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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2458页 > MJ4032
功率晶体管
TO- 3案(续)
型号
IC
PNP
(A)
最大
10
30
8.0
8.0
10
10
16
16
16
10
40
PD
(W)
100
200
90
90
150
150
150
150
150
175
250
200
200
200
150
150
150
150
100
100
100
100
180
180
180
200
200
200
225
225
225
100
100
100
BVCBO BVCEO
(V)
500
100
60
80
60
80
60
80
100
600
--
60
90
120
40
60
80
100
40
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
(V)
200
90
60
80
60
80
60
80
100
400
400
60
90
120
40
60
80
100
40
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
* TYP
15
25
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
100
50
1,000
1,000
1,000
800
800
800
800
800
800
800
800
750
750
750
800
800
800
800
800
800
1,000
1,000
1,000
的hFE
最大
--
100
--
--
--
--
--
--
--
2,000
600
--
--
--
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
--
--
--
@ IC VCE ( SAT ) @ IC
(A)
2.5
7.5
3.0
3.0
5.0
5.0
10
10
10
6.0
10
20
20
20
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
10
10
10
10
15
15
15
7.5
7.5
7.5
(V)
最大
3.3
0.8
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.5
5.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
(A)
8.0
7.5
8.0
8.0
10
10
16
16
16
10
40
30
30
30
12
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
10
10
10
10
15
15
15
7.5
7.5
7.5
NPN
BUY69C
MJ802
MJ1000
MJ1001
MJ3000
MJ3001
MJ4033
MJ4034
MJ4035
MJ10012
MJ10023
MJ11012
MJ11014
MJ11016
PMD10K40
PMD10K60
PMD10K80
PMD10K100
PMD12K40
PMD12K60
PMD12K80
PMD12K100
PMD1601K
PMD1602K
PMD1603K
PMD16K60
PMD16K80
PMD16K100
PMD18K60
PMD18K80
PMD18K100
SE9303
SE9304
SE9305
fT
* TYP
(兆赫)
10*
2.0
6.0
6.0
--
--
--
--
--
--
-
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
1.0
1.0
1.0
-
MJ4502
MJ 900
MJ 901
MJ2500
MJ2501
MJ4030
MJ4031
MJ4032
MJ11011
MJ11013
MJ11015
PMD11K40
PMD11K60
PMD11K80
PMD11K100
PMD13K40
PMD13K60
PMD13K80
PMD13K100
PMD1701K
PMD1702K
PMD1703K
PMD17K60
PMD17K80
PMD17K100
PMD19K60
PMD19K80
PMD19K100
SE9403
SE9404
SE9405
30
30
30
12
12
12
12
8.0
8.0
8.0
8.0
20
20
20
20
20
20
30
30
30
10
10
10
阴影部分表示达林顿。
使用60密耳的线索。
见机械规格209页
85
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
A
A
A
MJ4032
MJ4035
其他芯片
功率达林顿晶体管
s
s
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
互补PNP - NPN器件
单片达林顿
CON组fi guration
综合反平行
集电极 - 发射极二极管
应用
s
通用开关
s
一般通用放大器
描述
该MJ4035是硅外延基NPN电源
晶体管的单片达林顿配置
安装在JEDEC的TO - 3金属外壳。
这是inteded于一般用途和
放大器应用。
互补PNP型是MJ4032 。
1
2
TO-3
内部原理图
R
1
典型值。 = 6 KΩ
R
2
典型值。 = 55
绝对最大额定值
符号
参数
PNP
NPN
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
总功耗在T
c
25 C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
MJ4032
MJ4035
100
100
5
16
0.5
150
-65 200
200
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
1997年6月
1/4
MJ4032 / MJ4035
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1.17
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CER
I
首席执行官
I
EBO
参数
集电极截止
电流(R
BE
= 1K)
集电极截止
电流(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 100 V
V
CE
= 100 V
V
CE
= 50 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
I
C
= 10 A
I
C
= 16 A
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
B
= 40毫安
I
B
= 80毫安
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
1000
100
2.5
4
3
T
c
= 150 C
o
分钟。
典型值。
马克斯。
1
5
3
5
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
CE ( SAT )
V
BE
h
FE
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流增益
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
为PNP型的电压和电流值是负的。
2/4
MJ4032 / MJ4035
TO- 3机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
11.00
0.97
1.50
8.32
19.00
10.70
16.50
25.00
4.00
38.50
30.00
典型值。
马克斯。
13.10
1.15
1.65
8.92
20.00
11.10
17.20
26.00
4.09
39.30
30.30
分钟。
0.433
0.038
0.059
0.327
0.748
0.421
0.649
0.984
0.157
1.515
1.187
典型值。
马克斯。
0.516
0.045
0.065
0.351
0.787
0.437
0.677
1.023
0.161
1.547
1.193
DIM 。
P
G
A
D
C
U
V
O
N
R
B
P003F
3/4
E
MJ4032 / MJ4035
提供的资料被认为是准确和可靠。不过, SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用,也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
中功率互补硅
晶体管
用作互补通用放大器的输出设备
应用程序。
高直流电流增益 - ^ h
FE
= 3500 (典型值) @我
C
= 10位ADC
整体结构与内置的基极发射极分流电阻
该MJ4030 / 31 / 32顷晶体管NPN
互补PNP类型是MJ4033 / 35分之34
绝对最大额定值
符号
评级
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
价值
60
80
100
60
80
100
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
I
E
=0
V
V
首席执行官
集电极 - EmitterVoltage
I
B
=0
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
=0
5.0
V
第1页4
I
C
集电极电流
I
B
基极电流
P
T
功耗
@ T
C
< 25 °
T
J
T
s
连接点
储存温度
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
16
A
0.5
A
150
200
-65到+200
°C
热特性
符号
评级
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
价值
单位
R
THJ -C
热阻,结到外壳
1.17
° C / W
第2页4
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件(S )
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
最小典型单位的Mx
60
80
100
-
-
-
-
-
-
3.0
mA
-
-
-
-
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压( * )
I
C
= 100 MADC ,我
B
=0
V
CE
= 30伏直流电,我
B
=0
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 40 VDC ,我
B
=0
V
CE
= 50伏直流,我
B
=0
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
= 5.0 V,I
C
=0
-
-
5.0
mA
V
CB
= 60 V ,R
BE
= 1.0千欧
V
CB
= 80 V ,R
BE
= 1.0千欧
-
-
-
-
1.0
I
CER
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CB
= 100 V ,R
BE
= 1.0千欧
V
CB
= 60 V ,R
BE
= 1.0千欧,
T
C
=150°C
V
CB
= 80 V ,R
BE
= 1.0千欧,
T
C
=150°C
V
CB
= 100 V ,R
BE
= 1.0千欧,
T
C
=150°C
MADC
-
-
-
-
5.0
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和
电压(*)
I
C
= 10 A,I
B
= 40 MADC
VDC
-
-
2.5
第3页4
I
C
= 16 A,I
B
= 80 MADC
V
BE
基射极电压( * )
I
C
= 10位ADC ,V
CE
=3.0Vdc
h
FE
直流电流增益( * )
V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 3.0 ADC
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
MJ4030
MJ4033
MJ4031
MJ4034
MJ4032
MJ4035
-
-
4.0
-
-
3
V
1000
-
-
-
( * )脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
! ! !适用于PNP型的电流和电压值是负! ! !
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
第4页4
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP Darlingtion功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
·分别
补充输入MJ4035
·达林顿
直流电流增益
应用
For
在一般的互补输出设备使用
目的放大器应用。
绝对最大额定值(T
C
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
MJ4032
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
-100
-100
-5
-16
-0.5
150
200
-55~200
单位
V
V
V
A
A
W
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.17
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP Darlingtion功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
MJ4032
最大
单位
V
首席执行官
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -100mA ;我
B
= 0
B
-100
V
V
CE
(SAT)
-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -10A ;我
B
=-40mA
-2.5
V
V
CE
(SAT)
-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -16A ;我
B
=-80mA
-4
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= -5A ;我
B
=-400mA
-3
V
V
BE
(上)
I
CER
基射极电压上
I
C
= -10A ; V
CE
=-3V
V
CB
= -100V ;
BE
= 1KΩ;
V
CB
= -100V ;
BE
= 1KΩ ;牛逼
C
= 150℃
V
CE
= -50V ;我
B
=0
-3
-1
-5
-3
V
收藏家Cuto FF电流
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-5
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -10A ; V
CE
=-3V
1000
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
MJ4032 PNP
MJ4035 NPN
其他芯片
功率达林顿晶体管
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体MJ4032 , MJ4035
类型是互补硅功率达林顿
专为通用和放大器晶体管
应用程序。
标记:全部型号
TO- 3 CASE
最大额定值:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
集电极 - 基极电压
VCBO
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
TJ , TSTG
Θ
JC
100
100
5.0
16
0.5
150
-65到+200
1.17
单位
V
V
V
A
A
W
°C
° C / W
电气特性:
( TC = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
ICER
VCE = 100V , RBE = 1.0kΩ
ICER
ICEO
IEBO
BVCEO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
的hFE
VCE = 100V , RBE = 1.0kΩ , TC = 150℃
VCE=50V
VEB=5.0V
IC=100mA
IC = 10A , IB = 40毫安
IC = 16A , IB = 80毫安
VCE = 3.0V , IC = 10A
VCE = 3.0V , IC = 10A
1000
100
最大
1.0
5.0
3.0
5.0
单位
mA
mA
mA
mA
V
2.5
4.0
3.0
V
V
V
R0 ( 2009年4月)
中央
TM
MJ4032 PNP
MJ4035 NPN
其他芯片
功率达林顿晶体管
半导体公司
TO- 3 CASE - 机械概要
前导码:
1)基础
2 )辐射源
C)集热器
标记:全部型号
R0 ( 2009年4月)
MJ4032
MJ4035
其他芯片
功率达林顿晶体管
s
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPES
互补PNP - NPN器件
单片达林顿
CON组fi guration
综合反平行
集电极 - 发射极二极管
应用
s
通用开关
s
一般通用放大器
描述
该MJ4035是硅外延基NPN
在单片达林顿功率晶体管
配置安装在JEDEC的TO - 3金属外壳。
这是inteded于一般用途和
放大器应用。
互补PNP型是MJ4032 。
1
2
TO-3
内部原理图
R
1
典型值。 = 6 KΩ
R
2
典型值。 = 55
绝对最大额定值
符号
参数
PNP
NPN
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
总功耗在T
c
25
o
C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
MJ4032
MJ4035
100
100
5
16
0.5
150
-65 200
200
V
V
V
A
A
W
o
o
单位
C
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
2003年9月
1/4
MJ4032 / MJ4035
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1.17
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CER
I
首席执行官
I
EBO
参数
集电极截止
电流(R
BE
= 1K)
集电极截止
电流(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 100 V
V
CE
= 100 V
V
CE
= 50 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
I
C
= 10 A
I
C
= 16 A
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
B
= 40毫安
I
B
= 80毫安
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
1000
100
2.5
4
3
T
c
= 150 C
o
分钟。
典型值。
马克斯。
1
5
3
5
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
CE ( SAT )
V
BE
h
FE
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流增益
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
为PNP型的电压和电流值是负的。
2/4
MJ4032 / MJ4035
TO- 3机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
11.00
0.97
1.50
8.32
19.00
10.70
16.50
25.00
4.00
38.50
30.00
典型值。
马克斯。
13.10
1.15
1.65
8.92
20.00
11.10
17.20
26.00
4.09
39.30
30.30
分钟。
0.433
0.038
0.059
0.327
0.748
0.421
0.649
0.984
0.157
1.515
1.187
典型值。
马克斯。
0.516
0.045
0.065
0.351
0.787
0.437
0.677
1.023
0.161
1.547
1.193
DIM 。
P
G
A
D
C
U
V
O
N
R
B
P003F
3/4
E
MJ4032 / MJ4035
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4/4
MJ4032
尺寸以毫米(英寸) 。
3.68
( 0.145 )弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在一个双极NPN器件
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 300V
I
C
= 0.1A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 ( TO213AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
300
0.1
单位
V
A
-
Hz
@ 10 / 50米(V
CE
/ I
C
)
30
15M
200
15
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
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