MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（注2 ）
符号
R
QJC
R
qJA
最大
10
89.3
单位
° C / W
° C / W
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ） ， （我
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0, T
J
= 125°C)
发射极截止电流（V
BE
= 8伏，我
C
= 0)
V
CEO （ SUS ）
V
CBO
25
VDC
100
100
100
NADC
MADC
NADC
V
EBO
基本特征
DC电流增益（注3） ，
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1伏）
(I
C
= 2的ADC ，V
CE
= 1伏）
(I
C
= 5 ADC ，V
CE
= 2 VDC ）
h
FE
70
45
10
180
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 2的ADC ，我
B
= 200 MADC ）
(I
C
= 5 ADC ，我
B
= 1 ADC）
V
CE （ SAT ）
VDC
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
基射极饱和电压（注3 ） ， （我
C
= 5 ADC ，我
B
= 1 ADC）
基射极电压上（注3 ） ， （我
C
= 2的ADC ，V
CE
= 1伏）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
VDC
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
f
T
65
兆赫
pF
MJD200
MJD210
C
ob
80
120
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
[
2%.
4. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
订购信息
设备
MJD200
MJD200G
MJD200RL
MJD200RLG
MJD200T4
MJD200T4G
MJD210
MJD210G
MJD210RL
MJD210RLG
MJD210T4
MJD210T4G
套餐类型
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
1800 /磁带&卷轴
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
1800 /磁带&卷轴
75单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
T
A
2.5
PD ，功耗（瓦）
T
C
25
25
ms
+11 V
1.5
15
T
A
（表面贴装）
T
C
0.5
5
0
9 V
1
10
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
51
4 V
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
25
50
75
100
125
150
D
1
必须快速恢复类型，例如：
适用于PNP测试电路，
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
翻转所有极性
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
D
1
R
B
R
C
范围
V
CC
+30 V
2
20
0
0
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
图2.开关时间测试电路
1K
500
300
200
100
T， TIME （ NS ）
50
30
20
10
5
3
2
T， TIME （ NS ）
t
d
10K
5K
3K
2K
1K
500
300
200
100
50
30
20
5
10
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
r
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
MJD200
MJD210
MJD200
MJD210
t
f
3
5
10
1
1
2 3
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
I
C
，集电极电流（ A）
10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5
1
2
I
C
，集电极电流（ A）
图3.开启时间
图4.开启，关闭时间
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3
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
NPN
MJD200
400
T
J
= 150°C
25°C
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
200
55
°C
100
80
60
40
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
200
400
T
J
= 150°C
25°C
100
80
60
40
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
55
°C
PNP
MJD210
20
0.05 0.07 0.1
20
0.05 0.07 0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图5.直流电流增益
2
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2
T
J
= 25°C
1.6
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
I
C
，集电极电流（ A）
2
3
5
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
I
C
，集电极电流（ A）
2
3
5
0.8
0.8
图6. “开”电压
+2.5
θ
V，温度系数（MV / C）
°
+2
+1.5
+1
+0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
q
VB
对于V
BE
55
°C
至25℃
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
2
3
5
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
θ
V，温度系数（MV / C）
°
+2.5
+2
+1.5
+1
+0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
q
VB
对于V
BE
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
55
°C
至25℃
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
25 ℃150 ℃的
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图7.温度系数
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4
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
D = 0.5
0.2
0.1
R
QJC
（吨） = R （t）的
q
JC
R
QJC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
吨，时间（ ms）的
5
10
20
50
100
200
图8.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5
3
2
1
5毫秒
T
J
= 150°C
100
ms
500
ms
dc
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
1
2
3
5
7 10
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
30
1毫秒
0.1
0.01
0.3
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图9中的数据是基于对T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图8.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图9.活动区安全工作区
200
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
C
ob
30
20
0.4
MJD200 （ NPN ）
MJD210 （ PNP ）
0.6
1
2
4
6
10
V
R
，反向电压（V）的
20
40
C
ib
图10.电容
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5
。 。 。专为低电压，低功耗，高增益音频放大器应用。
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 25伏直流（最小值） @ IC = 10 MADC
高直流电流增益 - 的hFE = 70 （分钟） @ IC = 500 MADC
= 45 （分） @ IC = 2 ADC
= 10 （分钟） @ IC = 5 ADC
铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）
直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）
低集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 0.3伏（最大） @ IC = 500 MADC
= 0.75伏直流（最大） @ IC = 2.0 ADC
高电流增益 - 带宽积 - FT = 65兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC
环形结构以降低漏 - ICBO = 100 NADC @额定VCB
IEBO
*表面装在最小焊盘尺寸时，建议。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
2%.
开关特性
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
NPN / PNP硅DPAK对于表面贴装
应用
补充
塑料功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
热特性
最大额定值
REV 1
发射极截止电流（ VBE = 8伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ， TJ = 125
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
热阻，结到外壳
热阻，
结到环境*
工作和存储结
温度范围
器件总功耗@ TA = 25
_
C*
减免上述25
_
C
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
特征
特征
等级
[
VCEO （ SUS）
符号
符号
符号
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
价值
1.4
0.011
12.5
0.1
5
10
25
40
1
8
瓦
W/
_
C
瓦
W/
_
C
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
硅
功率晶体管
5安培
25伏
12.5 WATTS
最小焊盘尺寸
推荐用于
表面贴装
应用
MJD200
PNP
MJD210
CASE 369A - 13
CASE 369-07
订购此文件
通过MJD200 / D
NPN
0.190
4.826
TJ ， TSTG
R
θJC
R
θJA
ICBO
民
- 65至+ 150
25
—
—
—
最大
10
89.3
最大
100
100
100
—
（续）
_
C / W
NADC
NADC
单位
单位
VDC
英寸
mm
1
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.07
1.8
0.165
4.191
MJD200 MJD210
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
（2）的fT =
h
fe
FTEST 。
动态特性
基本特征
电气特性 - 续
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）
基射极电压上（ 1 ） （ IC = 2的ADC ， VCE = 1伏）
基射极饱和电压（ 1 ） （ IC = 5 ADC ， IB = 1 ADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）
（ IC = 2的ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 5 ADC ， IB = 1 ADC ）
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 1伏）
（ IC = 2的ADC ， VCE = 1伏）
（ IC = 5 ADC ， VCE = 2 VDC ）
2
T， TIME （ NS ）
PD ，功耗（瓦）
1.5
TA TC
2.5 25
0.5
1
0
2
100
T， TIME （ NS ）
500
300
200
1K
10
15
20
50
30
20
10
5
5
3
2
0
1
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
IC ，集电极电流（ AMPS ）
25
MJD200
MJD210
50
图1.功率降额
图3.开启时间
TC
T，温度（ ° C）
tr
TA （表面贴装）
75
特征
td
100
[
2%.
VCC = 30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
125
5
150
10
+11 V
0
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须快速恢复类型，例如：
适用于PNP测试电路，
1N5825上面使用IB
≈
百毫安
翻转所有极性
MSD6100下使用IB
≈
百毫安
10K
100
500
300
200
TR ， TF
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
1K
5K
3K
2K
50
30
20
10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
IC ，集电极电流（ AMPS ）
MJD200
MJD210
–9 V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJD200
MJD210
图2.开关时间测试电路
25
s
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
图4.开启，关闭时间
COB
的hFE
fT
51
tf
RB
民
65
70
45
10
—
—
—
—
—
—
—
ts
–4 V
D1
0.3
0.75
1.8
最大
80
120
—
180
—
1.6
2.5
—
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
VCC
+ 30 V
RC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
范围
pF
—
3
5
10
QQ：2881677436 复制
