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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第3059页 > MJD127-1
铅形成在塑料套管表面贴装应用(没有后缀)
直引线型的塑料套管( “-1”后缀)
导致形成版本提供16毫米磁带和卷轴( “ T4 ”后缀)
表面贴装替代2N6040-2N6045系列, TIP120 , TIP122
系列和TIP125 , TIP127系列
单片式结构,具有内置基射极分流电阻
高直流电流增益 - 的hFE = 2500 (典型值) @ IC = 4.0 ADC
互补对简化设计
*这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
(续)
开关特性
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
DPAK对于表面贴装应用
达林顿互补
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
热特性
最大额定值
REV 1
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 50伏直流电, IB = 0 )
集电极 - 发射极耐受电压
( IC = 30 MADC , IB = 0 )
热阻,结到环境*
热阻,结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散* @ TA = 25
_
C
减免上述25
_
C
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
专为通用放大器和低速开关应用。
特征
特征
等级
VCEO ( SUS)
符号
符号
符号
TJ , TSTG
VCEO
R
θJC
ICEO
R
θJA
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
100
- 65至+ 150
MJD122
MJD127
1.75
0.014
71.4
6.25
最大
20
0.16
120
100
100
8
16
5
最大
10
MADC
W/
_
C
W/
_
C
_
C / W
_
C / W
μAdc
单位
单位
单位
ADC
VDC
VDC
VDC
VDC
_
C
功率晶体管
8安培
100伏
20瓦
最小焊盘尺寸
推荐用于
表面贴装
应用
MJD122*
PNP
MJD127*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 369A - 13
CASE 369-07
订购此文件
通过MJD122 / D
NPN
英寸
mm
1
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.07
1.8
0.165
4.191
0.190
4.826
MJD122 MJD127
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
动态特性
基本特征
开关特性 - 续
电气特性 - 续
( TC = 25
_
C除非另有说明)
小信号电流增益
( IC = 3的ADC, VCE = 4伏, F = 1千赫)
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , F = 0.1兆赫)
电流增益带宽积
( IC = 3的ADC, VCE = 4伏, F = 1兆赫)
基射极电压ON
( IC = 4个ADC , VCE = 4伏)
基射极饱和电压( 1 )
( IC = 8 ADC , IB = 80 MADC )
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 4个ADC , IB = 16 MADC )
( IC = 8 ADC , IB = 80 MADC )
直流电流增益
( IC = 4个ADC , VCE = 4伏)
( IC = 8 ADC , VCE = 4伏)
发射Cuto FF电流
( VBE = 5 VDC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 100伏, IE = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 100伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCE = 100伏, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 125
_
C)
2
特征
v
300
s,
占空比
v
2%.
PD ,功耗(瓦)
0.5
1.5 15
TA TC
2.5 25
0
1 10
2 20
0
5
25
50
TA
表面
MOUNT
图1.功率降额
MJD127
MJD122
TC
75
100
T,温度( ° C)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
符号
ICBO
IEBO
ICEX
| HFE |
COB
的hFE
的hFE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
125
1000
100
300
4
150
12,000
最大
10
500
300
200
2.8
4.5
10
2
4
2
MADC
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
pF
MJD122 MJD127
典型电气特性
PNP MJD127
20,000
VCE = 24 V
的hFE , DC电流增益
的hFE , DC电流增益
10,000
7000
5000
3000
2000
25°C
1000
700
500
300
200
0.1
– 55°C
10,000
5000
3000
2000
25°C
1000
500
300
200
0.1
– 55°C
TJ = 150℃
20,000
VCE = 24 V
NPN MJD122
TJ = 150℃
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMP )
IC ,集电极电流( AMP )
图2.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
TJ = 25°C
2.6
IC = 2将
4A
6A
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
3
3
TJ = 25°C
2.6
IC = 2将
4A
6A
2.2
2.2
1.8
1.8
1.4
1
0.3
1.4
1
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20
30
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20 30
IB ,基极电流(毫安)
IB ,基极电流(毫安)
图3.集电极饱和区
3
TJ = 25°C
2.5
V,电压(V )
V,电压(V )
3
TJ = 25°C
2.5
2
2
VBE (星期六) @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 24 V
1
VCE (SAT) @ IC / IB = 250
0.5
0.1
1.5
VBE @ VCE = 24 V
VBE (星期六) @ IC / IB = 250
VCE (SAT) @ IC / IB = 250
1.5
1
0.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
IC ,集电极电流( AMP )
IC ,集电极电流( AMP )
图4. “开”电压
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJD122 MJD127
典型电气特性
PNP MJD127
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
* IC / IB
hFE/3
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
+5
+4
+3
+2
+1
0
–1
–2
–3
–4
–5
0.1
0.2 0.3
1
2 3
0.5
IC ,集电极电流( AMP )
5
7
10
θ
VB的VBE
θ
VC的VCE (SAT)
- 55 ° C至25°C时
25 ℃150 ℃的
25 ℃150 ℃的
+5
+4
+3
+2
+1
0
–1
–2
–3
–4
θ
VB的VBE
25 ℃150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
5
7
10
* θVC FOR VCE (SAT)
- 55 ° C至25°C时
* IC / IB
hFE/3
25 ℃150 ℃的
NPN MJD122
- 55 ° C至25°C时
–5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2 3
IC ,集电极电流( AMP )
图5.温度系数
105
反向
IC ,集电极电流(
A)
104
103
102
101
100
TJ = 150℃
100°C
25°C
– 1.2 – 1.4
VCE = 30 V
前锋
IC ,集电极电流(
A)
105
反向
104
103
102
TJ = 150℃
101
100
100°C
VCE = 30 V
前锋
10–1
0 – 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 – 1
+ 0.6 + 0.4 + 0.2
VBE ,基极发射极电压(伏)
25°C
10–1
– 0.6 – 0.4 – 0.2
0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 + 1
VBE ,基极发射极电压(伏)
+ 1.2 + 1.4
图6.集电极截止区
10,000
HFE ,小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1
2
5
10
20
50 100
男,频率(KHz )
200
500 1000
PNP
NPN
TC = 25°C
VCE = 4伏
IC = 3 ADC
C,电容(pF )
300
TJ = 25°C
200
COB
100
70
兴业银行
50
PNP
NPN
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
30
0.1
VR ,反向电压(伏)
图7.小信号电流增益
图8.电容
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJD122 MJD127
5
RB & RC变化,以获得所需的电流水平
VCC
D1 ,必须快速恢复类型,例如:
– 30 V
1N5825上面使用IB
百毫安
MSD6100下使用IB
百毫安
RC范围
TUT
V2
RB
+8 V
8 k
120
51 D1
0
V1
+4V
–12 V
25
s
TR , TF
10纳秒
占空比= 1 %
对于TD和TR , D1断开
和V2 = 0
适用于NPN测试电路翻转所有的极性。
3
2
1
T, TIME (
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
ts
PNP
NPN
tf
VCC = 30 V
IC / IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.2
tr
TD @ VBE (关闭) = 0 V
5
7
10
0.3
0.5 0.7 1
3
2
IC ,集电极电流( AMP )
图9.开关时间测试电路
图10.开关时间
R(T ) ,有效的瞬变
热电阻(标准化)
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
R
θJC (T )
= R(T )R
θJC
R
θJC
= 6.25 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK)
θ
JC (T )
P( PK)
t1
t2
占空比D = T1 / T2
50
100
200 300
500
1000
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
吨,时间或脉冲宽度(毫秒)
20
30
图11.热响应
IC ,集电极电流( AMP )
20
15
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
TJ = 150℃
1毫秒
500
s
100
s
5毫秒
焊线LIMIT
热限制
TC = 25°C (单脉冲)
第二击穿极限
曲线适用于低于额定VCEO
1
2
3
5
7
10
20
30
dc
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图12的数据是基于T J (峰) = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次,脉细数
限制是有效的占空比为10%的规定TJ ( PK)
& LT ; 150
_
C. TJ ( pk)的可从图 - 的数据计算
URE 11.在高温度的情况下,热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
70 100
50
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
图12.最大正向偏置
安全工作意图
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
MJD122-1 / MJD122T4
MJD127-1 / MJD127T4
互补发电
达林顿晶体管
订购
CODE
MJD122T4
MJD122-1
MJD127T4
MJD127-1
s
s
s
记号
MJD122
MJD122
MJD127
MJD127
TO-252
TO-251
TO-252
TO-251
( DPAK )
( IPAK )
( DPAK )
( IPAK )
装船
磁带&卷轴
磁带&卷轴
3
3
2
1
s
s
s
意法半导体优选SALESTYPES
基数低驱动要求
综合反平行
集电极 - 发射极二极管
直插TO- 251 ( IPAK )
电源包装管内(后缀“ -1” )
表面贴装TO- 252 ( DPAK )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP122和
TIP127
通用开关和
扩音器
1
TO-251
IPAK
(后缀“-1” )
TO-252
DPAK
(后缀“ T4 ” )
内部原理图
应用范围:
s
描述
该MJD122和MJD127形成互补
NPN - PNP配对。他们使用的是制造
外延taxial巴斯辰科技的成本EFF ective
性能。
R
1
典型值。 = 10 KΩ
R
2
典型值。 = 150
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
p
& LT ; 5毫秒)
基极电流
总功耗在T
c
= 25
°C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
MJD122
MJD127
100
100
5
5
8
0.1
20
-65到150
150
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
为PNP型的电压和电流值是负的。
2002年8月
1/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
6.25
100
° C / W
° C / W
电气特性
(T
j
= 25
°C
除非另有规定编)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
集电极截止
电流(I
B
= 0)
集电极截止
电流(V
BE
= -1.5 V)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
V
CB
= 100 V
V
CE
= 50 V
V
CE
= 100 V
V
CE
= 100 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
100
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
10
500
2
单位
A
A
A
A
mA
V
T
j
= 125
°C
V
CEO ( SUS )
*集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE ( SAT )
*
V
BE ( SAT )
*
V
BE(上)
*
h
FE
*
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极上
电压
直流电流增益
I
C
= 4 A
I
C
= 8 A
I
C
= 8 A
I
C
= 4 A
I
C
= 4 A
I
C
= 8 A
I
B
= 16毫安
I
B
= 80毫安
I
B
= 80毫安
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
1000
100
2
4
4.5
2.8
12000
V
V
V
V
*脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2 %.
为PNP型的电压和电流值是负的。
2/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
安全工作区
降额曲线
集电极 - 发射极饱和电压( NPN型)
集电极 - 发射极饱和电压( PNP型)
基射极饱和电压( NPN型)
基射极饱和电压( PNP型)
3/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
基射极电压上( NPN型)
基射极电压上( PNP型)
直流电流增益( NPN型)
直流电流增益( PNP型)
开关时间阻性负载( NPN型)
开关时间阻性负载( PNP型)
4/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
续流二极管的正向电压( NPN型)
续流二极管的正向电压( PNP型)
5/8
MJD122-1 / MJD122T4
MJD127-1 / MJD127T4
互补发电
达林顿晶体管
订购
CODE
MJD122T4
MJD122-1
MJD127T4
MJD127-1
s
s
s
记号
MJD122
MJD122
MJD127
MJD127
TO-252
TO-251
TO-252
TO-251
( DPAK )
( IPAK )
( DPAK )
( IPAK )
装船
磁带&卷轴
磁带&卷轴
3
3
2
1
s
s
s
意法半导体优选SALESTYPES
基数低驱动要求
综合反平行
集电极 - 发射极二极管
直插TO- 251 ( IPAK )
电源包装管内(后缀“ -1” )
表面贴装TO- 252 ( DPAK )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP122和
TIP127
通用开关和
扩音器
1
TO-251
IPAK
(后缀“-1” )
TO-252
DPAK
(后缀“ T4 ” )
内部原理图
应用范围:
s
描述
该MJD122和MJD127形成互补
NPN - PNP配对。他们使用的是制造
外延taxial巴斯辰科技的成本EFF ective
性能。
R
1
典型值。 = 10 KΩ
R
2
典型值。 = 150
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
p
& LT ; 5毫秒)
基极电流
总功耗在T
c
= 25
°C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
MJD122
MJD127
100
100
5
5
8
0.1
20
-65到150
150
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
为PNP型的电压和电流值是负的。
2002年8月
1/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
6.25
100
° C / W
° C / W
电气特性
(T
j
= 25
°C
除非另有规定编)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
集电极截止
电流(I
B
= 0)
集电极截止
电流(V
BE
= -1.5 V)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
V
CB
= 100 V
V
CE
= 50 V
V
CE
= 100 V
V
CE
= 100 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
100
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
10
500
2
单位
A
A
A
A
mA
V
T
j
= 125
°C
V
CEO ( SUS )
*集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE ( SAT )
*
V
BE ( SAT )
*
V
BE(上)
*
h
FE
*
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极上
电压
直流电流增益
I
C
= 4 A
I
C
= 8 A
I
C
= 8 A
I
C
= 4 A
I
C
= 4 A
I
C
= 8 A
I
B
= 16毫安
I
B
= 80毫安
I
B
= 80毫安
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
1000
100
2
4
4.5
2.8
12000
V
V
V
V
*脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2 %.
为PNP型的电压和电流值是负的。
2/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
安全工作区
降额曲线
集电极 - 发射极饱和电压( NPN型)
集电极 - 发射极饱和电压( PNP型)
基射极饱和电压( NPN型)
基射极饱和电压( PNP型)
3/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
基射极电压上( NPN型)
基射极电压上( PNP型)
直流电流增益( NPN型)
直流电流增益( PNP型)
开关时间阻性负载( NPN型)
开关时间阻性负载( PNP型)
4/8
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
续流二极管的正向电压( NPN型)
续流二极管的正向电压( PNP型)
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