【MJD44H11 （ NPN ）MJD45H11 （ PNP ）首选设备互补发电晶体管DPAK对于表】,IC型号MJD44H11RL,MJD44H11RL PDF资料,MJD44H11RL经销商,ic,电子元器件-51电子网

MJD44H11 （ NPN ）

MJD45H11 （ PNP ）

首选设备

互补发电

晶体管

DPAK对于表面贴装应用

http://onsemi.com

专为通用电源和开关如输出或

驱动器级中的应用，如开关稳压器，转换器，

和功率放大器。

特点

率先在塑料套管形成了表面贴装应用

（没有后缀）

直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）

电类似于热门D44H / D45H系列

低集电极发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 1.0伏最大@ 8.0安培

快速开关速度

互补对简化设计

环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125

ESD额定值：人体模型， 3B

u

8000 V

机器型号，C

u

400 V

无铅包可用

硅

功率晶体管

8安培

80伏， 20瓦

记号

图表

4

1 2

3

DPAK

CASE 369C

风格1

YWW

J4

xH11G

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 连续

- 山顶

符号

V

首席执行官

V

EB

I

C

P

D

20

0.16

P

D

1.75

0.014

T

J

, T

英镑

-55到+150

最大

80

5

8

16

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

W

W / ℃，

°C

1

2

3

4

YWW

J4

xH11G

DPAK3

CASE 369D

风格1

总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散（注1 ）

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

Y

WW

J4xH11

G

=年

=工作周

=器件代码

X = 4或5的

= Pb-Free包装

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

无铅焊接温度的

符号

R

QJC

R

qJA

T

L

最大

6.25

71.4

260

单位

° C / W

°C

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘时

推荐大小。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年1月 - 启示录7

出版订单号：

MJD44H11/D

开关时间

动态特性

基本特征

开关特性

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

下降时间

(I

C

= 5 ADC ，我

B1

= I

B2

= 0.5 ADC

贮存时间

(I

C

= 5 ADC ，我

B1

= I

B2

= 0.5 ADC）

延迟和上升时间

(I

C

= 5 ADC ，我

B1

= 0.5 ADC）

增益带宽积

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 20兆赫）

集电极电容

(V

CB

= 10 VDC ，女

TEST

= 1兆赫）

直流电流增益

(V

CE

= 1伏，我

C

= 4 ADC）

直流电流增益

(V

CE

= 1伏，我

C

= 2 ADC）

基射极饱和电压

(I

C

= 8 ADC ，我

B

= 0.8 ADC）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 8 ADC ，我

B

= 0.4 ADC）

发射Cuto FF电流

(V

EB

= 5 V直流）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

首席执行官

, V

BE

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压

(I

C

= 30 mA时，我

B

= 0)

特征

MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）

http://onsemi.com

MJD44H11

MJD45H11

MJD44H11

MJD45H11

MJD44H11

MJD45H11

MJD44H11

MJD45H11

MJD44H11

MJD45H11

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

t

d

+ t

r

I

EBO

I

CES

h

FE

C

cb

f

T

t

s

t

f

民

40

60

80

典型值

140

100

500

300

135

130

230

50

40

最大

1.5

50

10

1

兆赫

单位

VDC

mA

pF

ns

2

MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）

订购信息

设备

MJD44H11

MJD44H11G

MJD44H11001

MJD44H11001G

MJD44H11RL

MJD44H11RLG

MJD44H11T4

MJD44H11T4G

MJD44H11T5

MJD44H11T5G

MJD45H11

MJD45H11G

MJD45H11001

MJD45H11001G

MJD45H11RL

MJD45H11RLG

MJD45H11T4

MJD45H11T4G

套餐类型

DPAK

（无铅）

DPAK3

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK3

（无铅）

DPAK

（无铅）

369C

DPAK

（无铅）

2500磁带&卷轴

1800磁带&卷轴

369D

75单位/铁

369C

2500磁带&卷轴

1800磁带&卷轴

369D

369C

75单位/铁

包

航运

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

3

MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

单脉冲

0.05

0.02

0.01

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

D = 0.5

0.2

R

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 6.25 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

q

JC （T ）

P

（ PK）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1

2 3

5

吨，时间（ ms）的

10

20

30

50

100

200 300

500

1k

图1.热响应

20

IC ，集电极电流（ AMP ）

10

5

3

2

1

0.5

0.3

0.1

热极限@ T

C

= 25°C

WIRE BOND LIMIT

dc

5毫秒

500

ms

100

ms

1毫秒

0.05

0.02

1

3

5

7 10

20 30

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

70 100

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图2中的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

150_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图1.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图2.最大正向偏置

安全工作区

T

A

T

C

2.5 25

PD ，功耗（瓦）

2 20

T

C

1.5 15

1 10

T

A

表面

MOUNT

0.5

0

5

0

25

50

75

100

125

150

T，温度（ ° C）

图3.功率降额

http://onsemi.com

4

MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）

1000

的hFE ， DC电流增益

100

V

CE

= 4 V

V

CE

= 4 V

100

1V

T

J

= 25°C

T

J

= 25°C

V

CE

= 1 V

10

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图4. MJD44H11直流电流增益

图5. MJD45H11直流电流增益

1000

T

J

= 125°C

25°C

40

°C

100

V

CE

= 1 V

的hFE ， DC电流增益

T

J

= 125°C

25°C

100

40

°C

V

CE

= 1 V

10

的hFE ， DC电流增益

1

10

0.1

10

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图6. MJD44H11电流增益

与温度的关系

图7. MJD45H11电流增益

与温度的关系

1.2

饱和电压（伏）

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.1

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

V

CE （ SAT ）

饱和电压（伏）

V

BE （ SAT ）

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.1

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

V

CE （ SAT ）

10

V

BE （ SAT ）

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图8. MJD44H11导通电压

图9. MJD45H11导通电压

http://onsemi.com

5

MJD44H11 （ NPN ）

MJD45H11 （ PNP ）

首选设备

互补发电

晶体管

DPAK对于表面贴装应用

专为通用电源和开关如输出或

驱动器级中的应用，如开关稳压器，转换器，

和功率放大器。

特点

http://onsemi.com

无铅包可用

率先在塑料套管形成了表面贴装应用

（没有后缀）

直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）

铅16毫米磁带和卷轴的表面贴装形成版本

（ “ T4 ”后缀）

电类似于热门D44H / D45H系列

低集电极发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 1.0伏最大@ 8.0安培

快速开关速度

互补对简化设计

环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125

ESD额定值：人体模型， 3B

u

8000 V

机器型号，C

u

400 V

硅

功率晶体管

8安培

80伏

20瓦

记号

图表

4

1 2

3

DPAK

CASE 369C

风格1

YWW

J4

xH11

4

DPAK3

CASE 369D

风格1

2

3

Y

WW

x

=年

=工作周

= 4或5

YWW

J4

xH11

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

PEAK

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散* @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结温

范围

符号

V

首席执行官

V

EB

I

C

P

D

P

D

T

J

, T

英镑

最大

80

5

8

16

20

0.16

1.75

0.014

-55

+ 150

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

W

W / ℃，

°C

1

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

无铅焊接温度的

符号

R

QJC

R

qJA

T

L

最大

6.25

71.4

260

单位

° C / W

°C

*这些评价适用面安装在最小焊盘尺寸时，

推荐使用。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年8月 - 修订版6

出版订单号：

MJD44H11/D

开关时间

动态特性

基本特征

开关特性

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

下降时间

(I

C

= 5 ADC ，我

B1

= I

B2

= 0.5 ADC）

贮存时间

(I

C

= 5 ADC ，我

B1

= I

B2

= 0.5 ADC）

延迟和上升时间

(I

C

= 5 ADC ，我

B1

= 0.5 ADC）

增益带宽积

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 20兆赫）

集电极电容

(V

CB

= 10 VDC ，女

TEST

= 1兆赫）

直流电流增益

(V

CE

= 1伏，我

C

= 4 ADC）

直流电流增益

(V

CE

= 1伏，我

C

= 2 ADC）

基射极饱和电压

(I

C

= 8 ADC ，我

B

= 0.8 ADC）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 8 ADC ，我

B

= 0.4 ADC）

发射Cuto FF电流

(V

EB

= 5 V直流）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

=额定V

首席执行官

, V

BE

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压

(I

C

= 30 mA时，我

B

= 0)

特征

MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）

http://onsemi.com

MJD44H11

MJD45H11

MJD44H11

MJD45H11

MJD44H11

MJD45H11

MJD44H11

MJD45H11

MJD44H11

MJD45H11

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

t

d

+ t

r

I

EBO

I

CES

h

FE

C

cb

f

T

t

s

t

f

民

40

60

80

典型值

140

100

500

300

135

130

230

50

40

最大

1.5

50

10

1

兆赫

单位

VDC

mA

pF

ns

2

MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）

订购信息

设备

MJD44H11

MJD44H11001

MJD44H11G

MJD44H11RL

MJD44H11T4

MJD44H11T4G

MJD44H11T5

MJD45H11

MJD45H11001

MJD45H11G

MJD45H11RL

MJD45H11T4

MJD45H11T4G

套餐类型

DPAK

DPAK3

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

DPAK3

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

包

369C

369D

369C

369D

369C

航运

75单位/铁

1800磁带&卷轴

2500磁带&卷轴

75单位/铁

1800磁带&卷轴

2500磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

3

MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

单脉冲

0.05

0.02

0.01

R（T ），有效瞬态热

电阻（标准化）

D = 0.5

0.2

R

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 6.25 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

q

JC （T ）

P

（ PK）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1

2 3

5

吨，时间（ ms）的

10

20

30

50

100

200 300

500

1k

图1.热响应

20

IC ，集电极电流（ AMP ）

10

5

3

2

1

0.5

0.3

0.1

热极限@ T

C

= 25°C

WIRE BOND LIMIT

dc

5毫秒

500

ms

100

ms

1毫秒

0.05

0.02

1

5

7 10

20 30

3

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

70 100

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图2中的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

150_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图1.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图2.最大正向偏置

安全工作区

T

A

T

C

2.5 25

PD ，功耗（瓦）

2 20

T

C

1.5 15

1 10

T

A

表面

MOUNT

0.5

0

5

0

25

50

75

100

125

150

T，温度（ ° C）

图3.功率降额

http://onsemi.com

4

MJD44H11 （ NPN ） MJD45H11 （ PNP ）

1000

的hFE ， DC电流增益

100

V

CE

= 4 V

V

CE

= 4 V

100

1V

T

J

= 25°C

T

J

= 25°C

V

CE

= 1 V

10

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

图4. MJD44H11直流电流增益

图5. MJD45H11直流电流增益

1000

T

J

= 125°C

25°C

40

°C

100

V

CE

= 1 V

的hFE ， DC电流增益

T

J

= 125°C

25°C

100

40

°C

V

CE

= 1 V

10

的hFE ， DC电流增益

1

10

0.1

10

0.1

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图6. MJD44H11电流增益

与温度的关系

图7. MJD45H11电流增益

与温度的关系

1.2

饱和电压（伏）

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.1

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.1

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

V

CE （ SAT ）

10

V

BE （ SAT ）

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

10

1

I

C

，集电极电流（ AMPS ）

图8. MJD44H11导通电压

图9. MJD45H11导通电压

http://onsemi.com

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