【MJ900 - MJ901 PNPMJ1000 - MJ1001 NPN互补发电DARLINGTON】,IC型号MJ900,MJ900 PDF资料,MJ900经销商,ic,电子元器件-51电子网

MJ900 - MJ901 PNP

MJ1000 - MJ1001 NPN

互补发电DARLINGTONS

该MJ900 ， MJ901 ， MJ1000和MJ1001是硅外延-BAS

在单片达林顿结构的晶体管，并且被安装在

JEDEC TO- 3金属外壳。他们的目的是在电力线的使用和

开关应用。

PNP类型是MJ900和MJ901 ，和它们的互补NPN型

类型分别是MJ1000和MJ1001 。

绝对最大额定值

符号

评级

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

价值

60

单位

V

CBO

集电极 - 基极电压

VDC

80

60

VDC

80

5.0

VDC

V

首席执行官

集电极 - EmitterVoltage

I

B

=0

V

EBO

发射极 - 基极电压

I

C

集电极电流

I

C（ RMS）

8.0

ADC

第1页4

MJ900 - MJ901 PNP

MJ1000 - MJ1001 NPN

符号

评级

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

@ T

C

< 25 °

MJ900

MJ1000

减免上述

MJ901

25°C

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

价值

单位

I

B

基极电流

0.1

ADC

瓦

W / ℃，

90

0.515

P

T

功耗

T

J

结温

-65到+200

°C

T

S

储存温度

热特性

符号

R

THJ -C

评级

热阻，结到外壳

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

价值

1.94

单位

° C / W

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

评级

集电极 - 发射极

击穿电压（ * ）

测试条件（S ）

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

最小典型单位的Mx

60

80

-

500

-

μAdc

-

VDC

-

I

C

= 100 MADC ，我

B

=0

I

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

V

CE

= 30伏直流电，我

B

=0

V

CE

= 40 VDC ，我

B

=0

第2页4

MJ900 - MJ901 PNP

MJ1000 - MJ1001 NPN

符号

I

EBO

评级

发射Cuto FF电流

测试条件（S ）

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

最小典型单位的Mx

-

2.0

MADC

V

BE

= 5.0伏，我

C

=0

V

CB

= 60 V ，R

BE

= 1.0千欧

-

1.0

-

MADC

-

5.0

-

I

CER

集电极 - 射极漏泄

当前

V

CB

= 80 V ，R

BE

= 1.0千欧

V

CB

= 60 V ，R

BE

= 1.0千欧，

T

C

=150°C

V

CB

= 80 V ，R

BE

= 1.0千欧，

T

C

=150°C

I

C

= 3.0 A，I

B

= 12 MADC

-

2.0

VDC

V

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

I

C

= 8.0 A，I

B

= 40 MADC

-

4.0

符号

V

F

评级

正向电压（脉冲

法）

I

F

=3 A

测试条件（S ）

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

MJ900

MJ1000

MJ901

MJ1001

最小典型单位的Mx

-

1.8

-

V

BE

基射极电压（ * ）

I

C

= 3.0 ADC ，V

CE

=3.0Vdc

-

2.5

V

CE

= 3.0伏，我

C

= 3.0 ADC

1000

-

H

FE

直流电流增益（ * ）

V

CE

= 3.0伏，我

C

= 4.0 ADC

750

-

（ * ）脉冲宽度

≈

300

s,

占空比

∠

2.0%

！！！适用于PNP型的电流和电压值是负！！！

第3页4

MJ900 - MJ901 PNP

MJ1000 - MJ1001 NPN

机械数据案例TO- 3

尺寸

A

B

C

D

E

G

H

L

M

N

P

mm

25,51

38,93

30,12

17,25

10,89

11,62

8,54

1,55

19,47

1

4,06

英寸

1,004

1,53

1,18

0,68

0,43

0,46

0,34

0,6

0,77

0,04

0,16

引脚1 ：

引脚2 ：

案例：

BASE

辐射源

集热器

第4页4

功率晶体管

TO- 3案（续）

型号

IC

PNP

(A)

最大

10

30

8.0

10

16

10

40

PD

(W)

100

200

90

150

175

250

200

150

100

180

200

225

100

BVCBO BVCEO

(V)

民

500

100

60

80

60

80

60

80

100

600

--

60

90

120

40

60

80

100

40

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

(V)

民

200

90

60

80

60

80

60

80

100

400

60

90

120

40

60

80

100

40

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

* TYP

民

15

25

1,000

100

50

1,000

800

750

800

1,000

的hFE

最大

--

100

--

2,000

600

--

20,000

--

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

2.5

7.5

3.0

5.0

10

6.0

10

20

6.0

4.0

10

15

7.5

(V)

最大

3.3

0.8

4.0

2.5

5.0

4.0

2.0

2.5

(A)

8.0

7.5

8.0

10

16

10

40

30

12

6.0

4.0

10

15

7.5

NPN

BUY69C

MJ802

MJ1000

MJ1001

MJ3000

MJ3001

MJ4033

MJ4034

MJ4035

MJ10012

MJ10023

MJ11012

MJ11014

MJ11016

PMD10K40

PMD10K60

PMD10K80

PMD10K100

PMD12K40

PMD12K60

PMD12K80

PMD12K100

PMD1601K

PMD1602K

PMD1603K

PMD16K60

PMD16K80

PMD16K100

PMD18K60

PMD18K80

PMD18K100

SE9303

SE9304

SE9305

fT

* TYP

（兆赫）

民

10*

2.0

6.0

--

-

4.0

1.0

-

MJ4502

MJ 900

MJ 901

MJ2500

MJ2501

MJ4030

MJ4031

MJ4032

MJ11011

MJ11013

MJ11015

PMD11K40

PMD11K60

PMD11K80

PMD11K100

PMD13K40

PMD13K60

PMD13K80

PMD13K100

PMD1701K

PMD1702K

PMD1703K

PMD17K60

PMD17K80

PMD17K100

PMD19K60

PMD19K80

PMD19K100

SE9403

SE9404

SE9405

30

12

8.0

20

30

10

阴影部分表示达林顿。

使用60密耳的线索。

见机械规格209页

85

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP达林顿功率晶体管

MJ900

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

=-60V(Min.)

高

直流电流GAIN-

: h

FE

= 1000(Min.)@I

C

=-3A

ULOW

集电极饱和电压 -

: V

CE （SAT）

= -2.0V （最大值） @我

C

=-3A

应用

·设计

用作互补输出设备

通用放大器应用。

绝对最大额定值（T

a

=25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流Continunous

基极电流Continunous

集电极耗散功率

@T

C

=25℃

结温

存储温度范围

价值

-60

-5

-8

-0.1

90

200

-55~+200

单位

V

A

W

℃

P

C

T

j

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻，结到外壳

最大

1.94

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP达林顿功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

典型值。

MJ900

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= -0.1A ;我

B

= 0

-60

V

CE

(sat)-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -3A ;我

B

=-12mA

-2.0

V

CE

(sat)-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -8A ;我

B

=-40mA

-4.0

V

BE

（上）

基射极电压上

I

C

= -3A ，V

CE

=-3V

V

CE

= -60V ;

BE

=1kΩ

V

CE

= -60V ;

BE

= 1kΩ的;牛逼

C

=150℃

V

CE

= -30V ;我

B

= 0

-2.5

-1.0

-5.0

-0.5

V

I

CER

收藏家Cuto FF电流

mA

I

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

mA

I

EBO

发射Cuto FF电流

V

EB

= -5V ;我

C

= 0

-2.0

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= -3A ，V

CE

=-3V

1000

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= -4A ，V

CE

=- 3V

750

ISC的网站： www.iscsemi.cn