2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
动态特性
基本特征
（注2 ）
开关特性
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
订购信息
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 100伏，V
EB
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
MJD42CT4G
MJD42CT4
MJD42CRLG
MJD42CRL
MJD42C1G
MJD42C1
MJD42CG
MJD42C
MJD41CT4G
MJD41CT4
MJD41CRLG
MJD41CRL
小信号电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益 - 带宽积（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 6 ADC ，V
CE
= 4伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 6 ADC ，我
B
= 600 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 0.3 ADC ，V
CE
= 4伏）
(I
C
= 3的ADC ，V
CE
= 4伏）
设备
特征
MJD41C （ NPN ） MJD42C （ PNP ）
套餐类型
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
DPAK3
（无铅）
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
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包
369C
369D
369C
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
h
FE
h
fe
f
T
2500 /磁带&卷轴
1800 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
1800 /磁带&卷轴
75单位/铁
民
100
20
30
15
3
航运
最大
1.5
0.5
75
10
50
2
2
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
MJD41C （ NPN ） MJD42C （ PNP ）
典型特征
T
A
2.5
PD ，功耗（瓦）
T
C
25
V
CC
+30 V
R
C
R
B
D
1
4 V
范围
2
20
+11 V
0
9 V
25
ms
1.5
15
T
C
T
A
表面贴装
51
1
10
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
0.5
0
5
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
MSB5300上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
REVERSE ALL FOR极性PNP 。
图1.功率降额
图2.开关时间测试电路
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7
5
0.06
V
CE
= 2 V
T
J
= 150°C
T， TIME （
μ
s)
25°C
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.06 0.1
t
r
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
55
°C
t
d
@ V
BE （OFF）的
≈
5 V
0.1
0.2
0.3 0.4
0.6
1
2
4
6
0.2
0.4
0.6
1
2
4
6
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图3.直流电流增益
2
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
5
3
2
图4.开启时间
t
s
1.2
T， TIME （
μ
s)
1
0.7
0.5
0.3
0.2
t
f
0.1
0.07
0.05
0.06 0.1
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
0.8
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 4 V
0.4
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.1
0.2 0.3 0.4
0.6
1
2
3
4
6
0
0.06
I
C
，集电极电流（ AMP ）
0.2
0.4 0.6
1
2
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4
6
图5.为“ON”电压
图6.开启，关闭时间
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3
MJD41C （ NPN ） MJD42C （ PNP ）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2
T
J
= 25°C
1.6
I
C
= 1 A
1.2
2.5 A
5A
C，电容（pF ）
200
C
ib
100
70
50
C
ob
300
T
J
= 25°C
0.8
0.4
0
10
20
30
50
100
200 300
I
B
，基极电流（毫安）
500
1000
30
0.5
1
3
10
2
5
20
V
R
，反向电压（伏）
30
50
图7.集电极饱和区
图8.电容
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 6.25 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图9.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5
3
2
1
0.5
0.3
0.1
500
ms
dc
5毫秒
WIRE BOND LIMIT
热限制
第二击穿极限
曲线适用于低于额定V
首席执行官
T
C
= 25°C单脉冲
T
J
= 150°C
1
100
ms
1毫秒
0.05
0.03
0.01
MJD41C ， 42C
2
3
5 7 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图10的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比以10％以下
T
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图9.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图10.最大正向偏置
安全工作区
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4
MJD41C （ NPN ） MJD42C （ PNP ）
包装尺寸
DPAK
CASE 369C
发行
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
0.035 0.050
0.155
MILLIMETERS
民
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
0.89
1.27
3.93
T
B
V
R
4
座位
飞机
C
E
A
S
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
G
2 PL
J
H
0.13 (0.005)
T
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
M
风格1 ：
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
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