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MJD29/29C
MJD29/29C
通用扩增fi er
低速切换应用程序
负载形成了表面贴装应用（没有后缀）
直铅（ I- PAK ， “ - I”后缀）
电类似于热门TIP29和TIP29C
1
D- PAK
1.Base
1
I- PAK
3.Emitter
2.Collector
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： MJD29
： MJD29C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： MJD29
： MJD29C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
T
J
T
英镑
结温
储存温度
40
100
40
100
5
1
3
0.4
15
1.56
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
参数
价值
单位
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： MJD29
： MJD29C
集电极截止电流
： MJD29
： MJD29C
I
CES
集电极截止电流
： MJD29
： MJD29C
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压上
电流增益带宽积
V
CE
= 40V, V
BE
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 0
V
BE
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.2A
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
I
C
= 1A ，我
B
= 125毫安
V
CE
= 4A ，我
C
= 1A
V
CE
= 10V ，我
C
= 200毫安
3
40
15
20
20
1
75
0.7
1.3
V
V
兆赫
A
A
mA
V
CE
= 40V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
50
50
A
A
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
分钟。
40
100
马克斯。
单位
V
V
I
首席执行官
*脉冲测试： PW
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2001仙童半导体公司
修订版A2 ， 2001年6月
MJD29/29C
典型特征
1000
10
V
CE
= 2V
I
C
=10I
B
t
F
, t
英镑
,[
S] ，关断时间
h
FE
，直流电流增益
t
英镑
1
100
t
F
, V
CC
=30V
t
F
, V
CC
=10V
0.1
10
1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.开启时间
10
100
I
C
=10I
B
I
C
[A] ，集电极电流
t
R
, t
D
[
S] ， TURN ON TIME
10
1
t
R
, V
CC
=30V
10
1
1m
DC
50
0
s
s
0
s
t
R
, V
CC
=10V
0.1
t
D
, V
BE
(off)=2V
0.1
0.01
0.01
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
I
C
[A] ，集电极电流
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图3.关闭时间
图4.安全工作区
20
P
C
[W] ，功率耗散
15
10
5
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
T
C
[C] ，外壳温度
图5.功率降额
2001仙童半导体公司
MJD29C
MJD29
修订版A2 ， 2001年6月
MJD29/29C
包装Demensions
D- PAK
6.60
±0.20
5.34
±0.30
(0.50)
(4.34)
(0.50)
0.70
±0.20
2.30
±0.10
0.50
±0.10
0.60
±0.20
6.10
±0.20
2.70
±0.20
9.50
±0.30
0.91
±0.10
0.80
±0.20
MAX0.96
2.30TYP
[2.30±0.20]
0.76
±0.10
2.30TYP
[2.30±0.20]
0.89
±0.10
0.50
±0.10
1.02
±0.20
2.30
±0.20
(0.70)
(0.90)
(0.10)
(3.05)
6.10
±0.20
9.50
±0.30
2.70
±0.20
(2XR0.25)
0.76
±0.10
单位：毫米
2001仙童半导体公司
修订版A2 ， 2001年6月
(1.00)
6.60
±0.20
(5.34)
(5.04)
(1.50)
MIN0.55
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
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M5M29GT320VP
MXSMCGLCE43ATR
MI-P21-MXZ
M74HC352F1R
M5LV-384/68-20VC
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MOS6020-222MLC
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