MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（注2 ）
符号
R
QJC
R
qJA
最大
10
89.3
单位
° C / W
° C / W
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
25
最大
单位
VDC
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ） ， （我
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0, T
J
= 125°C)
发射极截止电流（V
BE
= 8伏，我
C
= 0)
DC电流增益（注3） ，
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1伏）
(I
C
= 2的ADC ，V
CE
= 1伏）
(I
C
= 5 ADC ，V
CE
= 2 VDC ）
V
CEO （ SUS ）
V
CBO
100
100
100
NADC
MADC
NADC
V
EBO
h
FE
基本特征
70
45
10
180
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 2的ADC ，我
B
= 200 MADC ）
(I
C
= 5 ADC ，我
B
= 1 ADC）
V
CE （ SAT ）
VDC
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
基射极饱和电压（注3 ） ， （我
C
= 5 ADC ，我
B
= 1 ADC）
基射极电压上（注3 ） ， （我
C
= 2的ADC ，V
CE
= 1伏）
电流增益
带宽积（注4 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
VDC
VDC
动态特性
65
兆赫
pF
MJD200
MJD210
C
ob
80
120
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
[
2%.
4. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
订购信息
设备
MJD200G
MJD200RLG
MJD200T4G
MJD210G
MJD210RLG
MJD210T4
MJD210T4G
套餐类型
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
1800 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
1800 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
T
A
2.5
PD ，功耗（瓦）
T
C
25
25
ms
+11 V
1.5
15
T
A
（表面贴装）
T
C
0.5
5
0
-9 V
1
10
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
51
-4 V
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
适用于PNP测试电路，
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
翻转所有极性
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
D
1
R
B
R
C
范围
V
CC
+ 30 V
2
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
图2.开关时间测试电路
1K
500
300
200
100
T， TIME （ NS ）
50
30
20
10
5
3
2
T， TIME （ NS ）
t
d
10K
5K
3K
2K
1K
500
300
200
100
50
30
20
5
10
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
r
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
MJD200
MJD210
MJD200
MJD210
t
f
3
5
10
1
1
2 3
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
I
C
，集电极电流（ A）
10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
I
C
，集电极电流（ A）
图3.开启时间
图4.开启，关闭时间
http://onsemi.com
3
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
NPN
MJD200
400
T
J
= 150°C
25°C
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
200
- 55°C
100
80
60
40
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2
I
C
，集电极电流（ A）
3
5
200
400
T
J
= 150°C
25°C
100
80
60
40
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2
I
C
，集电极电流（ A）
3
5
PNP
MJD210
- 55°C
20
0.05 0.07 0.1
20
0.05 0.07 0.1
图5.直流电流增益
2
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2
T
J
= 25°C
1.6
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
I
C
，集电极电流（ A）
2
3
5
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
I
C
，集电极电流（ A）
2
3
5
0.8
0.8
图6. “开”电压
+ 2.5
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+2
+ 1.5
+1
+ 0.5
0
- 0.5
-1
- 1.5
-2
- 2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
q
VB
对于V
BE
- 55 ° C至25°C时
2
3
5
- 55 ° C至25°C时
25 ℃150 ℃的
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 2.5
+2
+ 1.5
+1
+ 0.5
0
- 0.5
-1
- 1.5
-2
- 2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
q
VB
对于V
BE
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
- 55 ° C至25°C时
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
25 ℃150 ℃的
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图7.温度系数
http://onsemi.com
4
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
D = 0.5
0.2
0.1
R
QJC
（吨） = R （t）的
q
JC
R
QJC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
吨，时间（ ms）的
5
10
20
50
100
200
图8.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5
3
2
1
5毫秒
T
J
= 150°C
100
ms
500
ms
dc
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
1
2
3
5
7 10
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
30
1毫秒
0.1
0.01
0.3
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图9中的数据是基于对T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图8.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图9.活动区安全工作区
200
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
C
ob
30
20
0.4
MJD200 （ NPN ）
MJD210 （ PNP ）
0.6
1
2
4
6
10
V
R
，反向电压（V）的
20
40
C
ib
图10.电容
http://onsemi.com
5
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（注2 ）
符号
R
QJC
R
qJA
最大
10
89.3
单位
° C / W
° C / W
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ） ， （我
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0, T
J
= 125°C)
发射极截止电流（V
BE
= 8伏，我
C
= 0)
V
CEO （ SUS ）
V
CBO
25
VDC
100
100
100
NADC
MADC
NADC
V
EBO
基本特征
DC电流增益（注3） ，
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1伏）
(I
C
= 2的ADC ，V
CE
= 1伏）
(I
C
= 5 ADC ，V
CE
= 2 VDC ）
h
FE
70
45
10
180
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
= 2的ADC ，我
B
= 200 MADC ）
(I
C
= 5 ADC ，我
B
= 1 ADC）
V
CE （ SAT ）
VDC
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
基射极饱和电压（注3 ） ， （我
C
= 5 ADC ，我
B
= 1 ADC）
基射极电压上（注3 ） ， （我
C
= 2的ADC ，V
CE
= 1伏）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
VDC
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（注4 ）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 10兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
f
T
65
兆赫
pF
MJD200
MJD210
C
ob
80
120
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
[
2%.
4. f
T
=
h
fe
f
TEST
.
订购信息
设备
MJD200
MJD200G
MJD200RL
MJD200RLG
MJD200T4
MJD200T4G
MJD210
MJD210G
MJD210RL
MJD210RLG
MJD210T4
MJD210T4G
套餐类型
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
1800 /磁带&卷轴
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
1800 /磁带&卷轴
75单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
T
A
2.5
PD ，功耗（瓦）
T
C
25
25
ms
+11 V
1.5
15
T
A
（表面贴装）
T
C
0.5
5
0
9 V
1
10
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
51
4 V
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
25
50
75
100
125
150
D
1
必须快速恢复类型，例如：
适用于PNP测试电路，
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
翻转所有极性
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
D
1
R
B
R
C
范围
V
CC
+30 V
2
20
0
0
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
图2.开关时间测试电路
1K
500
300
200
100
T， TIME （ NS ）
50
30
20
10
5
3
2
T， TIME （ NS ）
t
d
10K
5K
3K
2K
1K
500
300
200
100
50
30
20
5
10
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
r
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
MJD200
MJD210
MJD200
MJD210
t
f
3
5
10
1
1
2 3
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
I
C
，集电极电流（ A）
10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5
1
2
I
C
，集电极电流（ A）
图3.开启时间
图4.开启，关闭时间
http://onsemi.com
3
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
NPN
MJD200
400
T
J
= 150°C
25°C
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
200
55
°C
100
80
60
40
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
200
400
T
J
= 150°C
25°C
100
80
60
40
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
55
°C
PNP
MJD210
20
0.05 0.07 0.1
20
0.05 0.07 0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图5.直流电流增益
2
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2
T
J
= 25°C
1.6
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
I
C
，集电极电流（ A）
2
3
5
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
I
C
，集电极电流（ A）
2
3
5
0.8
0.8
图6. “开”电压
+2.5
θ
V，温度系数（MV / C）
°
+2
+1.5
+1
+0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
q
VB
对于V
BE
55
°C
至25℃
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
2
3
5
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃150 ℃的
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
θ
V，温度系数（MV / C）
°
+2.5
+2
+1.5
+1
+0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
q
VB
对于V
BE
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
55
°C
至25℃
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE/3
25 ℃150 ℃的
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图7.温度系数
http://onsemi.com
4
MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
D = 0.5
0.2
0.1
R
QJC
（吨） = R （t）的
q
JC
R
QJC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
吨，时间（ ms）的
5
10
20
50
100
200
图8.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
5
3
2
1
5毫秒
T
J
= 150°C
100
ms
500
ms
dc
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
1
2
3
5
7 10
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
30
1毫秒
0.1
0.01
0.3
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图9中的数据是基于对T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图8.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图9.活动区安全工作区
200
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
C
ob
30
20
0.4
MJD200 （ NPN ）
MJD210 （ PNP ）
0.6
1
2
4
6
10
V
R
，反向电压（V）的
20
40
C
ib
图10.电容
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
