SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
MJ423
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
MCC
） HDWXUHV
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MJ413
MJ423
MJ431
高集电极 - 发射极电压V
CES
=400V
直流电流增益额定3.5A
高频率响应为2.5兆赫
10 AMP
NPN硅
功率晶体管
125W
TO-3
E
A
N
C
0D[LPXP5DWLQJV
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
最大热阻： 1.0 / W结到管壳
:
特征
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流
符号
V
CEX
V
CB
V
EB
I
C
最大
400
400
5.0
10
2.0
125
1.0
单位
VDC
VDC
U
D
K
VDC
ADC
ADC
瓦
W/
H
V
2
1
L
G
B
器件总功耗@T
C
=25
减免上述25
:
:
I
B
P
D
:
Q
PIN 1 。
第2脚。
情况。
BASE
辐射源
集热器
图1 - 功耗降低曲线
P
D
- 功耗（ W）
尺寸
英寸
民
最大
1.550
REF
-----
1.050
.250
.335
.038
.043
0.55
0.70
.430
BSC
.215
BSC
.440
.480
.665
BSC
-----
.830
.151
.165
1.187
BSC
.131
.188
MM
民
39.37
-----
6.35
0.97
1.40
10.92
5.46
11.18
16.89
-----
3.84
30.15
3.33
最大
REF
26.67
8.51
1.09
1.77
BSC
BSC
12.19
BSC
21.08
4.19
BSC
4.77
记
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
150
50
100
温度
°C
功耗（W ） -
与
- 温度
°C
0
www.mccsemi.com
MJ413 ， MJ423 & MJ431
MCC
符号
V
CEO （ SUS ）
I
CEX
0.25
2.5
0.5
5.0
I
EBO
5.0
2.0
h
FE
20
15
30
10
15
10
V
CE （ SAT ）
0.6
0.8
0.7
V
BE （ SAT ）
1.25
1.25
1.50
f
T
兆赫
2.5
VDC
80
90
35
VDC
MADC
（ OHFWULFDO &KDUDFWHULVWLFV ＃ ？
°
& 8QOHVV 2WKHUZLVH 6SHFLILHG
特征
开关特性
集电极 - 发射极电压维持
(1)
(I
C
= 100mA时我
B
=0)
收藏家Cuto FF电流
MJ413 MJ423
(V
CE
=400V, V
EB （O FF ）
=1.5V)
MJ431
MJ413 MJ423
(V
CE
=400V, V
EB （O FF ）
=1.5V,
T
C
=125 )
MJ431
发射Cuto FF电流
MJ413 MJ423
(V
BE
= 5.0VDC ，我
C
=0)
MJ431
基本特征
直流电流增益
MJ413
(I
C
= 0.5A ，V
CE
=5.0V)
(I
C
= 1.0A ，V
CE
=5.0V)
MJ423
(I
C
= 1.0A ，V
CE
=5.0V)
(I
C
= 2.5A ，V
CE
=5.0V)
MJ431
(I
C
= 2.5A ，V
CE
=5.0V)
(I
C
= 3.0A ，V
CE
=5.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
MJ413
(I
C
= 0.5A ，我
B
=0.05A)
MJ423
(I
C
= 1.0A ，我
B
=0.1A)
MJ431
(I
C
= 2.5A ，我
B
=0.5A)
基射极饱和电压
MJ413
(I
C
= 0.5A ，我
B
=0.05A)
MJ423
(I
C
= 1.0A ，我
B
=0.1A)
MJ431
(I
C
= 2.5A ，我
B
=0.5A)
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
=的200mA， V
CE
= 10V ， F = 1.0MHz的）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
V ？ “ XW \\ & \\ FOH
民
325
最大
---
单位
VDC
MADC
:
2.0%
www.mccsemi.com
（1） PW的
摩托罗拉公司1998年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
高电压 - VCEX = 400 VDC
增益指定3.5安培
高频率响应为2.5兆赫
。 。 。专为中到高电压的逆变器，转换器，稳压器和
开关电路。
高压硅NPN
晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
热特性
最大额定值
动态特性
基本特征
开关特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 200 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
（ IC = 1.0 ADC ， IB = 0.1 ADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 ADC ， IB - 0.10 ADC）
DC电流增益（1）
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 2.5 ADC ， VCE = 5.0 V直流）
发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 400 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 400 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压* （ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
热阻，结到外壳
存储温度范围
工作结温范围
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
v
300
s
占空比
v
2.0%.
特征
等级
特征
符号
符号
VCEX
VCB
VEB
IC
TJ
TSTG
θ
JC
IB
PD
- 65至+ 200
- 65至+ 150
最大
最大
125
1.0
400
400
1.0
2.0
5.0
10
V（ BR ） CEO （ SUS ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
瓦
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
IEBO
ICEX
_
C
_
C
的hFE
fT
民
325
2.5
30
10
—
—
—
—
—
10安培
功率晶体管
NPN硅
400伏
125瓦
MJ423
订购此文件
由MJ423 / D
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
1.25
0.25
0.5
最大
0.8
5.0
90
—
—
—
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
1
MJ423
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机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
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M传真 ：
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亚洲/太平洋网络C：
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摩托罗拉传真返回系统
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- http://sps.motorola.com/mfax/
主页：
http://motorola.com/sps/
日本：
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4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJ423/D
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