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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
高
集电极 - 发射极电压V
CEX
= 700V
ΔDC
电流增益-H
FE
= 10 （分钟） @我
C
=2.5A
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
=0.8Vdc(max)@I
C
=1Adc
应用
·设计
用于在偏转高电压应用中使用
电路，具有结构转换稳压器，逆变器和齿操作
放大器器。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
MJ424
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
700
350
5
5
2
100
150
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
0.75
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值
MJ424
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0
350
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.1A
B
0.8
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.1A
B
1.2
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=350V; V
EB （O FF ）
=1.5V
0.25
mA
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
=700V; V
EB （O FF ）
=1.5V
0.5
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
5.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
30
90
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
10
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 10V ; F = 1.0MHz的
2.5
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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