SMD型
MJD31,MJD31C(NPN)
MJD32,MJD32C(PNP)
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极维持电压MJD31 ， MJD32
MJD31C,MJD32C
收藏家Cuto FF电流
MJD31,MJD32
MJD31C,MJD32C
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
电流增益带宽积* 2
小信号电流增益
* 1脉冲测试：脉冲宽度
*2 f
T
= h
fe
f
TEST
300微秒，占空比
2.0%.
I
CES
I
EBO
h
FE
I
首席执行官
V
CE
= 40 V，I
B
= 0
V
CE
= 60 V，I
B
= 0
V
CE
=额定V
首席执行官
,V
EB
= 0
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 1 A，V
CE
= 4 V
I
C
= 3 A，V
CE
= 4 V
V
CE（
SAT ）I
C
= 3 A，I
B
= 375毫安
V
BE （上
) I
C
= 3 A，V
CE
= 4 V
f
T
h
fe
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V，F
TEST
= 1兆赫
I
C
= 0.5 A ，V
CE
= 10 V ， F = 1千赫
符号
Testconditons
晶体管
民
40
100
典型值
最大
单位
V
V
V
CEO （ SUS ）
I
C
= 30 mA时，我
B
= 0
50
50
20
1
25
10
50
1.2
1.8
3
20
ìA
ìA
ìA
mA
V
V
兆赫
h
FE
分类
TYPE
记号
MJD31
J31
MJD31C
J31C
MJD32
J32
MJD32C
J32C
2
www.kexin.com.cn
MJD31 ， MJD31C （ NPN ）
MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
互补发电
晶体管
DPAK对于表面贴装应用
专为通用放大器和低速切换
应用程序。
特点
http://onsemi.com
铅形成在塑料套管表面贴装应用
直引线型的塑料套管（ “1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
电类似于热门TIP31和TIP32系列
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
这些都是无铅封装
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
集电极 - 基极电压
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EB
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
CB
符号
V
首席执行官
最大
40
100
40
100
5
3
5
1
15
0.12
1.56
0.012
65
to
+ 150
单位
VDC
1 2
硅
功率晶体管
3安培
40和100伏
15瓦
记号
图表
4
3
4
DPAK
CASE 369C
风格1
AYWW
J3xxG
VDC
1
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
2
DPAK3
CASE 369D
风格1
3
A
Y
WW
xx
G
YWW
J3xxG
=站点代码
=年
=工作周
= 1 ，1C ，2或2C
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
无铅焊接温度的目的
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
8.3
80
260
单位
° C / W
° C / W
°C
*这些评价适用面安装在最小焊盘尺寸时，
推荐使用。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年2月
启8
1
出版订单号：
MJD31/D
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
2. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
EB
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
小信号电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益
带宽积（注2 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 3的ADC ，V
CE
= 4伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3的ADC，我
B
= 375 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 4伏）
(I
C
= 3的ADC ，V
CE
= 4伏）
MJD31 ， MJD31C （ NPN ） ， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
特征
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
http://onsemi.com
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
冰
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
fe
f
T
民
40
100
20
25
10
3
最大
1.8
1.2
20
50
50
1
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
2
MJD31 ， MJD31C （ NPN ） ， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
典型特征
T
A
T
C
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
25
ms
+11 V
0
1.5 15
T
A
（表面贴装）
T
C
-9 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
51
-4 V
D
1
R
B
V
CC
+ 30 V
R
C
范围
2 20
1 10
0.5
5
0
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
REVERSE ALL FOR极性PNP 。
图1.功率降额
图2.开关时间测试电路
2
1
0.7
0.5
T， TIME （
μ
s)
0.3
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
3
2
t
s
′
1
T， TIME （
μ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
t
f
@ V
CC
= 10 V
t
f
@ V
CC
= 30 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
t
s
′
= t
s
- 1/8 t
f
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 10 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 2 V
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7
1
1
2
3
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图3.开启时间
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
图4.开启，关闭时间
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 8.33 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图5.热响应
http://onsemi.com
3
MJD31 ， MJD31C （ NPN ） ， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
典型特征
MJD31 ， MJD31C （ NPN ）
1000
150°C
h
FE
，直流电流增益
V
CE
= 4 V
1000
150°C
h
FE
，直流电流增益
V
CE
= 2 V
100
25°C
55°C
100
25°C
55°C
10
10
1
0.01
0.1
1
10
1
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图6.直流电流增益在V
CE
= 4 V
0.6
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMITT饱和
电压（V）的
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.001
25°C
55°C
0.01
0.1
1
150°C
V
BE （ SAT ）
， BASE- EMITT饱和电压（ V）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
图7.直流电流增益在V
CE
= 2 V
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 10
55°C
25°C
150°C
10
I
C
，集电极电流（ A）
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
10
图8.集电极 - 发射极饱和电压
V
BE（上）
，基极发射极电压（ V）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
0.01
0.1
1
150°C
55°C
25°C
2
1.6
1.2
0.8
0.4
图9.基射极饱和电压
V
CE
= 5 V
T
A
=
25°C
百毫安
500毫安
I
C
= 3 A
1A
10
10毫安
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（ A）
I
B
，基极电流（毫安）
图10.基射极“开”电压
图11.集电极饱和区
http://onsemi.com
4
MJD31 ， MJD31C （ NPN ） ， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
典型特征
MJD31 ， MJD31C （ NPN ）
1000
100
f
T
，电流增益
带宽
产品（兆赫）
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
C
ib
C，电容（pF ）
100
C
ob
10
10
1
0.1
1
10
V
R
，反向电压（V）的
100
1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
10
图12.电容
10
I
C
，集电极电流（ A）
图13.电流增益带宽积
1
0.1
0.01
1
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
100
图14.安全工作区
http://onsemi.com
5
MJD31 ， MJD31C （ NPN ）
MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
MJD31C和MJD32C的首选设备
互补发电
晶体管
DPAK对于表面贴装应用
专为通用放大器和低速切换
应用程序。
特点
http://onsemi.com
铅形成在塑料套管表面贴装应用
直引线型的塑料套管（ “1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
电类似于热门TIP31和TIP32系列
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
集电极 - 基极电压
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EB
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
CB
40
100
5
3
5
1
15
0.12
1.56
0.012
-65
+ 150
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
W
W / ℃，
°C
符号
V
首席执行官
40
100
VDC
1
2
3
最大
单位
VDC
1 2
3
硅
功率晶体管
3安培
40和100伏
15瓦
记号
图表
4
DPAK
CASE 369C
风格1
YWW
J3xxG
4
DPAK3
CASE 369D
风格1
YWW
J3xxG
Y
WW
xx
G
=年
=工作周
= 1 ，1C ，2或2C
= Pb-Free包装
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
无铅焊接温度的目的
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
8.3
80
260
单位
° C / W
° C / W
°C
*这些评价适用面安装在最小焊盘尺寸时，
推荐使用。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年6月 - 修订版6
出版订单号：
MJD31/D
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
2. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
EB
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
小信号电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益 - 带宽积（注2 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 3的ADC ，V
CE
= 4伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3的ADC，我
B
= 375 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 1 ADC ，V
CE
= 4伏）
(I
C
= 3的ADC ，V
CE
= 4伏）
MJD31 ， MJD31C （ NPN ） ， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
特征
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
http://onsemi.com
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
冰
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
fe
f
T
民
40
100
20
25
10
3
最大
1.8
1.2
20
50
50
1
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
2
MJD31 ， MJD31C （ NPN ） ， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
典型特征
T
A
T
C
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
25
ms
+11 V
0
1.5 15
T
A
（表面贴装）
T
C
9 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
51
4 V
D
1
R
B
V
CC
+30 V
R
C
范围
2 20
1 10
0.5
5
0
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
REVERSE ALL FOR极性PNP 。
图1.功率降额
图2.开关时间测试电路
500
300
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 150°C
25°C
T， TIME （
μ
s)
55
°C
V
CE
= 2 V
2
1
0.7
0.5
0.3
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
100
70
50
30
t
r
@ V
CC
= 10 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 2 V
10
7
5
0.03
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5
0.7
1
3
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7
1
3
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图3.直流电流增益
图4.开启时间
1.4
1.2
V，电压（V ）
1
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 2 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
T， TIME （
μ
s)
T
J
= 25°C
3
2
t
s
′
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
t
f
@ V
CC
= 10 V
t
f
@ V
CC
= 30 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
t
s
′
= t
s
1/8 t
f
T
J
= 25°C
0
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
1
2
3
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图5.为“ON”电压
图6.开启，关闭时间
http://onsemi.com
3
MJD31 ， MJD31C （ NPN ） ， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2
T
J
= 25°C
1.6
I
C
= 0.3 A
1A
3A
电容（pF）
200
300
T
J
= +25°C
1.2
100
C
eb
70
50
C
cb
0.8
0.4
0
1
2
5
10
20
50
100
I
B
，基极电流（毫安）
200
500
1000
30
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
10
V
R
，反向电压（伏）
20 30 40
图7.集电极饱和区
图8.电容
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 8.33 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图9.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
dc
WIRE BOND LIMIT
热限制
第二击穿极限
曲线适用于低于额定V
首席执行官
T
C
= 25°C单脉冲
T
J
= 150°C
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
3
5 7 10
20 30
50 70 100 150
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
ms
500
ms
1毫秒
0.05
0.03
0.02
0.01
1.5 2
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图10的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图9.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图10.活动区的安全工作区
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4
MJD31 ， MJD31C （ NPN ） ， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
订购信息
设备
MJD31C
MJD31CG
MJD31C1
MJD31C1G
MJD31CRL
MJD31CRLG
MJD31CT4
MJD31CT4G
MJD31T4
MJD31T4G
MJD32C
MJD32CG
MJD32C1
MJD32C1G
MJD32CRL
MJD32CRLG
MJD32CT4
MJD32CT4G
MJD32RL
MJD32RLG
MJD32T4
MJD32T4G
套餐类型
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
包
369C
369C
369D
369D
369C
369C
369C
369C
369C
369C
369C
369C
369D
369D
369C
369C
369C
369C
369C
369C
369C
369C
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
1800磁带&卷轴
1800磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
1800磁带&卷轴
1800磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
1800磁带&卷轴
1800磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
*这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
DPAK对于表面贴装应用
互补发电
晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
无铅焊接温度的目的
热阻，结到环境*
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散* @ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
专为通用放大器和低速开关应用。
铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
电类似于热门TIP31和TIP32系列
特征
等级
符号
符号
TJ ， TSTG
VCEO
R
θJC
R
θJA
VCB
VEB
PD
PD
TL
IC
IB
MJD31
MJD32
40
40
- 65至+ 150
1.56
0.012
最大
15
0.12
260
8.3
80
1
3
5
5
MJD31C
MJD32C
100
100
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
硅
功率晶体管
3安培
40和100伏
15瓦
最小焊盘尺寸
推荐用于
表面贴装
应用
MJD31,C*
PNP
MJD32,C*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 369A - 13
CASE 369-07
订购此文件
通过MJD31 / D
NPN
英寸
mm
1
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.07
1.8
0.165
4.191
0.190
4.826
MJD31 ，C MJD32 ，C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCEO ， VEB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
小信号电流增益
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 3的ADC， VCE = 4伏）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3的ADC， IB = 375 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 1 ADC ， VCE = 4伏）
（ IC = 3的ADC， VCE = 4伏）
2
v
300
s,
占空比
v
2%.
特征
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
民
40
100
20
25
10
—
—
—
—
—
3
最大
1.8
1.2
20
50
—
50
—
—
—
—
1
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
MJD31 ，C MJD32 ，C
典型特征
TA TC
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
25
s
2 20
+11 V
0
1.5 15
TA （表面贴装）
TC
–9 V
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
51
–4 V
D1
RB
VCC
+ 30 V
RC
范围
1 10
0.5
5
0
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
REVERSE ALL FOR极性PNP 。
图1.功率降额
图2.开关时间测试电路
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
T， TIME （
s)
– 55°C
VCE = 2 V
2
1
0.7
0.5
0.3
TR @ VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
100
70
50
30
TR @ VCC = 10 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
TD @ VBE （关闭） = 2 V
10
7
5
0.03
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5
0.7
1
3
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7
1
3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图3.直流电流增益
图4.开启时间
1.4
1.2
V，电压（V ）
1
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 2 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
T， TIME （
s)
TJ = 25°C
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
TF @ VCC = 10 V
TF @ VCC = 30 V
ts
′
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
′
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
0
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
0.3
0.5 0.7
1
2
3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图5.为“ON”电压
图6.开启，关闭时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
*这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
DPAK对于表面贴装应用
互补发电
晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
无铅焊接温度的目的
热阻，结到环境*
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散* @ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
专为通用放大器和低速开关应用。
铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
电类似于热门TIP31和TIP32系列
特征
等级
符号
符号
TJ ， TSTG
VCEO
R
θJC
R
θJA
VCB
VEB
PD
PD
TL
IC
IB
MJD31
MJD32
40
40
- 65至+ 150
1.56
0.012
最大
15
0.12
260
8.3
80
1
3
5
5
MJD31C
MJD32C
100
100
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
_
C / W
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
硅
功率晶体管
3安培
40和100伏
15瓦
最小焊盘尺寸
推荐用于
表面贴装
应用
MJD31,C*
PNP
MJD32,C*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 369A - 13
CASE 369-07
订购此文件
通过MJD31 / D
NPN
英寸
mm
1
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.07
1.8
0.165
4.191
0.190
4.826
MJD31 ，C MJD32 ，C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCEO ， VEB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
小信号电流增益
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 3的ADC， VCE = 4伏）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3的ADC， IB = 375 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 1 ADC ， VCE = 4伏）
（ IC = 3的ADC， VCE = 4伏）
2
v
300
s,
占空比
v
2%.
特征
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
民
40
100
20
25
10
—
—
—
—
—
3
最大
1.8
1.2
20
50
—
50
—
—
—
—
1
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
MJD31 ，C MJD32 ，C
典型特征
TA TC
2.5 25
PD ，功耗（瓦）
25
s
2 20
+11 V
0
1.5 15
TA （表面贴装）
TC
–9 V
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
51
–4 V
D1
RB
VCC
+ 30 V
RC
范围
1 10
0.5
5
0
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
REVERSE ALL FOR极性PNP 。
图1.功率降额
图2.开关时间测试电路
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
T， TIME （
s)
– 55°C
VCE = 2 V
2
1
0.7
0.5
0.3
TR @ VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
100
70
50
30
TR @ VCC = 10 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
TD @ VBE （关闭） = 2 V
10
7
5
0.03
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5
0.7
1
3
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7
1
3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图3.直流电流增益
图4.开启时间
1.4
1.2
V，电压（V ）
1
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 2 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
T， TIME （
s)
TJ = 25°C
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
TF @ VCC = 10 V
TF @ VCC = 30 V
ts
′
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
′
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
0
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
0.3
0.5 0.7
1
2
3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图5.为“ON”电压
图6.开启，关闭时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJD31/31C
MJD31/31C
通用扩增fi er
低速切换应用程序
负载形成了表面贴装应用（没有后缀）
直铅（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门TIP31和TIP31C
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： MJD31
： MJD31C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： MJDH31
： MJD31C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
T
J
T
英镑
结温
储存温度
40
100
40
100
5
3
1
1
15
1.56
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
参数
价值
单位
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： MJD31
： MJD31C
集电极截止电流
： MJD31
： MJD31C
I
CES
集电极截止电流
： MJD31
： MJD31C
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
电流增益带宽积
V
CE
= 40V, V
BE
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 0
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
I
C
= 3A ，我
B
= 375毫安
V
CE
= 4A ，我
C
= 3A
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
3
25
10
20
20
1
50
1.2
1.8
V
V
兆赫
A
A
mA
V
CE
= 40V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
50
50
A
A
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
40
100
马克斯。
单位
V
V
I
首席执行官
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2001仙童半导体公司
修订版A2 ， 2001年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
MJD31B/31C
MJD32B/32C
互补硅功率晶体管
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPES
表面贴装TO- 252 （ DPAK ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP31B / C和
TIP32B/C
3
1
应用
s
通用开关和
放大器晶体管
描述
该MJD31B和MJD31C和MJD32B和
MJD32C形式互补NPN -PNP配对。
他们使用的是制作的外延基地
技术，经济高效的性能。
DPAK
TO-252
（后缀“ T4 ” ）
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
吨OT
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
c
= 25 C
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
价值
MJD31B
MJD32B
80
80
5
3
5
1
15
-65到150
150
MJD31C
MJD32C
100
100
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
适用于PNP型的值intented负。
1999年5月
1/5
MJD31B / 31C - MJD32B / 32C
热数据
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
8.33
100
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
SYMB OL
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
参数
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
集电极截止
电流（I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极
饱和电压
基Emitt器电压
直流电流增益
动态电流摹泉
测试电导率银行足球比赛s
V
CE
=最大额定值
V
CE
= 60 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
为
MJD31B/32B
为
MJD31C/32C
I
C
= 3 A
I
C
= 3 A
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
I
B
= 375毫安
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
10
20
3
分钟。
典型值。
马克斯。
20
50
0.1
取消它
A
A
mA
80
100
1.2
1.8
50
V
V
V
V
V
CE （SAT）
V
BE（上）
h
F ê
h
fe
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2 %
为PNP型的电压和电流值是负的。
安全工作区
降额曲线
2/5
MJD31B / 31C - MJD32B / 32C
直流电流增益（ NPN型）
直流电流增益（ PNP型）
集电极 - 发射极饱和电压（ NPN型）
集电极 - 发射极饱和电压（ PNP型）
基射极饱和电压（ NPN型）
集电极 - 基极电容（ PNP型）
3/5
MJD31B / 31C - MJD32B / 32C
TO- 252 （ DPAK ）机械数据
mm
分钟。
A
A1
A2
B
B2
C
C2
D
E
G
H
L2
L4
V2
0.60
0
o
2.20
0.90
0.03
0.64
5.20
0.45
0.48
6.00
6.40
4.40
9.35
0.8
1.00
8
o
0.024
0
o
典型值。
马克斯。
2.40
1.10
0.23
0.90
5.40
0.60
0.60
6.20
6.60
4.60
10.10
分钟。
0.087
0.035
0.001
0.025
0.204
0.018
0.019
0.236
0.252
0.173
0.368
0.031
0.039
0
o
寸
典型值。
马克斯。
0.094
0.043
0.009
0.035
0.213
0.024
0.024
0.244
0.260
0.181
0.398
DIM 。
P032P_B
4/5
MJD31B / 31C - MJD32B / 32C
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
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ST的标志是意法半导体公司的商标。
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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MJD31C / D
互补发电
晶体管
MJD31C
PNP
MJD32C
摩托罗拉的首选设备
NPN
DPAK对于表面贴装应用
专为通用放大器和低速开关应用。
铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
电类似于热门TIP31和TIP32系列
硅
功率晶体管
3安培
100伏
15瓦
CASE 369A - 13
0.243
6.172
最大额定值
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
最大
100
100
5
3
5
1
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
PD
PD
15
0.12
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
总功率耗散* @ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
1.56
0.012
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
CASE 369-07
最小焊盘尺寸
推荐用于
表面贴装
应用
0.190
4.826
_
C
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
8.3
80
单位
热阻，结到外壳
_
C / W
_
C / W
_
C
热阻，结到环境*
无铅焊接温度的目的
260
*这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
0.063
1.6
英寸
mm
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉公司1998年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
0.118
3.0
0.07
1.8
0.165
4.191
1
MJD31C MJD32C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCEO ， VEB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
小信号电流增益
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 3的ADC， VCE = 4伏）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3的ADC， IB = 375 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 1 ADC ， VCE = 4伏）
（ IC = 3的ADC， VCE = 4伏）
2
v
300
s,
占空比
v
2%.
特征
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
ICEO
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
民
100
20
25
10
—
—
—
—
—
3
最大
1.8
1.2
—
50
20
50
—
—
—
1
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
—
MJD31C MJD32C
典型特征
2.5
PD ，功耗（瓦）
25
s
2
+11 V
0
1.5
TA
–9 V
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
51
–4 V
D1
RB
RC
范围
VCC
+ 30 V
1
0.5
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
REVERSE ALL FOR极性PNP 。
图1.功率降额
图2.开关时间测试电路
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
T， TIME （
s)
– 55°C
VCE = 2 V
2
1
0.7
0.5
0.3
TR @ VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
100
70
50
30
TR @ VCC = 10 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
TD @ VBE （关闭） = 2 V
10
7
5
0.03
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5
0.7
1
3
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7
1
3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图3.直流电流增益
图4.开启时间
1.4
1.2
V，电压（V ）
1
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 2 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
T， TIME （
s)
TJ = 25°C
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
TF @ VCC = 10 V
TF @ VCC = 30 V
ts
′
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
′
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
0
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
0.3
0.5 0.7
1
2
3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMPS ）
图5.为“ON”电压
图6.开启，关闭时间
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
QQ：2881677436 复制
