MJD112 NPN硅达林顿晶体管
2006年11月
MJD112
NPN硅达林顿晶体管
特点
高直流电流增益
内置阻尼二极管，在E-C
铅形成了表面装载应用程序（没有后缀）
等效电路
C
tm
B
1
D- PAK
2.Collector
3.Emitter
R1
R2
E
1.Base
R1
10k
R2
0.6k
绝对最大额定值*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
100
100
5
2
4
50
20
1.75
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
集电极耗散（T
C
=25°C)
集电极耗散（T
a
=25°C)
结温
储存温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
测试条件
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
CB
= 100V ，我
B
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 3V ，我
C
= 0.5A
V
CE
= 3V ，我
C
= 2A
V
CE
= 3V ，我
C
= 4A
I
C
= 2A ，我
B
= 8毫安
I
C
= 4A ，我
B
= 40毫安
I
C
= 4A ，我
B
= 40毫安
V
CE
= 3A ，我
C
= 2A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.75A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
F =为0.1MHz
分钟。
100
马克斯。
20
20
2
单位
V
A
A
mA
500
1000
200
12K
2
3
4
2.8
V
V
V
V
兆赫
100
pF
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
*基射极电压ON
电流增益带宽积
输出电容
25
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
MJD112版本B
MJD112 NPN硅达林顿晶体管
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I21
5
MJD112版本B
www.fairchildsemi.com
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
*这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
动态特性
基本特征
开关特性
V
2
约
+8 V
0
V
1
约
12 V
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 0.75 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 2的ADC ，V
CE
= 3伏）
基射极饱和电压
(I
C
= 4个ADC ，我
B
= 40 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 2的ADC ，我
B
= 8 MADC ）
(I
C
= 4个ADC ，我
B
= 40 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 3伏）
(I
C
= 2的ADC ，V
CE
= 3伏）
(I
C
= 4个ADC ，V
CE
= 3伏）
发射极截止电流
(V
BE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
集电极截止电流
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 100伏，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注2 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
，必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1 ％
图1.开关时间测试电路
25
ms
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有的极性。
特征
R
B
MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）
TUT
V
CC
30 V
R
C
范围
T， TIME （
μ
s)
51
D
1
+4V
≈
8k
≈
60
http://onsemi.com
MJD117
MJD112
0.2
0.04 0.06
0.4
0.6
1
0.8
2
4
V
CEO （ SUS ）
符号
0.1
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
I
EBO
PNP
NPN
C
ob
h
FE
2
图2.开关时间
f
T
0.2
0.4 0.6
1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
t
s
500
1000
200
民
100
25
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
12,000
最大
200
100
2.8
10
20
20
4
2
3
2
2
t
f
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
2
MADC
MADC
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
t
r
pF
4
MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 6.25 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
100
200 300
500
1000
图3.热响应
有源区的安全工作区
T
A
T
C
2.5 25
500
ms
1毫秒
5毫秒
dc
键合丝有限公司
热限制
第二击穿极限
T
J
= 150°C
曲线适用于低于额定V
首席执行官
2
3
5
7
10
20
30
50
70 100
200
PD ，功耗（瓦）
100
ms
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
2 20
1.5 15
T
A
表面
MOUNT
T
C
1 10
0.5
5
0
0
25
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
75
100
T，温度（ ° C）
125
15
图4.最大额定正向偏置
安全工作区
图5.功率降额
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10％的规定
T
J（下PK）
< 150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
200
T
C
= 25°C
C，电容（pF ）
100
70
50
C
ob
30
C
ib
20
PNP
NPN
10
0.04 0.06 0.1
0.2
0.4 0.6
1
2
4
6
10
20
40
V
R
，反向电压（伏）
图6.电容
http://onsemi.com
3
MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）
典型电气特性
NPN MJD112
6k
T
J
= 125°C
4k
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
3k
2k
25°C
V
CE
= 3 V
4k
3k
2k
25°C
6k
T
C
= 125°C
V
CE
= 3 V
PNP MJD117
1k
800
600
400
300
0.04 0.06
55
°C
1k
800
600
400
300
0.04 0.06
55
°C
0.1
0.2
0.4 0.6
1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2
4
0.1
0.2
0.4 0.6
1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2
4
图7.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.4
T
J
= 125°C
3 I
C
=
0.5 A
2.6
2.2
1.8
1.4
1
0.6
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
3.4
3
2.6
2.2
1.8
1.4
1
0.6
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
I
C
=
0.5 A
1A
2A
4A
T
J
= 125°C
1A
2A
4A
I
B
，基极电流（毫安）
I
B
，基极电流（毫安）
图8.集电极饱和区
2.2
T
J
= 25°C
1.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V，电压（V ）
1.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
2.2
T
J
= 25°C
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3 V
1.4
V
BE
@ V
CE
= 3 V
1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.6
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1
2
4
0.2
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1
2
4
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图9. “关于电压
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4
MJD112 （ NPN ） MJD117 （ PNP ）
NPN MJD112
+0.8
0
0.8
25 ℃150 ℃的
1.6
2.4
3.2
4
q
VC
对于V
BE
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
55
°C
至25℃
25 ℃150 ℃的
55
°C
至25℃
0.2
0.4 0.6
1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2
4
*适用于我
C
/I
B
<
FE
/3
+0.8
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4
q
VB
对于V
BE
55
°C
至25℃
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
*适用于我
C
/I
B
<
FE
/3
25 ℃150 ℃的
PNP MJD117
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
55
°C
至25℃
25 ℃150 ℃的
4.8
0.04 0.06
0.1
4.8
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2
4
图10.温度系数
10
5
IC ，集电极电流（
μ
A)
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
4
10
3
10
2
T
J
= 150°C
10
1
10
0
10
1
0.6 0.4
100°C
25°C
0.2
0 +0.2 +0.4 +0.6 +0.8 +1
V
BE
，基极发射极电压（伏）
+1.2 +1.4
反向
前锋
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
+0.6 +0.4
T
J
= 150°C
100°C
25°C
+0.2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
V
BE
，基极发射极电压（伏）
1.2 1.4
反向
前锋
V
CE
= 30 V
V
CE
= 30 V
图11.集电极截止区
PNP
集热器
NPN
集热器
BASE
BASE
≈
8k
≈
120
≈
8k
≈
120
辐射源
辐射源
图12.达林顿示意图
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5
QQ：2880707522 复制
