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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
MJ15026
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
优秀
安全工作区
ΔDC
目前GAIN-
: h
FE
= 25(Min.)@I
C
= 5A
-collector极 - 发射极
饱和电压 -
: V
CE（ SAT
） = 1.0V （最大值） @我
C
= 5A
.Complement
到类型MJ15027
应用
·设计
高功率音频，磁头定位器和
其它线性应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
总功率耗散@ T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
200
200
5
16
32
7
250
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
0.7
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
MJ15026
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 20mA下，我
B
= 0
200
V
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
（SAT）
I
首席执行官
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
1.0
V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 16A ;我
B
= 4A
3.0
V
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
V
CE
= 120V ;我
B
= 0
2.0
V
收藏家Cuto FF电流
1.0
mA
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 200V;V
BE （
关闭
)
= 1.5V
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
1.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
25
150
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 16A ; V
CE
= 5V
6
f
T
C
OB
电流增益带宽积
I
C
= 1A ; V
CE
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
15
兆赫
输出电容
750
pF
ISC的网站： www.iscsemi.cn
MJ15026
音频功率放大器
直流到直流转换器
NPN
平面硅晶体管
TO-3
!
!
!
高电流能力
高功率耗散
为了配合MJ15027
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
200
200
7
16
250
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性（Ta = 25℃）
C
Characterristic
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
*直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
测试条件
IC = 10毫安IE = 0
IC = 5毫安RBE =
IE = 5毫安IC = 0
VCB = 100V IE = 0
VEB = 5V， IC = 0
VCE = 5V， IC = 1A
VCE = 5V， IC = 5A
IC = 10A IB = 1A
民
200
200
7
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
50
25
0.1
0.1
150
2.0
V
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
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