【MJD112 （ NPN ）MJD117 （ PNP ）首选设备达林顿互补功率晶体管DPAK对于表面】,IC型号MJD117-001,MJD117-001 PDF资料,MJD117-001经销商,ic,电子元器件-51电子网

MJD112 （ NPN ）

MJD117 （ PNP ）

首选设备

达林顿互补

功率晶体管

DPAK对于表面贴装应用

专为通用电源和开关如输出或

驱动器级中的应用，如开关稳压器，转换器，

和功率放大器。

特点

http://onsemi.com

铅形成在塑料套管表面贴装应用

（没有后缀）

直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）

电类似于热门TIP31和TIP32系列

无铅包可用

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散（注1）

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

- 连续

- 山顶

符号

V

首席执行官

V

CB

V

EB

I

C

I

B

P

D

P

D

1.75

0.014

T

J

, T

英镑

-65到+150

最大

100

5

2

4

50

20

0.16

单位

VDC

ADC

MADC

W

W / ℃，

W

W / ℃，

°C

1

硅

功率晶体管

2安培

100伏， 20瓦

记号

图表

4

1 2

3

DPAK

CASE 369C

YWW

J11xG

4

YWW

J11xG

2

3

DPAK3

CASE 369D

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

符号

R

QJC

R

qJA

最大

6.25

71.4

单位

° C / W

Y

WW

x

G

=年

=工作周

= 2或7的

= Pb-Free包装

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第6页。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.这些额定值，适用面安装在最小焊盘时

推荐大小。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年1月 - 启示录7

出版订单号：

MJD112/D

2.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

*这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。

动态特性

基本特征

开关特性

V

2

约

+8 V

0

V

1

约

12 V

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

电流增益 - 带宽积

(I

C

= 0.75 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1兆赫）

基射极电压ON

(I

C

= 2的ADC ，V

CE

= 3伏）

基射极饱和电压

(I

C

= 4个ADC ，我

B

= 40 MADC ）

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 8 MADC ）

(I

C

= 4个ADC ，我

B

= 40 MADC ）

直流电流增益

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 3伏）

(I

C

= 2的ADC ，V

CE

= 3伏）

(I

C

= 4个ADC ，V

CE

= 3伏）

发射极截止电流

(V

BE

= 5 VDC ，我

C

= 0)

集电极截止电流

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5 VDC ，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 0)

R

B

＆放大器;

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

，必须快速恢复类型，例如：

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1 ％

图1.开关时间测试电路

25

ms

对于T

d

和T

r

, D

1

断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有的极性。

特征

R

B

MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）

TUT

V

CC

30 V

R

C

范围

T， TIME （

μ

s)

51

D

1

+4V

≈

8k

≈

60

http://onsemi.com

MJD117

MJD112

0.2

0.04 0.06

0.4

0.6

1

0.8

2

4

V

CEO （ SUS ）

符号

0.1

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

I

EBO

PNP

NPN

C

ob

h

FE

2

图2.开关时间

f

T

0.2

0.4 0.6

1

I

C

，集电极电流（ AMP ）

t

s

500

1000

200

民

100

25

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

12,000

最大

200

100

2.8

10

20

4

2

3

2

t

f

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

2

MADC

兆赫

单位

VDC

t

r

pF

4

MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）

R（T ），有效的瞬变

热电阻（标准化）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

单脉冲

R

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 6.25 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

q

JC （T ）

P

（ PK）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1

2 3

5

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

50

100

200 300

500

1000

图3.热响应

有源区的安全工作区

T

A

T

C

2.5 25

500

ms

1毫秒

5毫秒

dc

键合丝有限公司

热限制

第二击穿极限

T

J

= 150°C

曲线适用于低于额定V

首席执行官

2

3

5

7

10

20

30

50

70 100

200

PD ，功耗（瓦）

100

ms

IC ，集电极电流（ AMP ）

10

7

5

3

2

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

2 20

1.5 15

T

A

表面

MOUNT

T

C

1 10

0.5

5

0

25

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

75

100

T，温度（ ° C）

125

15

图4.最大额定正向偏置

安全工作区

图5.功率降额

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5和图6的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C ;牛逼

C

是可变的取决于条件。二次击穿

脉冲限制的有效期为占空比为10％的规定

T

J（下PK）

< 150_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

200

T

C

= 25°C

C，电容（pF ）

100

70

50

C

ob

30

C

ib

20

PNP

NPN

10

0.04 0.06 0.1

0.2

0.4 0.6

1

2

4

6

10

20

40

V

R

，反向电压（伏）

图6.电容

http://onsemi.com

3

MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）

典型电气特性

NPN MJD112

6k

T

J

= 125°C

4k

的hFE ， DC电流增益

3k

2k

25°C

V

CE

= 3 V

4k

3k

2k

25°C

6k

T

C

= 125°C

V

CE

= 3 V

PNP MJD117

1k

800

600

400

300

0.04 0.06

55

°C

1k

800

600

400

300

0.04 0.06

55

°C

0.1

0.2

0.4 0.6

1

I

C

，集电极电流（ AMP ）

2

4

0.1

0.2

0.4 0.6

1

I

C

，集电极电流（ AMP ）

2

4

图7.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.4

T

J

= 125°C

3 I

C

=

0.5 A

2.6

2.2

1.8

1.4

1

0.6

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

3.4

3

2.6

2.2

1.8

1.4

1

0.6

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

I

C

=

0.5 A

1A

2A

4A

T

J

= 125°C

1A

2A

4A

I

B

，基极电流（毫安）

I

B

，基极电流（毫安）

图8.集电极饱和区

2.2

T

J

= 25°C

1.8

V，电压（V ）

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V，电压（V ）

1.8

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

2.2

T

J

= 25°C

1.4

V

BE

@ V

CE

= 3 V

1.4

V

BE

@ V

CE

= 3 V

1

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.6

1

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.6

0.2

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4

0.6

1

2

4

0.2

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4

0.6

1

2

4

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图9. “关于电压

http://onsemi.com

4

MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）

NPN MJD112

+0.8

0

0.8

25 ℃150 ℃的

1.6

2.4

3.2

4

q

VC

对于V

BE

*q

VC

对于V

CE （ SAT ）

55

°C

至25℃

25 ℃150 ℃的

55

°C

至25℃

0.2

0.4 0.6

1

I

C

，集电极电流（ AMP ）

2

4

*适用于我

C

/I

B

<

FE

/3

+0.8

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4

q

VB

对于V

BE

55

°C

至25℃

*q

VC

对于V

CE （ SAT ）

*适用于我

C

/I

B

<

FE

/3

25 ℃150 ℃的

PNP MJD117

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

55

°C

至25℃

25 ℃150 ℃的

4.8

0.04 0.06

0.1

4.8

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4 0.6

1

I

C

，集电极电流（ AMP ）

2

4

图10.温度系数

10

5

IC ，集电极电流（

μ

A)

IC ，集电极电流（

μ

A)

10

4

10

3

10

2

T

J

= 150°C

10

1

10

0

10

1

0.6 0.4

100°C

25°C

0.2

0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1

V

BE

，基极发射极电压（伏）

+1.2 +1.4

反向

前锋

10

5

10

4

10

3

10

2

10

1

10

0

10

1

+0.6 +0.4

T

J

= 150°C

100°C

25°C

+0.2

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

V

BE

，基极发射极电压（伏）

1.2 1.4

反向

前锋

V

CE

= 30 V

V

CE

= 30 V

图11.集电极截止区

PNP

集热器

NPN

集热器

BASE

≈

8k

≈

120

≈

8k

≈

120

辐射源

图12.达林顿示意图

http://onsemi.com

5

MJD112 （ NPN ）

MJD117 （ PNP ）

首选设备

达林顿互补

功率晶体管

DPAK对于表面贴装应用

专为通用电源和开关如输出或

驱动器级中的应用，如开关稳压器，转换器，

和功率放大器。

特点

http://onsemi.com

无铅包可用

铅形成在塑料套管表面贴装应用

（没有后缀）

直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）

铅16毫米磁带和卷轴形成版本

（ “ T4 ”和“ RL ”后缀）

电类似于热门TIP31和TIP32系列

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

PEAK

基极电流

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

总功率耗散* @ T

A

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结温

范围

符号

V

首席执行官

V

CB

V

EB

I

C

I

B

P

D

P

D

T

J

, T

英镑

最大

100

5

2

4

50

20

0.16

1.75

0.014

-65

+ 150

单位

VDC

ADC

1

2

MADC

W

W / ℃，

W

W / ℃，

°C

3

1 2

硅

功率晶体管

2安培

100伏

20瓦

记号

图表

4

DPAK

CASE 369C

3

YWW

J11x

4

DPAK3

CASE 369D

YWW

J11x

Y

WW

x

=年

=工作周

= 2或7的

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

热特性

特征

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

符号

R

QJC

R

qJA

最大

6.25

71.4

单位

° C / W

*这些评价适用面安装在最小焊盘尺寸时，

推荐使用。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年8月 - 修订版5

出版订单号：

MJD112/D

MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

(I

C

= 30 MADC ，我

B

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

V

CEO （ SUS ）

I

首席执行官

I

CBO

I

EBO

100

VDC

20

2

MADC

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 100伏，我

E

= 0)

发射Cuto FF电流

(V

BE

= 5 VDC ，我

C

= 0)

MADC

集电极截止电流（V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

发射极截止电流（V

BE

= 5 VDC ，我

C

= 0)

I

CBO

I

EBO

10

2

MADC

基本特征

直流电流增益

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 3伏）

(I

C

= 2的ADC ，V

CE

= 3伏）

(I

C

= 4个ADC ，V

CE

= 3伏）

h

FE

500

1000

200

12,000

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 2的ADC ，我

B

= 8 MADC ）

(I

C

= 4个ADC ，我

B

= 40 MADC ）

V

CE （ SAT ）

VDC

2

3

4

基射极饱和电压（I

C

= 4个ADC ，我

B

= 40 MADC ）

基射极电压上（我

C

= 2的ADC ，V

CE

= 3伏）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

VDC

2.8

动态特性

电流增益 - 带宽积

(I

C

= 0.75 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1兆赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0 ， F = 0.1兆赫）

f

T

25

兆赫

pF

C

ob

MJD117

MJD112

200

100

1.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

*这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。

订购信息

设备

MJD112

MJD112001

MJD112RL

MJD112T4

MJD112T4G

MJD117

MJD117G

MJD117001

MJD117T4

套餐类型

DPAK

DPAK3

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

DPAK3

DPAK

包

369C

369D

369C

369D

369C

航运

75单位/铁

1800磁带&卷轴

2500磁带&卷轴

75单位/铁

2500磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

2

MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）

R

B

＆放大器;

C

变化，以获得所需的电流水平

D

1

，必须快速恢复类型，例如：

1N5825上面使用我

B

≈

百毫安

MSD6100下使用我

B

≈

百毫安

TUT

V

2

约

+8 V

0

V

1

约

12 V

t

r

, t

f

≤

10纳秒

占空比= 1 ％

R

B

51

D

1

+4V

≈

8k

≈

60

V

CC

30 V

R

C

范围

T， TIME （

s)

4

t

s

2

t

f

t

r

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 250

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

1

0.8

0.6

0.4

PNP

NPN

0.1

25

ms

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 0 V

对于T

d

和T

r

, D

1

断开

和V

2

= 0

适用于NPN测试电路翻转所有的极性。

0.2

0.04 0.06

0.4 0.6

0.2

1

I

C

，集电极电流（ AMP ）

2

4

图1.开关时间测试电路

图2.开关时间

R（T ），有效的瞬变

热电阻（标准化）

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

单脉冲

R

QJC （T ）

= R（T ）R

QJC

R

QJC

= 6.25 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

q

JC （T ）

P

（ PK）

t

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1

2 3

5

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

50

100

200 300

500

1000

图3.热响应

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3

MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）

有源区的安全工作区

T

A

T

C

2.5 25

500

ms

1毫秒

5毫秒

dc

键合丝有限公司

热限制

第二击穿极限

T

J

= 150°C

曲线适用于低于额定V

首席执行官

2

3

5

7

10

20

30

50

70 100

200

PD ，功耗（瓦）

100

ms

IC ，集电极电流（ AMP ）

10

7

5

3

2

1

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

2 20

1.5 15

T

A

表面

MOUNT

T

C

1 10

0.5

5

0

25

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

75

100

T，温度（ ° C）

125

15

图4.最大额定正向偏置

安全工作区

图5.功率降额

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5和图6的数据是基于T

J（下PK）

= 150_C;

T

C

是可变的取决于条件。二次击穿

脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

< 150_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

200

T

C

= 25°C

C，电容（pF ）

100

70

50

C

ob

30

C

ib

20

PNP

NPN

10

0.04 0.06 0.1

0.2

0.4 0.6

1

2

4

6

10

20

40

V

R

，反向电压（伏）

图6.电容

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4

MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）

典型电气特性

NPN MJD112

6k

T

J

= 125°C

4k

的hFE ， DC电流增益

3k

2k

25°C

V

CE

= 3 V

4k

3k

2k

25°C

6k

T

C

= 125°C

V

CE

= 3 V

PNP MJD117

1k

800

600

400

300

0.04 0.06

55

°C

1k

800

600

400

300

0.04 0.06

55

°C

0.1

0.4 0.6

1

0.2

I

C

，集电极电流（ AMP ）

2

4

0.1

0.2

0.4 0.6

1

I

C

，集电极电流（ AMP ）

2

4

图7.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

T

J

= 125°C

3 I

C

=

0.5 A

2.6

2.2

1.8

1.4

1

0.6

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

3.4

3

2.6

2.2

1.8

1.4

1

0.6

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

I

C

=

0.5 A

1A

2A

4A

T

J

= 125°C

1A

2A

4A

I

B

，基极电流（毫安）

I

B

，基极电流（毫安）

图8.集电极饱和区

2.2

T

J

= 25°C

1.8

V，电压（V ）

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

V，电压（V ）

1.8

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

2.2

T

J

= 25°C

1.4

V

BE

@ V

CE

= 3 V

1.4

V

BE

@ V

CE

= 3 V

1

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.6

1

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 250

0.6

0.2

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4

0.6

1

2

4

0.2

0.04 0.06

0.1

0.2

0.4

0.6

1

2

4

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图9. “关于电压

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