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高集电极 - 发射极电压 -

VCEO = 200伏

直流电流增益指定@ 1.0和2.5 ADC

低集电极 - 发射极饱和电压 -

VCE （SAT） = 0.8伏@ IC = 1.0 ADC

。。。专为中高压变频器，转换器，稳压器和

开关电路。

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

高压硅NPN

晶体管

半导体技术资料

摩托罗拉

电气特性

（ TC = 25

C除非另有说明）

热特性

最大额定值

动态特性

基本特征

开关特性

热阻，结到外壳

存储温度范围

工作结温范围

器件总功耗@ TC = 75

减免上述75

基极电流

连续集电极电流 -

- 山顶

发射极 - 基极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

电流增益 - 带宽积

（ IC = 200 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0兆赫）

基射极饱和电压

（ IC = 1.0 ADC ， IB = 0.1 ADC ）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 1.0 ADC ， IB = 0.1 ADC ）

直流电流增益

（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 5.0 V直流）

（ IC = 2.5 ADC ， VCE = 5.0 V直流）

发射极截止电流（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 200伏， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 125

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 200伏， IB = 0 ）

集电极 - 发射极耐受电压

（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）

特征

等级

特征

符号

VCEO

VCB

VEB

TSTG

- 65至+ 200

- 65至+ 150

价值

0.75

最大

100

1.33

200

2.0

5.0

VCEO （ SUS）

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

符号

ICEO

IEBO

ICEX

的hFE

瓦

C / W

单位

ADC

VDC

民

200

2.5

—

5安培

功率晶体管

NPN硅

200伏

100瓦

MJ410

0.25

最大

1.2

0.8

5.0

0.5

—

订购此文件

由MJ410 / D

案例1-07

TO–204AA

(TO–3)

MADC

兆赫

单位

VDC

—

MJ410

IC ，集电极电流（ AMP ）

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

5.0

二次击穿有限公司

键合丝有限公司

散热的限制，在Tc = 75℃

曲线适用于低于额定VCEO

200

100

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

500

TJ = 150℃

5.0毫秒

1.0毫秒

500

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二突破性

下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制

必须可靠运行被观察的晶体管;

即，晶体管不能承受较大的显示

sipation则曲线表示。

图5的数据是基于T J （ pk）的

150

℃; TC是

可变根据条件。脉冲曲线适用于

提供T J 10 ％的占空比（ PK）

150

C.在高温情况下，

的温度下，热限制会降低功率

可以处理到的值比规定的限制

二次击穿。

图1.活动区的安全工作区

100

的hFE ， DC电流增益

25°C

– 55°C

7.0

5.0

0.05

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

TJ = 150℃

VCE = 5.0伏

V，电压（V ）

2.0

TJ = 25°C

1.6

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

1.2

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

0.8

0.4

VCE （SAT） @ IC / IB = 5

2.0

3.0

5.0

0.05

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0 3.0

5.0

IC ，集电极电流（ AMP ）

图2.直流电流增益

图3. “”开“电压

500

IC ，集电极电流（毫安）

400

50毫亨

300

200

VCEO （ SUS）为合格

VCE

≥

额定VCEO AT IC = 100毫安

200

HG继电器

TO SCOPE

–

6.0 V

50 V

–

100

200

300

400

500

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

300

1.0

图4.耐受电压测试负载线

图5.耐受电压测试电路

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

MJ410

包装尺寸

–T–

2 PL

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.所有规则和注意事项与相关的

参考- 204AA外形为准。

0.13 (0.005)

–Y–

–Q–

0.13 (0.005)

牛逼

暗淡

英寸

民

最大

1.550 REF

–––

1.050

0.250

0.335

0.038

0.043

0.055

0.070

0.430 BSC

0.215 BSC

0.440

0.480

0.665 BSC

–––

0.830

0.151

0.165

1.187 BSC

0.131

0.188

MILLIMETERS

民

最大

39.37 REF

–––

26.67

6.35

8.51

0.97

1.09

1.40

1.77

10.92 BSC

5.46 BSC

11.18

12.19

16.89 BSC

–––

21.08

3.84

4.19

30.15 BSC

3.33

4.77

风格1 ：

1. PIN BASE

2.辐射源

案例：收藏家

案例1-07

TO- 204AA （TO- 3）

ISSUE

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

MJ410

摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证

其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，

并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的

应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并

不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件

旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障

摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类

意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害

对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔

与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。

摩托罗拉

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互联网：

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日本：

日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，

6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315

香港：

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51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

*MJ410/D*

MJ410/D

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

MJ410

描述

高

集电极 - 发射极电压 - 可持续

: V

CEO （ SUS ）

= 200V （最小）。

ULOW

集电极饱和电压 -

: V

CE（ SAT

） = 0.8V （最大值） @我

= 1A

应用

·设计

用于中高压变频器，转换器，

稳压器和开关电路。

绝对最大额定值（T

=25

℃)

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流连续

集电极耗散功率@ T

=25℃

结温

存储温度范围

价值

200

100

150

-65~200

单位

℃

英镑

热特性

符号

第j个-C

参数

热阻，结到外壳

最大

0.75

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

典型值

MJ410

最大

单位

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极电压维持

= 100毫安;我

= 0

200

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

= 1A ;我

= 0.1A

0.8

（SAT）

基射极饱和电压

= 1A ;我

= 0.1A

1.2

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

= 200V ;我

= 0

0.25

CBO

收藏家Cuto FF电流

= 200V;V

EB （O FF ）

=1.5V;T

=125℃

0.5

EBO

发射Cuto FF电流

= 5V ;我

= 0

5.0

FE-1

直流电流增益

= 1A ; V

=5V

FE-2

直流电流增益

= 2.5A ; V

=5V

电流增益带宽积

= 0.2A ; V

= 10V ; F = 1.0MHz的

2.5

兆赫

ISC的网站： www.iscsemi.cn

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO-3封装

·高集电极发射极电压

·低集电极饱和电压

应用

·专为中高压

逆变器，转换器，稳压器和

开关电路。

钉扎（参照图2）

针

BASE

辐射源

描述

MJ410

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（T

=25

)

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

200

100

-65~150

单位

热特性

符号

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

0.75

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

条件

= 0.1A ;我

= 1A ;我

=0.1A

= 1A ;我

=0.1A

=100V; V

=-1.5V;T

=125

= 200V ;我

= 5V ;我

= 1A ; V

=5V

= 2.5A ; V

=5V

= 0.2A ; V

=10V;f=1.0MHz

2.5

民

200

MJ410

符号

CEO （ SUS ）

（SAT）

CEX

首席执行官

EBO

FE-1

FE-2

典型值。

最大

单位

0.8

1.2

0.5

0.25

5.0

兆赫

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

MJ410

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）