MJD18002D2
双极NPN晶体管
高速，高增益双极NPN
功率晶体管集成
集电极 - 发射极二极管和内置
高效抗饱和网络
该MJD18002D2是国家的最先进的高速，高增益
双极晶体管（ H2BIP ） 。严密的动态特性和很多很多
最小价差（ ±150 ns的存储时间）使其非常适合
光镇流器应用。因此，不再有必要
保证一个H
FE
窗口。
特点
http://onsemi.com
功率晶体管
2安培
1000伏， 50瓦
基数低驱动要求
高峰直流电流增益（ 55典型值） @我
C
= 100毫安
极低的存储时间最小/最大保证由于
H2BIP结构，最大限度地减少传播
集成的集电极 - 发射极续流二极管
充分界定和保证动态V
CESAT
特性使其适合PFC应用
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
六Sigma过程提供了严密和Reproductible参数
价差
无铅包装是否可用
等级
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流
基极电流
基极电流
- 连续
- 山顶（注1 ）
- 连续
- 山顶（注1 ）
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
价值
450
1000
1000
11
2.0
5.0
1.0
2.0
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
YWW
180
02D2G
4
1 2
3
最大额定值
DPAK
CASE 369C
风格1
标记图
热特性
特征
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大无铅焊接温度的
用途： 1/8“案件从5秒
符号
P
D
T
J
, T
英镑
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
50
0.4
-65到+150
5.0
71.4
260
单位
W
W / ℃，
°C
° C / W
° C / W
°C
Y
WW
18002D2
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MJD18002D2T4
MJD18002D2T4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试：脉冲宽度= 5.0毫秒，占空比= 10 ％ 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
MJD18002D2/D
1
2006年1月 - 第2版
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态饱和电压
二极管的特性
动态特性
基本特征
开关特性
动态饱和电压
Determinated 1
ms
和3
ms
分别后，我不断上升
B1
到达
90％的最终余
B1
正向恢复时间
(I
F
= 0.4 ADC ，的di / dt = 10 A / MS）
正向二极管电压
(I
EC
= 1.0 ADC）
输入电容（V
EB
= 8伏）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1 MHz）的
电流增益带宽（我
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1兆赫）
直流电流增益
(I
C
= 0.4 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 0.4 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 0.4 ADC ，我
B
= 40 MADC ）
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.2 ADC）
发射极截止电流（V
EB
= 10 VDC ，我
C
= 0)
集电极截止电流（V
CE
=额定V
CES
, V
EB
= 0)
集电极截止电流（V
CE
=额定V
首席执行官
, I
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
EBO
= 1 mA）的
集电极 - 基极击穿电压（I
CBO
= 1 mA）的
集电极 - 发射极耐受电压（I
C
= 100毫安， L = 25毫亨）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 0.2 ADC）
(I
F
= 1.0 ADC ，的di / dt = 10 A / MS）
(I
EC
= 0.4 ADC）
(V
CE
= 500 V, V
EB
= 0)
特征
I
C
= 1 ADC
I
B1
= 0.2 A
V
CC
= 300伏
I
C
= 0.4 ADC
I
B1
= 40毫安
V
CC
= 300伏
http://onsemi.com
MJD18002D2
@ 3
ms
@ 1
ms
@ 3
ms
@ 1
ms
2
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
V
CEO （ SUS ）
V
CE （ DSAT ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
CBO
V
EBO
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
V
EC
C
ob
h
FE
C
ib
t
fr
f
t
1000
民
450
14
8.0
6.0
4.0
11
1100
0.40
0.65
0.36
0.50
0.78
0.87
11.7
典型值
480
517
340
570
2.5
7.4
0.6
1.0
1.2
10
6.0
50
13
25
15
14
1.3
0.75
1.2
最大
500
100
500
100
500
100
100
1.3
1.5
0.6
1.0
1.0
1.1
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
pF
ns
V
QQ：2880707522 复制
