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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2642页 > MJB42CT4G
MJB41C （ NPN ）
MJB42C （ PNP ）
首选设备
其他芯片
塑料功率晶体管
D
2
PAK表面贴装
http://onsemi.com
特点
铅形成在塑料套管表面贴装应用
（没有后缀）
电一样的TIP41和T1P42系列
无铅包可用
最大额定值
其他芯片
功率晶体管
6安培，
100伏， 65沃茨
记号
图
D
2
PAK
CASE 418B
风格1
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
100
100
5.0
6.0
10
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
- 连续
- 山顶
基极电流
2.0
总功耗
@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
总功耗
@ T
A
= 25_C
减免上述25℃
P
D
65
0.52
W
W / ℃，
W
W / ℃，
mJ
_C
P
D
2.0
0.016
62.5
非钳位感性负载能量（注1 ）
工作和存储结
温度范围
E
T
J
, T
英镑
-65到+150
等级
符号
价值
单位
J4xCG
AYWW
J4xC
A
Y
WW
G
=具体设备守则
x = 1或2
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
MJB41C
MJB41CG
MJB41CT4
MJB41CT4G
MJB42C
MJB42CG
MJB42CT4
MJB42CT4G
包
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
热特性
特征
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
单位
热阻，结到外壳
热阻，
结到环境
1.92
62.5
50
° C / W
° C / W
° C / W
_C
热阻，
结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
260
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. I
C
= 2.5 A，L = 20毫亨， P.R.F. = 10赫兹，V
CC
= 10 V ，R
BE
= 100
W
2.当表面安装到FR-4板使用最小推荐
焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 第1版
出版订单号：
MJB41C/D
MJB41C （ NPN ）
PD ，功耗（瓦）
0
9.0 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
T， TIME （
μ
s)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ） （我
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
集电极截止电流（V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
CES
100
VDC
0.7
MADC
MADC
MADC
集电极截止电流（V
CE
= 100伏，V
EB
= 0)
发射极截止电流（V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
100
50
I
EBO
基本特征
（注3）
直流电流增益
(I
C
= 0.3 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
h
FE
30
15
75
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 6.0 ADC ，我
B
= 600 MADC ）
基射极电压上（我
C
= 6.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
1.5
2.0
VDC
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积（我
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1.0兆赫）
小信号电流增益（I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
f
T
3.0
20
兆赫
h
fe
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
T
A
4.0
T
C
80
3.0
60
T
C
2.0
40
1.0
20
T
A
0
0
0
20
40
60
100
80
T，温度（ ° C）
120
140
160
图1.功率降额
V
CC
+30 V
25
ms
+11 V
R
B
D
1
4 V
R
C
范围
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.06
t
r
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
t
d
@ V
BE （OFF）的
≈
5.0 V
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
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2
MJB41C （ NPN ）
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.5毫秒
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
1.0毫秒
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
（单脉冲）
曲线适用于低于额定V
首席执行官
5.0毫秒
0.1
5.0
40
10
20
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
80 100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
μ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.06
t
f
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
300
T
J
= 25°C
200
C，电容（pF ）
C
ib
100
70
50
C
ob
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
30
50
图6.开启，关闭时间
图7.电容
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3
MJB41C （ NPN ）
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 150°C
25°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
T
J
= 25°C
1.6
的hFE ， DC电流增益
1.2
I
C
= 1.0 A
2.5 A
5.0 A
0.8
55
°C
0.4
0.1
0.2
0.3 0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
6.0
0
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
B
，基极电流（毫安）
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
2.0
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.06
0.1
0.2 0.3
0.5
q
VB
对于V
BE
55
°C
至+ 25°C
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
*
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
+25
°C
至+ 150°C
55
°C
至+ 25°C
+25
°C
至+ 150°C
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/4
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.06
0.1
0.2 0.3 0.4
0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
0.8
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
10
3
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
反向
I
C
= I
CES
前锋
V
CE
= 30 V
T
J
= 150°C
100°C
25°C
10 M
V
CE
= 30 V
I
C
= 10 ×1
CES
I
C
≈
I
CES
1.0 M
100 k
10 k
I
C
= 2×我
CES
（典型I
CES
值
购自图12）
20
40
60
80
100
120
140
160
1.0 k
10
3
0.3 0.2 0.1
0
+0.1 +0.2 +0.3
+0.4 +0.5 +0.6
+0.7
0.1 k
V
BE
，基极发射极电压（伏）
T
J
，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
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4
MJB41C （ NPN ）
包装尺寸
D
2
PAK 3
CASE 418B -04
ISSUE
C
E
B
4
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
V
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，
新标准418B -04 。
英寸
民
最大
0.340 0.380
0.380 0.405
0.160 0.190
0.020 0.035
0.045 0.055
0.310 0.350
0.100 BSC
0.080
0.110
0.018 0.025
0.090
0.110
0.052 0.072
0.280 0.320
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
0.575 0.625
0.045 0.055
MILLIMETERS
民
最大
8.64
9.65
9.65 10.29
4.06
4.83
0.51
0.89
1.14
1.40
7.87
8.89
2.54 BSC
2.03
2.79
0.46
0.64
2.29
2.79
1.32
1.83
7.11
8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60 15.88
1.14
1.40
V
W
A
1
2
3
S
T
座位
飞机
K
G
D
3 PL
0.13 (0.005)
H
M
W
J
T B
M
变量
CON组fi guration
区
L
M
风格1 ：
1. PIN BASE
2.收集
3.辐射源
4.收集
R
N
U
L
P
L
M
M
F
VIEW的W-W
1
F
VIEW的W-W
2
F
VIEW的W-W
3
焊接足迹*
8.38
0.33
10.66
0.42
1.016
0.04
5.08
0.20
3.05
0.12
17.02
0.67
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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MI-QC6RY-IYY
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MIC911YM5
MAX6469TA285BD1
MC74ACT132DG
MK18-C-100W
MC68HC08GR32AVFA
MC1408-8
MAN6480E
MAX6817EUT-T
MA46H504
M38227E7MXXXFS
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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