【】,IC型号MJD200,MJD200 PDF资料,MJD200经销商,ic,电子元器件-51电子网

。。。专为低电压，低功耗，高增益音频放大器应用。

集电极 - 发射极耐受电压 -

VCEO （SUS ）= 25伏直流（最小值） @ IC = 10 MADC

高直流电流增益 - 的hFE = 70 （分钟） @ IC = 500 MADC

= 45 （分） @ IC = 2 ADC

= 10 （分钟） @ IC = 5 ADC

铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）

直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）

铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）

低集电极 - 发射极饱和电压 -

VCE （SAT） = 0.3伏（最大） @ IC = 500 MADC

= 0.75伏直流（最大） @ IC = 2.0 ADC

高电流增益 - 带宽积 - FT = 65兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC

环形结构以降低漏 - ICBO = 100 NADC @额定VCB

IEBO

*表面装在最小焊盘尺寸时，建议。

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

2%.

开关特性

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

NPN / PNP硅DPAK对于表面贴装

应用

补充

塑料功率晶体管

半导体技术资料

摩托罗拉

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

热特性

最大额定值

REV 1

发射极截止电流（ VBE = 8伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ）

（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ， TJ = 125

_

C)

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）

热阻，结到外壳

热阻，

结到环境*

工作和存储结

温度范围

器件总功耗@ TA = 25

_

C*

减免上述25

_

C

器件总功耗@ TC = 25

_

C

减免上述25

_

C

基极电流

连续集电极电流 -

PEAK

发射极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

特征

等级

[

VCEO （ SUS）

符号

VCEO

VCB

VEB

PD

IC

IB

价值

1.4

0.011

12.5

0.1

5

10

25

40

1

8

瓦

W/

_

C

瓦

W/

_

C

单位

ADC

VDC

_

C

硅

功率晶体管

5安培

25伏

12.5 WATTS

最小焊盘尺寸

推荐用于

表面贴装

应用

MJD200

PNP

MJD210

CASE 369A - 13

CASE 369-07

订购此文件

通过MJD200 / D

NPN

0.190

4.826

TJ ， TSTG

R

θJC

R

θJA

ICBO

民

- 65至+ 150

25

—

最大

10

89.3

最大

100

—

（续）

_

C / W

NADC

单位

VDC

英寸

mm

1

0.243

6.172

0.063

1.6

0.118

3.0

0.07

1.8

0.165

4.191

MJD200 MJD210

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

（2）的fT =

h

fe

FTEST 。

动态特性

基本特征

电气特性 - 续

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）

电流增益 - 带宽积（ 2 ）

（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）

基射极电压上（ 1 ）（ IC = 2的ADC ， VCE = 1伏）

基射极饱和电压（ 1 ）（ IC = 5 ADC ， IB = 1 ADC ）

集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）

（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）

（ IC = 2的ADC ， IB = 200 MADC ）

（ IC = 5 ADC ， IB = 1 ADC ）

直流电流增益（ 1 ）

（ IC = 500 MADC ， VCE = 1伏）

（ IC = 2的ADC ， VCE = 1伏）

（ IC = 5 ADC ， VCE = 2 VDC ）

2

T， TIME （ NS ）

PD ，功耗（瓦）

1.5

TA TC

2.5 25

0.5

1

0

2

100

T， TIME （ NS ）

500

300

200

1K

10

15

20

50

30

20

10

5

3

2

0

1

0.01 0.02 0.03 0.05 0.1

0.2 0.3 0.5

1

2 3

IC ，集电极电流（ AMPS ）

25

MJD200

MJD210

50

图1.功率降额

图3.开启时间

TC

T，温度（ ° C）

tr

TA （表面贴装）

75

特征

td

100

[

2%.

VCC = 30 V

IC / IB = 10

TJ = 25°C

125

5

150

10

+11 V

0

Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平

D1必须快速恢复类型，例如：

适用于PNP测试电路，

1N5825上面使用IB

≈

百毫安

翻转所有极性

MSD6100下使用IB

≈

百毫安

10K

100

500

300

200

TR ， TF

≤

10纳秒

占空比= 1 ％

1K

5K

3K

2K

50

30

20

10

0.01 0.02 0.03 0.05 0.1

0.2 0.3 0.5

1

2

IC ，集电极电流（ AMPS ）

MJD200

MJD210

–9 V

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

MJD200

MJD210

图2.开关时间测试电路

25

s

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

符号

图4.开启，关闭时间

COB

的hFE

fT

51

tf

RB

民

65

70

45

10

—

ts

–4 V

D1

0.3

0.75

1.8

最大

80

120

—

180

—

1.6

2.5

—

VCC = 30 V

IC / IB = 10

IB1 = IB2

TJ = 25°C

VCC

+ 30 V

RC

兆赫

单位

VDC

范围

pF

—

3

5

10

MJD200 MJD210

NPN

MJD200

400

TJ = 150℃

25°C

的hFE ， DC电流增益

200

– 55°C

100

80

60

40

VCE = 1V

VCE = 2 V

0.5 0.7 1

0.2 0.3

IC ，集电极电流（ AMP ）

2

3

5

200

400

TJ = 150℃

25°C

100

80

60

40

VCE = 1V

VCE = 2 V

0.2 0.3

0.5 0.7 1

2

IC ，集电极电流（ AMP ）

3

5

PNP

MJD210

– 55°C

20

0.05 0.07 0.1

20

0.05 0.07 0.1

图5.直流电流增益

2

TJ = 25°C

1.6

V，电压（V ）

2

TJ = 25°C

1.6

1.2

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE @ VCE = 1V

0.4

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1

IC ，集电极电流（ AMP ）

2

3

5

1.2

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE @ VCE = 1V

0.4

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1

IC ，集电极电流（ AMP ）

2

3

5

0.8

图6. “开”电压

+ 2.5

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

+2

+ 1.5

+1

+ 0.5

0

– 0.5

–1

– 1.5

–2

– 2.5

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

θ

VB的VBE

- 55 ° C至25°C时

2

3

5

- 55 ° C至25°C时

25 ℃150 ℃的

θ

VC的VCE （SAT）

25 ℃150 ℃的

*适用于IC / IB

≤

hFE/3

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

+ 2.5

+2

+ 1.5

+1

+ 0.5

0

– 0.5

–1

– 1.5

–2

– 2.5

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

25 ℃150 ℃的

θ

VB的VBE

- 55 ° C至25°C时

* θVC FOR VCE （SAT）

- 55 ° C至25°C时

*适用于IC / IB

≤

hFE/3

25 ℃150 ℃的

IC ，集电极电流（ AMP ）

图7.温度系数

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

3

MJD200 MJD210

R（T ），瞬态热

电阻（标准化）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.02

0.05

0.02

0.01

0 （单脉冲）

D = 0.5

0.2

0.1

R

θJC

（吨） = R （t）的

θ

JC

R

θJC

= 10 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK）

θ

JC （T ）

P（ PK）

t1

t2

占空比D = T1 / T2

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

吨，时间（ ms）的

5

10

20

50

100

200

图8.热响应

10

IC ，集电极电流（ AMP ）

5

3

2

1

5毫秒

TJ = 150℃

100

s

500

s

dc

键合丝有限公司

限热@ TC = 25°C

（单脉冲）

二次击穿有限公司

曲线适用BELOW

额定VCEO

1

2

3

5

7 10

20

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

30

1毫秒

0.1

0.01

0.3

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二突破性

下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制

必须可靠运行被观察的晶体管;

即，晶体管不能承受较大的耗散

灰比的曲线表示。

图9中的数据是基于T J （峰） = 150

_

℃; TC是

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）

150

_

C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算

URE 8.在高温度的情况下，热限制将重新

达斯可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

案369-05可通过将“-1”为后缀的订购

设备的所有权（即MJD200-1 ）

v

图9.活动区安全工作区

200

TJ = 25°C

C，电容（pF ）

100

70

50

COB

30

20

0.4

MJD200 （ NPN ）

MJD210 （ PNP ）

0.6

1

2

4

6

10

VR ，反向电压（伏）

20

40

兴业银行

图10.电容

4

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

MJD200 MJD210

包装尺寸

–T–

B

V

R

4

座位

飞机

C

E

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

英寸

民

最大

0.235

0.250

0.265

0.086

0.094

0.027

0.035

0.033

0.040

0.037

0.047

0.180 BSC

0.034

0.040

0.018

0.023

0.102

0.114

0.090 BSC

0.175

0.215

0.020

0.050

0.020

–––

0.030

0.050

0.138

–––

MILLIMETERS

民

最大

5.97

6.35

6.73

2.19

2.38

0.69

0.88

0.84

1.01

0.94

1.19

4.58 BSC

0.87

1.01

0.46

0.58

2.60

2.89

2.29 BSC

4.45

5.46

0.51

1.27

0.51

–––

0.77

1.27

3.51

–––

S

1

2

3

A

K

F

L

D

G

2 PL

Z

U

J

H

0.13 (0.005)

T

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

R

S

U

V

Z

M

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

BASE

集热器

辐射源

集热器

CASE 369A - 13

ISSUE W

B

V

R

4

C

E

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

R

S

V

英寸

民

最大

0.235

0.250

0.265

0.086

0.094

0.027

0.035

0.033

0.040

0.037

0.047

0.090 BSC

0.034

0.040

0.018

0.023

0.350

0.380

0.175

0.215

0.050

0.090

0.030

0.050

MILLIMETERS

民

最大

5.97

6.35

6.73

2.19

2.38

0.69

0.88

0.84

1.01

0.94

1.19

2.29 BSC

0.87

1.01

0.46

0.58

8.89

9.65

4.45

5.46

1.27

2.28

0.77

1.27

A

1

2

3

S

–T–

座位

飞机

K

F

D

G

3 PL

M

J

H

0.13 (0.005)

T

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

BASE

集热器

辐射源

集热器

CASE 369-07

ISSUE

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

5

MJD200

D- PAK表面贴装应用

高直流电流增益

内置阻尼二极管，在E-C

铅形成了表面装载应用程序（没有后缀）

直导线（ I- PAK ， “ - I”后缀）

1

D- PAK

1.Base

1

I- PAK

3.Emitter

2.Collector

NPN外延硅晶体管

绝对最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

B

I

C

I

CP

P

C

T

J

T

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

基极电流

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

集电极耗散（T

C

= 25°C)

集电极耗散（T

a

= 25°C)

结温

储存温度

参数

价值

40

25

8

1

5

10

12.5

1.4

150

- 55 ~ 150

单位

V

A

W

°C

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

CBO

（ SUS）的

I

首席执行官

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE

（SAT）

参数

*集电极发射极耐受电压

集电极截止电流

发射极截止电流

*直流电流增益

*集电极 - 发射极饱和电压

测试条件

I

C

= 100mA时我

B

=0

V

CB

= 40V ，我

E

=0

V

EBO

= 8V ，我

C

=0

V

CE

= 1V ，我

C

=500mA

V

CE

= 1V ，我

C

=2A

V

CE

= 2V ，我

C

=5A

I

C

= 500毫安，我

B

=50mA

I

C

= 2A ，我

B

=200mA

I

C

= 5A ，我

B

=1A

I

C

= 5A ，我

B

=2A

V

CE

= 1V ，我

C

=2A

V

CE

= 10V ，我

C

=100mA

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f =为0.1MHz

65

80

70

45

10

180

0.3

0.75

1.8

2.5

1.6

V

兆赫

pF

分钟。

25

马克斯。

100

单位

V

nA

V

BE

（SAT）

V

BE

（上）

f

T

C

ob

*基射极饱和电压

*基射极电压ON

电流增益带宽积

输出电容

*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％

2001仙童半导体公司

修订版A2 ， 2001年6月

MJD200

典型特征

V

CE

（SAT），V

BE

（饱和） [ V]时，饱和电压

1000

10

I

C

=10I

B

h

FE

，直流电流增益

100

1

V

BE （ SAT ）

V

CE

=2V

V

CE

=1V

10

V

CE （S

0.1

AT ）

1

0.01

0.1

1

10

0.01

0.1

1

10

I

C

[A] ，集电极电流

I

C

[A] ，集电极电流

图1.直流电流增益

图2.基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

1000

10

V

CC

=30V

I

C

=10I

B

t

R

,t

D

[ NS ] ，开启时间

C

OB

[ pF的] ，电容

100

1

t

R

10

0.1

t

D

1

0.1

1

10

100

0.01

0.1

1

10

V

CB

[V] ，集电极基极电压

I

C

[A] ，集电极电流

图3.集电极输出电容

图4.开启时间

1000

100

t

英镑

I

C

[A] ，集电极电流

V

CC

=30V

I

C

=10I

B

I

B1

=I

B2

t

英镑

,t

F

[ NS ] ，关断时间

10

0

10

5m

s

50

0

t

F

100

1m

s

DC

1

0.1

10

0.01

0.1

1

10

0.01

0.1

1

10

100

I

C

[A] ，集电极电流

V

CE

[V] ，集电极 - 发射极电压

图5.关闭时间

图6.安全工作区

2001仙童半导体公司

修订版A2 ， 2001年6月

MJD200

典型特征

（续）

20.0

17.5

P

C

[W] ，功率耗散

15.0

12.5

10.0

7.5

5.0

2.5

0.0

0

25

50

o

75

100

125

150

175

T

C

[C] ，外壳温度

图7.功率降额

2001仙童半导体公司

修订版A2 ， 2001年6月

MJD200

包装Demensions

D- PAK

6.60

±0.20

5.34

±0.30

(0.50)

(4.34)

(0.50)

0.70

±0.20

2.30

±0.10

0.50

±0.10

0.60

±0.20

6.10

±0.20

2.70

±0.20

9.50

±0.30

0.91

±0.10

0.80

±0.20

MAX0.96

2.30TYP

[2.30±0.20]

0.76

±0.10

2.30TYP

[2.30±0.20]

0.89

±0.10

0.50

±0.10

1.02

±0.20

2.30

±0.20

(0.70)

(0.90)

(0.10)

(3.05)

6.10

±0.20

9.50

±0.30

2.70

±0.20

(2XR0.25)

0.76

±0.10

单位：毫米

2001仙童半导体公司

修订版A2 ， 2001年6月

(1.00)

6.60

±0.20

(5.34)

(5.04)

(1.50)

MIN0.55

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

* STAR POWER

快

OPTOPLANAR

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DenseTrench

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

Ensigna

FACT

FACT静音系列

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

LittleFET

的MicroFET

MICROWIRE

OPTOLOGIC

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

SLIENT SWITCHER

SMART START

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TruTranslation

TinyLogic

UHC

UltraFET

VCX

STAR *电源根据许可证使用

放弃

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

2.关键部件是在生命支持任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或系统

设备或系统，其未能履行可

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

合理预期造成的生命支持故障

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

如果使用得当按照使用说明

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2001仙童半导体公司

牧师H3

。。。专为低电压，低功耗，高增益音频放大器应用。

集电极 - 发射极耐受电压 -

VCEO （SUS ）= 25伏直流（最小值） @ IC = 10 MADC

高直流电流增益 - 的hFE = 70 （分钟） @ IC = 500 MADC

= 45 （分） @ IC = 2 ADC

= 10 （分钟） @ IC = 5 ADC

铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）

直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）

铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”后缀）

低集电极 - 发射极饱和电压 -

VCE （SAT） = 0.3伏（最大） @ IC = 500 MADC

= 0.75伏直流（最大） @ IC = 2.0 ADC

高电流增益 - 带宽积 - FT = 65兆赫（最小值） @ IC = 100 MADC

环形结构以降低漏 - ICBO = 100 NADC @额定VCB

IEBO

*表面装在最小焊盘尺寸时，建议。

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

2%.

开关特性

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

NPN / PNP硅DPAK对于表面贴装

应用

补充

塑料功率晶体管

半导体技术资料

摩托罗拉

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

热特性

最大额定值

REV 1

发射极截止电流（ VBE = 8伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ）

（ VCB = 40 VDC ， IE = 0 ， TJ = 125

_

C)

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）

热阻，结到外壳

热阻，

结到环境*

工作和存储结

温度范围

器件总功耗@ TA = 25

_

C*

减免上述25

_

C

器件总功耗@ TC = 25

_

C

减免上述25

_

C

基极电流

连续集电极电流 -

PEAK

发射极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

特征

等级

[

VCEO （ SUS）

符号

VCEO

VCB

VEB

PD

IC

IB

价值

1.4

0.011

12.5

0.1

5

10

25

40

1

8

瓦

W/

_

C

瓦

W/

_

C

单位

ADC

VDC

_

C

硅

功率晶体管

5安培

25伏

12.5 WATTS

最小焊盘尺寸

推荐用于

表面贴装

应用

MJD200

PNP

MJD210

CASE 369A - 13

CASE 369-07

订购此文件

通过MJD200 / D

NPN

0.190

4.826

TJ ， TSTG

R

θJC

R

θJA

ICBO

民

- 65至+ 150

25

—

最大

10

89.3

最大

100

—

（续）

_

C / W

NADC

单位

VDC

英寸

mm

1

0.243

6.172

0.063

1.6

0.118

3.0

0.07

1.8

0.165

4.191

MJD200 MJD210

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

（2）的fT =

h

fe

FTEST 。

动态特性

基本特征

电气特性 - 续

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）

电流增益 - 带宽积（ 2 ）

（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 10兆赫）

基射极电压上（ 1 ）（ IC = 2的ADC ， VCE = 1伏）

基射极饱和电压（ 1 ）（ IC = 5 ADC ， IB = 1 ADC ）

集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）

（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）

（ IC = 2的ADC ， IB = 200 MADC ）

（ IC = 5 ADC ， IB = 1 ADC ）

直流电流增益（ 1 ）

（ IC = 500 MADC ， VCE = 1伏）

（ IC = 2的ADC ， VCE = 1伏）

（ IC = 5 ADC ， VCE = 2 VDC ）

2

T， TIME （ NS ）

PD ，功耗（瓦）

1.5

TA TC

2.5 25

0.5

1

0

2

100

T， TIME （ NS ）

500

300

200

1K

10

15

20

50

30

20

10

5

3

2

0

1

0.01 0.02 0.03 0.05 0.1

0.2 0.3 0.5

1

2 3

IC ，集电极电流（ AMPS ）

25

MJD200

MJD210

50

图1.功率降额

图3.开启时间

TC

T，温度（ ° C）

tr

TA （表面贴装）

75

特征

td

100

[

2%.

VCC = 30 V

IC / IB = 10

TJ = 25°C

125

5

150

10

+11 V

0

Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平

D1必须快速恢复类型，例如：

适用于PNP测试电路，

1N5825上面使用IB

≈

百毫安

翻转所有极性

MSD6100下使用IB

≈

百毫安

10K

100

500

300

200

TR ， TF

≤

10纳秒

占空比= 1 ％

1K

5K

3K

2K

50

30

20

10

0.01 0.02 0.03 0.05 0.1

0.2 0.3 0.5

1

2

IC ，集电极电流（ AMPS ）

MJD200

MJD210

–9 V

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

MJD200

MJD210

图2.开关时间测试电路

25

s

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

符号

图4.开启，关闭时间

COB

的hFE

fT

51

tf

RB

民

65

70

45

10

—

ts

–4 V

D1

0.3

0.75

1.8

最大

80

120

—

180

—

1.6

2.5

—

VCC = 30 V

IC / IB = 10

IB1 = IB2

TJ = 25°C

VCC

+ 30 V

RC

兆赫

单位

VDC

范围

pF

—

3

5

10

MJD200 MJD210

NPN

MJD200

400

TJ = 150℃

25°C

的hFE ， DC电流增益

200

– 55°C

100

80

60

40

VCE = 1V

VCE = 2 V

0.5 0.7 1

0.2 0.3

IC ，集电极电流（ AMP ）

2

3

5

200

400

TJ = 150℃

25°C

100

80

60

40

VCE = 1V

VCE = 2 V

0.2 0.3

0.5 0.7 1

2

IC ，集电极电流（ AMP ）

3

5

PNP

MJD210

– 55°C

20

0.05 0.07 0.1

20

0.05 0.07 0.1

图5.直流电流增益

2

TJ = 25°C

1.6

V，电压（V ）

2

TJ = 25°C

1.6

1.2

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE @ VCE = 1V

0.4

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1

IC ，集电极电流（ AMP ）

2

3

5

1.2

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE @ VCE = 1V

0.4

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1

IC ，集电极电流（ AMP ）

2

3

5

0.8

图6. “开”电压

+ 2.5

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

+2

+ 1.5

+1

+ 0.5

0

– 0.5

–1

– 1.5

–2

– 2.5

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

θ

VB的VBE

- 55 ° C至25°C时

2

3

5

- 55 ° C至25°C时

25 ℃150 ℃的

θ

VC的VCE （SAT）

25 ℃150 ℃的

*适用于IC / IB

≤

hFE/3

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

+ 2.5

+2

+ 1.5

+1

+ 0.5

0

– 0.5

–1

– 1.5

–2

– 2.5

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

25 ℃150 ℃的

θ

VB的VBE

- 55 ° C至25°C时

* θVC FOR VCE （SAT）

- 55 ° C至25°C时

*适用于IC / IB

≤

hFE/3

25 ℃150 ℃的

IC ，集电极电流（ AMP ）

图7.温度系数

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

3

MJD200 MJD210

R（T ），瞬态热

电阻（标准化）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.02

0.05

0.02

0.01

0 （单脉冲）

D = 0.5

0.2

0.1

R

θJC

（吨） = R （t）的

θ

JC

R

θJC

= 10 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK）

θ

JC （T ）

P（ PK）

t1

t2

占空比D = T1 / T2

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

吨，时间（ ms）的

5

10

20

50

100

200

图8.热响应

10

IC ，集电极电流（ AMP ）

5

3

2

1

5毫秒

TJ = 150℃

100

s

500

s

dc

键合丝有限公司

限热@ TC = 25°C

（单脉冲）

二次击穿有限公司

曲线适用BELOW

额定VCEO

1

2

3

5

7 10

20

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

30

1毫秒

0.1

0.01

0.3

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二突破性

下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制

必须可靠运行被观察的晶体管;

即，晶体管不能承受较大的耗散

灰比的曲线表示。

图9中的数据是基于T J （峰） = 150

_

℃; TC是

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）

150

_

C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算

URE 8.在高温度的情况下，热限制将重新

达斯可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

案369-05可通过将“-1”为后缀的订购

设备的所有权（即MJD200-1 ）

v

图9.活动区安全工作区

200

TJ = 25°C

C，电容（pF ）

100

70

50

COB

30

20

0.4

MJD200 （ NPN ）

MJD210 （ PNP ）

0.6

1

2

4

6

10

VR ，反向电压（伏）

20

40

兴业银行

图10.电容

4

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

MJD200 MJD210

包装尺寸

–T–

B

V

R

4

座位

飞机

C

E

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

英寸

民

最大

0.235

0.250

0.265

0.086

0.094

0.027

0.035

0.033

0.040

0.037

0.047

0.180 BSC

0.034

0.040

0.018

0.023

0.102

0.114

0.090 BSC

0.175

0.215

0.020

0.050

0.020

–––

0.030

0.050

0.138

–––

MILLIMETERS

民

最大

5.97

6.35

6.73

2.19

2.38

0.69

0.88

0.84

1.01

0.94

1.19

4.58 BSC

0.87

1.01

0.46

0.58

2.60

2.89

2.29 BSC

4.45

5.46

0.51

1.27

0.51

–––

0.77

1.27

3.51

–––

S

1

2

3

A

K

F

L

D

G

2 PL

Z

U

J

H

0.13 (0.005)

T

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

R

S

U

V

Z

M

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

BASE

集热器

辐射源

集热器

CASE 369A - 13

ISSUE W

B

V

R

4

C

E

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

R

S

V

英寸

民

最大

0.235

0.250

0.265

0.086

0.094

0.027

0.035

0.033

0.040

0.037

0.047

0.090 BSC

0.034

0.040

0.018

0.023

0.350

0.380

0.175

0.215

0.050

0.090

0.030

0.050

MILLIMETERS

民

最大

5.97

6.35

6.73

2.19

2.38

0.69

0.88

0.84

1.01

0.94

1.19

2.29 BSC

0.87

1.01

0.46

0.58

8.89

9.65

4.45

5.46

1.27

2.28

0.77

1.27

A

1

2

3

S

–T–

座位

飞机

K

F

D

G

3 PL

M

J

H

0.13 (0.005)

T

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

BASE

集热器

辐射源

集热器

CASE 369-07

ISSUE

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

5

MJD200 （ NPN ）

MJD210 （ PNP ）

塑料互补

功率晶体管

NPN / PNP硅DPAK对于表面

安装应用

专为低电压，低功耗，高增益音频

放大器应用。

特点

http://onsemi.com

集电极 - 发射极耐受电压 -

V

CEO （ SUS ）

= 25伏直流（最小值） @我

C

= 10 MADC

高直流电流增益 - ^ h

FE

= 70 （分） @我

C

= 500 MADC

= 45 （分） @我

C

= 2 ADC

= 10 （分钟） @我

C

= 5 ADC

铅形成在塑料套管表面贴装应用

（没有后缀）

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 0.3伏（最大） @我

C

= 500 MADC

= 0.75伏直流（最大） @我

C

= 2.0 ADC

高电流增益 - 带宽积 -

f

T

= 65兆赫（最小值） @我

C

= 100 MADC

环形结构以降低漏 -

I

CBO

= 100 NADC @额定V

CB

环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125

ESD额定值：人体模型， 3B

u

8000 V

机器型号，C

u

400 V

无铅包可用

硅

功率晶体管

5安培

25伏， 12.5沃茨

4

1 2

3

DPAK

CASE 369C

风格1

标记图

YWW

J2x0G

最大额定值

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散（注1 ）

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

- 连续

- 山顶

符号

V

CB

V

首席执行官

V

EB

I

C

I

B

P

D

P

D

1.4

0.011

T

J

, T

英镑

-65到+150

W

W / ℃，

°C

最大

40

25

8.0

5.0

10

1.0

12.5

0.1

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

Y

WW

G

=

x

=

YEAR

工作周

= 1或0

无铅封装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘时

推荐大小。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年8月 - 修订版8

出版订单号：

MJD200/D

MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境（注2 ）

符号

R

QJC

R

qJA

最大

10

89.3

单位

° C / W

2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极耐受电压（注3 ），（我

C

= 10 MADC ，我

B

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 40 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 40 VDC ，我

E

= 0, T

J

= 125°C)

发射极截止电流（V

BE

= 8伏，我

C

= 0)

V

CEO （ SUS ）

V

CBO

25

VDC

100

NADC

MADC

NADC

V

EBO

基本特征

DC电流增益（注3），

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 1伏）

(I

C

= 2的ADC ，V

CE

= 1伏）

(I

C

= 5 ADC ，V

CE

= 2 VDC ）

h

FE

70

45

10

180

集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 200 MADC ）

(I

C

= 5 ADC ，我

B

= 1 ADC）

V

CE （ SAT ）

VDC

0.3

0.75

1.8

2.5

1.6

基射极饱和电压（注3 ），（我

C

= 5 ADC ，我

B

= 1 ADC）

基射极电压上（注3 ），（我

C

= 2的ADC ，V

CE

= 1伏）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

VDC

动态特性

电流增益 - 带宽积（注4 ）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 10 VDC ，女

TEST

= 10兆赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

f

T

65

兆赫

pF

MJD200

MJD210

C

ob

80

120

3.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比

[

2%.

4. f

T

=

h

fe

f

TEST

.

订购信息

设备

MJD200

MJD200G

MJD200RL

MJD200RLG

MJD200T4

MJD200T4G

MJD210

MJD210G

MJD210RL

MJD210RLG

MJD210T4

MJD210T4G

套餐类型

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

2500 /磁带&卷轴

1800 /磁带&卷轴

75单位/铁

2500 /磁带&卷轴

1800 /磁带&卷轴

75单位/铁

航运

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）

T

A

2.5

PD ，功耗（瓦）

T

C

25

ms

+11 V

1.5

15

T

A

（表面贴装）

T

C

0.5

5

0

9 V

1

10

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1 ％

51

4 V

R

B

和R

C

变化，以获得所需的电流水平

25

50

75

100

125

150

D

1

必须快速恢复类型，例如：

适用于PNP测试电路，

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

翻转所有极性

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

D

1

R

B

R

C

范围

V

CC

+30 V

2

20

0

T，温度（ ° C）

图1.功率降额

图2.开关时间测试电路

1K

500

300

200

100

T， TIME （ NS ）

50

30

20

10

5

3

2

T， TIME （ NS ）

t

d

10K

5K

3K

2K

1K

500

300

200

100

50

30

20

5

10

t

s

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

MJD200

MJD210

MJD200

MJD210

t

f

3

5

10

1

2 3

0.01 0.02 0.03 0.05 0.1

0.2 0.3 0.5

I

C

，集电极电流（ A）

10

0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5

1

2

I

C

，集电极电流（ A）

图3.开启时间

图4.开启，关闭时间

http://onsemi.com

3

MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）

NPN

MJD200

400

T

J

= 150°C

25°C

的hFE ， DC电流增益

200

55

°C

100

80

60

40

V

CE

= 1 V

V

CE

= 2 V

0.2

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

200

400

T

J

= 150°C

25°C

100

80

60

40

V

CE

= 1 V

V

CE

= 2 V

0.2

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

55

°C

PNP

MJD210

20

0.05 0.07 0.1

20

0.05 0.07 0.1

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

图5.直流电流增益

2

T

J

= 25°C

1.6

V，电压（V ）

2

T

J

= 25°C

1.6

1.2

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 1 V

0.4

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1

I

C

，集电极电流（ A）

2

3

5

1.2

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 1 V

0.4

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1

I

C

，集电极电流（ A）

2

3

5

0.8

图6. “开”电压

+2.5

θ

V，温度系数（MV / C）

°

+2

+1.5

+1

+0.5

0

0.5

1

1.5

2

2.5

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

q

VB

对于V

BE

55

°C

至25℃

25 ℃150 ℃的

55

°C

至25℃

2

3

5

q

VC

对于V

CE （ SAT ）

25 ℃150 ℃的

*适用于我

C

/I

B

≤

h

FE/3

θ

V，温度系数（MV / C）

°

+2.5

+2

+1.5

+1

+0.5

0

0.5

1

1.5

2

2.5

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

q

VB

对于V

BE

25 ℃150 ℃的

55

°C

至25℃

*q

VC

对于V

CE （ SAT ）

55

°C

至25℃

*适用于我

C

/I

B

≤

h

FE/3

25 ℃150 ℃的

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

图7.温度系数

http://onsemi.com

4

MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.02

0.05

0.02

0.01

0 （单脉冲）

D = 0.5

0.2

0.1

R

QJC

（吨） = R （t）的

q

JC

R

QJC

= 10 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

q

JC

(t)

P

（ PK）

R（T ），瞬态热

电阻（标准化）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

吨，时间（ ms）的

5

10

20

50

100

200

图8.热响应

10

IC ，集电极电流（ AMP ）

5

3

2

1

5毫秒

T

J

= 150°C

100

ms

500

ms

dc

键合丝有限公司

限热@ T

C

= 25°C

（单脉冲）

二次击穿有限公司

曲线适用BELOW

为V

首席执行官

1

2

3

5

7 10

20

V

CE

，集电极 - 发射极电压（ V）

30

1毫秒

0.1

0.01

0.3

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图9中的数据是基于对T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

150℃。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图8.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图9.活动区安全工作区

200

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

100

70

50

C

ob

30

20

0.4

MJD200 （ NPN ）

MJD210 （ PNP ）

0.6

1

2

4

6

10

V

R

，反向电压（V）的

20

40

C

ib

图10.电容

http://onsemi.com

5

MJD200 （ NPN ）

MJD210 （ PNP ）

塑料互补

功率晶体管

NPN / PNP硅DPAK对于表面

安装应用

专为低电压，低功耗，高增益音频

放大器应用。

特点

http://onsemi.com

集电极 - 发射极耐受电压

V

CEO （ SUS ）

= 25伏直流（最小值） @我

C

= 10 MADC

高直流电流增益

h

FE

= 70 （分） @我

C

= 500 MADC

= 45 （分） @我

C

= 2 ADC

= 10 （分钟） @我

C

= 5 ADC

铅形成在塑料套管表面贴装应用

（没有后缀）

低集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

= 0.3伏（最大） @我

C

= 500 MADC

= 0.75伏直流（最大） @我

C

= 2.0 ADC

高电流增益

带宽积

f

T

= 65兆赫（最小值） @我

C

= 100 MADC

环形结构以降低漏

I

CBO

= 100 NADC @额定V

CB

环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125

ESD额定值：人体模型， 3B

u

8000 V

机器型号，C

u

400 V

这些都是无铅封装

等级

符号

V

CB

V

首席执行官

V

EB

I

C

I

B

P

D

P

D

最大

40

25

8.0

5.0

10

1.0

12.5

0.1

1.4

0.011

65

+150

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

W

W / ℃，

°C

硅

功率晶体管

5安培

25伏， 12.5沃茨

4

1 2

3

DPAK

CASE 369C

风格1

标记图

AYWW

J2x0G

最大额定值

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散（注1 ）

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

连续

PEAK

A

Y

WW

G

=大会地点

=年

=工作周

x = 1或0

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

T

J

, T

英镑

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘时

推荐大小。

半导体元件工业有限责任公司， 2011

2011年1月

启示录10

1

出版订单号：

MJD200/D

MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境（注2 ）

符号

R

QJC

R

qJA

最大

10

89.3

单位

° C / W

2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

25

最大

单位

VDC

开关特性

集电极 - 发射极耐受电压（注3 ），（我

C

= 10 MADC ，我

B

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 40 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 40 VDC ，我

E

= 0, T

J

= 125°C)

发射极截止电流（V

BE

= 8伏，我

C

= 0)

DC电流增益（注3），

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 1伏）

(I

C

= 2的ADC ，V

CE

= 1伏）

(I

C

= 5 ADC ，V

CE

= 2 VDC ）

V

CEO （ SUS ）

V

CBO

100

NADC

MADC

NADC

V

EBO

h

FE

基本特征

70

45

10

180

集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 200 MADC ）

(I

C

= 5 ADC ，我

B

= 1 ADC）

V

CE （ SAT ）

VDC

0.3

0.75

1.8

2.5

1.6

基射极饱和电压（注3 ），（我

C

= 5 ADC ，我

B

= 1 ADC）

基射极电压上（注3 ），（我

C

= 2的ADC ，V

CE

= 1伏）

电流增益

带宽积（注4 ）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 10 VDC ，女

TEST

= 10兆赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

f

T

VDC

动态特性

65

兆赫

pF

MJD200

MJD210

C

ob

80

120

3.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比

[

2%.

4. f

T

=

h

fe

f

TEST

.

订购信息

设备

MJD200G

MJD200RLG

MJD200T4G

MJD210G

MJD210RLG

MJD210T4

MJD210T4G

套餐类型

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

航运

75单位/铁

1800 /磁带&卷轴

2500 /磁带&卷轴

75单位/铁

1800 /磁带&卷轴

2500 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）

T

A

2.5

PD ，功耗（瓦）

T

C

25

ms

+11 V

1.5

15

T

A

（表面贴装）

T

C

0.5

5

0

-9 V

1

10

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1 ％

51

-4 V

R

B

和R

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

必须快速恢复类型，例如：

适用于PNP测试电路，

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

翻转所有极性

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

D

1

R

B

R

C

范围

V

CC

+ 30 V

2

20

0

25

50

75

100

125

150

T，温度（ ° C）

图1.功率降额

图2.开关时间测试电路

1K

500

300

200

100

T， TIME （ NS ）

50

30

20

10

5

3

2

T， TIME （ NS ）

t

d

10K

5K

3K

2K

1K

500

300

200

100

50

30

20

5

10

t

s

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

MJD200

MJD210

MJD200

MJD210

t

f

3

5

10

1

2 3

0.01 0.02 0.03 0.05 0.1

0.2 0.3 0.5

I

C

，集电极电流（ A）

10

0.01 0.02 0.03 0.05 0.1

0.2 0.3 0.5

1

2

I

C

，集电极电流（ A）

图3.开启时间

图4.开启，关闭时间

http://onsemi.com

3

MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）

NPN

MJD200

400

T

J

= 150°C

25°C

的hFE ， DC电流增益

200

- 55°C

100

80

60

40

V

CE

= 1 V

V

CE

= 2 V

0.2 0.3

0.5 0.7 1

2

I

C

，集电极电流（ A）

3

5

200

400

T

J

= 150°C

25°C

100

80

60

40

V

CE

= 1 V

V

CE

= 2 V

0.2 0.3

0.5 0.7 1

2

I

C

，集电极电流（ A）

3

5

PNP

MJD210

- 55°C

20

0.05 0.07 0.1

20

0.05 0.07 0.1

图5.直流电流增益

2

T

J

= 25°C

1.6

V，电压（V ）

2

T

J

= 25°C

1.6

1.2

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 1 V

0.4

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1

I

C

，集电极电流（ A）

2

3

5

1.2

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 1 V

0.4

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1

I

C

，集电极电流（ A）

2

3

5

0.8

图6. “开”电压

+ 2.5

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

+2

+ 1.5

+1

+ 0.5

0

- 0.5

-1

- 1.5

-2

- 2.5

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

q

VB

对于V

BE

- 55 ° C至25°C时

2

3

5

- 55 ° C至25°C时

25 ℃150 ℃的

q

VC

对于V

CE （ SAT ）

25 ℃150 ℃的

*适用于我

C

/I

B

≤

h

FE/3

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

+ 2.5

+2

+ 1.5

+1

+ 0.5

0

- 0.5

-1

- 1.5

-2

- 2.5

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1

2

3

5

q

VB

对于V

BE

25 ℃150 ℃的

- 55 ° C至25°C时

*q

VC

对于V

CE （ SAT ）

- 55 ° C至25°C时

*适用于我

C

/I

B

≤

h

FE/3

25 ℃150 ℃的

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

图7.温度系数

http://onsemi.com

4

MJD200 （ NPN ） MJD210 （ PNP ）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.02

0.05

0.02

0.01

0 （单脉冲）

D = 0.5

0.2

0.1

R

QJC

（吨） = R （t）的

q

JC

R

QJC

= 10 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

- T

C

= P

（ PK）

q

JC

(t)

P

（ PK）

R（T ），瞬态热

电阻（标准化）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

吨，时间（ ms）的

5

10

20

50

100

200

图8.热响应

10

IC ，集电极电流（ AMP ）

5

3

2

1

5毫秒

T

J

= 150°C

100

ms

500

ms

dc

键合丝有限公司

限热@ T

C

= 25°C

（单脉冲）

二次击穿有限公司

曲线适用BELOW

为V

首席执行官

1

2

3

5

7 10

20

V

CE

，集电极 - 发射极电压（ V）

30

1毫秒

0.1

0.01

0.3

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图9中的数据是基于对T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

150℃。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图8.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图9.活动区安全工作区

200

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

100

70

50

C

ob

30

20

0.4

MJD200 （ NPN ）

MJD210 （ PNP ）

0.6

1

2

4

6

10

V

R

，反向电压（V）的

20

40

C

ib

图10.电容

http://onsemi.com

5