT饱和电压（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.01
0.1
1
25°C
55°C
IC / IB = 20
150°C
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMIT饱和电压（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.01
图7. MJD45H11直流电流增益
IC / IB = 20
55°C
25°C
150°C
10
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图8. MJD44H11饱和电压
V
CE （ SAT ）
图9. MJD45H11饱和电压
V
CE （ SAT ）
http://onsemi.com
5
查看更多MJD44H11RLGPDF信息
推荐型号
MI-P7ZP-MYW
M27C256B-60XN3X
MJD128T4G
MC100LVEL59DWR2G
M38510/08001BAA
MSS5131-184MLC
MC54HC240A
MI-P6ZR-IXZ
M24128-BRMN6/B
MI-QC6W2-IUY
MI-L6X-MU
MRS-2-6CSKGXRA
M74HCT241
M38020M7-XXXFS
MC1GU128NAFC-0QC00
MC10100FNR2
MMBZ5248B
MAX6474TA33AD1-T
MI-27M-MW
MC-4R64FKE6D
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MJD44H11RLG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
MJD44H11RLG
ON(安森美)
22+
11961
原装原厂公司现货
深圳市俊晖半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：421123133 复制

电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
MJD44H11RLG
ON(安森美)
24+
7800
TO-252-2(DPAK)
原装正品现货，可开增值税专用发票
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
MJD44H11RLG
ON/安森美
22+
12000
DPAK-4
原装现货超低价，可拆包
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
MJD44H11RLG
ON/安森美
2418+
4500
TO-252
正规报关原装现货系列订货技术支持
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MJD44H11RLG
ＯＮ
25+
7831
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23915992/23140719
联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
MJD44H11RLG
ON
24+
68500
TO-252
一级代理/放心采购
深圳市金亿泰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：247773782 复制

电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
MJD44H11RLG
ON/安森美
19+
10000
绝对全新原装/自己库存现货
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
MJD44H11RLG
ON
22+
10000
TO-252
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
深圳市翔哲科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：346072800 复制 点击这里给我发消息 QQ：735585398 复制

电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人：朱
地址：福田区振兴西路华康大厦2栋315室
MJD44H11RLG
ON(安森美)
23+
6500
TO-252-2(DPAK)
原装正品，价优
深圳市昭兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：575915585 复制

电话：0755-23991909
联系人：林裕忠
地址：深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
MJD44H11RLG
ON(安森美)
24+
8000
TO-252-2(DPAK)
全新原装正品，热卖价优
查询更多MJD44H11RLG供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！