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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入MJ15022 ; MJ15024
优秀
安全工作区
直流电流增益
h
FE
= 15(分) @我
C
= 8 ADC
应用
·设计
高功率音频,磁盘头
定位器和其它线性应用
钉扎(参照图2)
1
2
3
描述
BASE
辐射源
集热器
MJ15023 MJ15025
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
参数
MJ15023
集电极 - 基极电压
MJ15025
MJ15023
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
MJ15025
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
-250
--5
-16
-30
-5
250
150
-65~200
V
A
A
A
W
发射极开路
-400
-200
V
条件
价值
-350
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
0.70
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
MJ15023
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
MJ15025
I
C
= -8A ;我
B
=-0.8A
I
C
= -16A ;我
B
=-3.2A
I
C
= -8A ; V
CE
=-4V
MJ15023
MJ15025
MJ15023
MJ15025
V
CE
= -150V ;我
B
=0
条件
MJ15023 MJ15025
-200
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
V
-250
-1.4
-4.0
-2.2
V
V
V
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
首席执行官
集热器
截止电流
-0.5
V
CE
= -200V ;我
B
=0
V
CE
=-200V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
-0.25
V
CE
=-250V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -8A ; V
CE
=-4V
I
C
= -16A ; V
CE
=-4V
V
CE
= -50Vdc , T = 0.5秒,
V
CE
= -80Vdc , T = 0.5秒,非重复性
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1.0MHz
I
C
= -1A ; V
CE
=-10V;f=1.0MHz
4
15
5
-5.0
-2.0
600
-0.5
60
mA
I
CEX
集热器
截止电流
mA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
I
S / B
C
OB
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
第二击穿集电极
目前与基地正向偏置
输出电容
跃迁频率
mA
A
pF
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
MJ15023 MJ15025
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
A
A
A
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
高安全工作区( 100 %测试) -
2 A @ 80 V
高直流电流增益 -
的hFE = 15(分) @ IC = 8 ADC
该MJ15023和MJ15025是百百功率晶体管专为高
功率音频,磁头定位器和其它线性应用。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
硅功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
热阻,结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
连续集电极电流 -
高峰( 1 )
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
v
10%.
符号
符号
TJ , TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
VCEX
R
θJC
PD
IC
IB
MJ15023
350
200
- 65至+ 200
0.70
最大
250
1.43
400
16
30
5
5
16安培
功率晶体管
200和250伏
250瓦
MJ15023
MJ15025 *
MJ15025
*摩托罗拉的首选设备
400
250
订购此文件
通过MJ15023 / D
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
PNP
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
VDC
_
C
1
MJ15023 MJ15025
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
动态特性
基本特征
第二击穿
开关特性
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1兆赫)
电流增益 - 带宽积
( IC = 1 ADC , VCE = 10 VDC , FTEST = 1兆赫)
基射极电压ON
( IC = 8 ADC , VCE = 4伏)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 8 ADC , IB = 0.8 ADC )
( IC = 16位ADC , IB = 3.2 ADC )
直流电流增益
( IC = 8 ADC , VCE = 4伏)
( IC = 16位ADC , VCE = 4伏)
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
( VCE = 50伏直流,T = 0.5秒(不重复) )
( VCE = 80伏直流,T = 0.5秒(不重复) )
发射Cuto FF电流
( VCE = 5 VDC , IB = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 150伏, IB = 0 )
( VCE = 200伏, IB = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 200伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCE = 250 VDC , VBE (关闭) = 1.5伏)
集电极 - 发射极耐受电压( 1 )
( IC = 100 MADC , IB = 0 )
2
100
0.2
IC ,集电极电流( AMPS )
1.0
5.0
0.1
0.1
10
50
20
图1.活动区安全工作区
0.2
20
50 100
250 500
0.5 10
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
键合丝有限公司
散热的限制,
(单脉冲)
二次击穿有限公司
特征
v
2%.
TC = 25°C
1k
上有一对powerhandling能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图1中的数据是基于T J (峰) = 200
_
℃; TC是
可变根据条件。在高温情况下temper-
atures ,热限制会降低功率,可以是
处理,以值小于规定的限制
二次击穿。
MJ15023
MJ15025
MJ15023
MJ15025
MJ15023
MJ15025
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
符号
ICEO
IEBO
ICEX
COB
的hFE
是/ B
fT
200
250
15
5
4
5
2
最大
600
500
500
500
250
250
2.2
1.4
4.0
60
μAdc
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
ADC
pF
MJ15023 MJ15025
典型特征
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
4000
3000
C,电容(pF )
兴业银行
TJ = 25°C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
TJ = 25°C
VCE = 10 V
FTEST = 1兆赫
1000
500
COB
100
0.3 0.5
1.0
5.0
10
30
50
100
300
VR ,反向电压(伏)
2.0
0.3
0.5
1.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
10
图2的电容
图3.电流增益 - 带宽积
200
TJ = 100℃
100
的hFE , DC电流增益
50
TJ = 25°C
V,电压(V )
VCE = 4.0 V
1.8
1.4
20
10
5.0
1.0
0.8
TJ = 25°C
VBE ( ON) @ VCE = 4.0 V
100°C
0.2
25°C
0.1
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
100°C
0.5
1.0
2.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
10
2.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
IC ,集电极电流( AMPS )
10
20
0
图4.直流电流增益
图5.为“ON”电压
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ15023 MJ15025
包装尺寸
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
最大
1.550 REF
–––
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
–––
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
最大
39.37 REF
–––
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
–––
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 :
1. PIN BASE
2.辐射源
案例:收藏家
案例1-07
TO- 204AA (TO- 3)
ISSUE
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*MJ15023/D*
MJ15023/D
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
高安全工作区( 100 %测试) -
2 A @ 80 V
高直流电流增益 -
的hFE = 15(分) @ IC = 8 ADC
该MJ15023和MJ15025是百百功率晶体管专为高
功率音频,磁头定位器和其它线性应用。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
硅功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
热阻,结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
连续集电极电流 -
高峰( 1 )
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
v
10%.
符号
符号
TJ , TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
VCEX
R
θJC
PD
IC
IB
MJ15023
350
200
- 65至+ 200
0.70
最大
250
1.43
400
16
30
5
5
16安培
功率晶体管
200和250伏
250瓦
MJ15023
MJ15025 *
MJ15025
*摩托罗拉的首选设备
400
250
订购此文件
通过MJ15023 / D
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
PNP
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
VDC
_
C
1
MJ15023 MJ15025
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
动态特性
基本特征
第二击穿
开关特性
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1兆赫)
电流增益 - 带宽积
( IC = 1 ADC , VCE = 10 VDC , FTEST = 1兆赫)
基射极电压ON
( IC = 8 ADC , VCE = 4伏)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 8 ADC , IB = 0.8 ADC )
( IC = 16位ADC , IB = 3.2 ADC )
直流电流增益
( IC = 8 ADC , VCE = 4伏)
( IC = 16位ADC , VCE = 4伏)
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
( VCE = 50伏直流,T = 0.5秒(不重复) )
( VCE = 80伏直流,T = 0.5秒(不重复) )
发射Cuto FF电流
( VCE = 5 VDC , IB = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 150伏, IB = 0 )
( VCE = 200伏, IB = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 200伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCE = 250 VDC , VBE (关闭) = 1.5伏)
集电极 - 发射极耐受电压( 1 )
( IC = 100 MADC , IB = 0 )
2
100
0.2
IC ,集电极电流( AMPS )
1.0
5.0
0.1
0.1
10
50
20
图1.活动区安全工作区
0.2
20
50 100
250 500
0.5 10
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
键合丝有限公司
散热的限制,
(单脉冲)
二次击穿有限公司
特征
v
2%.
TC = 25°C
1k
上有一对powerhandling能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图1中的数据是基于T J (峰) = 200
_
℃; TC是
可变根据条件。在高温情况下temper-
atures ,热限制会降低功率,可以是
处理,以值小于规定的限制
二次击穿。
MJ15023
MJ15025
MJ15023
MJ15025
MJ15023
MJ15025
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
符号
ICEO
IEBO
ICEX
COB
的hFE
是/ B
fT
200
250
15
5
4
5
2
最大
600
500
500
500
250
250
2.2
1.4
4.0
60
μAdc
μAdc
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
ADC
pF
MJ15023 MJ15025
典型特征
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
4000
3000
C,电容(pF )
兴业银行
TJ = 25°C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
TJ = 25°C
VCE = 10 V
FTEST = 1兆赫
1000
500
COB
100
0.3 0.5
1.0
5.0
10
30
50
100
300
VR ,反向电压(伏)
2.0
0.3
0.5
1.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
10
图2的电容
图3.电流增益 - 带宽积
200
TJ = 100℃
100
的hFE , DC电流增益
50
TJ = 25°C
V,电压(V )
VCE = 4.0 V
1.8
1.4
20
10
5.0
1.0
0.8
TJ = 25°C
VBE ( ON) @ VCE = 4.0 V
100°C
0.2
25°C
0.1
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
100°C
0.5
1.0
2.0
IC ,集电极电流( AMPS )
5.0
10
2.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
IC ,集电极电流( AMPS )
10
20
0
图4.直流电流增益
图5.为“ON”电压
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ15023 MJ15025
包装尺寸
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
最大
1.550 REF
–––
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
–––
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
最大
39.37 REF
–––
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
–––
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 :
1. PIN BASE
2.辐射源
案例:收藏家
案例1-07
TO- 204AA (TO- 3)
ISSUE
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
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摩托罗拉文学分布;
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日本:
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6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*MJ15023/D*
MJ15023/D
MJ15025
音频功率放大器
直流到直流转换器
PNP
平面硅晶体管
TO-3
!
!
!
高电流能力
高功率耗散
为了配合MJ15024
绝对最大额定值(T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
-400
-250
-7
-16
250
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性(Ta = 25℃)
C
Characterristic
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
*直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCE ( SAT )
测试条件
IC = -10毫安IE = 0
IC = -5 mA的RBE =
IE = -5毫安IC = 0
VCB = -200V IE = 0
VEB = -5V IC = 0
VCE = -5V IC = -1A
VCE = -5V IC = -8A
IC = -10A IB = -1A
-400
-250
-7
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
50
15
-0.1
-0.1
150
60
-2.0
V
永诚电脑配件有限公司, (香港)有限公司。
主页:
http://www.wingshing.com
联系电话: ( 852 ) 2341 9276传真: ( 852 ) 2797 8153
电子信箱: wsccltd@hkstar.com
PNP - MJ15023 , MJ15025 *
* MJ15025是首选设备
硅功率晶体管
该MJ15023和MJ15025是百百功率晶体管
专为高功率音频,磁头定位器和其它线性
应用程序。
特点
高安全工作区( 100 %测试) -2 A @ 80 V
高直流电流增益 - ^ h
FE
= 15(分) @我
C
= 8 ADC
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
MJ15023
MJ15025
集电极 - 基极电压
MJ15023
MJ15025
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
- 连续
- 山顶(注1 )
V
EBO
V
CEX
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
V
CBO
350
400
5
400
16
30
5
250
1.43
-65到+200
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃,
_C
符号
V
首席执行官
200
250
VDC
价值
单位
VDC
http://onsemi.com
16安培
硅功率晶体管
200 - 250伏, 250瓦
TO- 204AA (TO- 3)
案例1-07
风格1
基极电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
标记图
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
QJC
最大
0.70
单位
° C / W
MJ1502xG
AYWW
MEX
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
v
10%.
MJ1502x =器件代码
X = 3或5
G
= Pb-Free包装
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
MEX
=原产地
订购信息
设备
MJ15023
MJ15023G
MJ15025
MJ15025G
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
TO204
TO204
(无铅)
TO204
TO204
(无铅)
航运
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年2月, - 10牧师
出版订单号:
MJ15023/D
PNP - MJ15023 , MJ15025 *
IC ,集电极电流( AMPS )
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
符号
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压(注2 )
(I
C
= 100 MADC ,我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 200伏,V
BE (OFF)的
= 1.5伏)
(V
CE
= 250 VDC ,V
BE (OFF)的
= 1.5伏)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 150伏,我
B
= 0)
(V
CE
= 200伏,我
B
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
CE
= 5 VDC ,我
B
= 0)
V
CEO ( SUS )
MJ15023
MJ15025
200
250
I
CEX
MADC
MJ15023
MJ15025
250
250
500
500
500
I
首席执行官
MADC
MJ15023
MJ15025
I
EBO
MADC
第二击穿
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
(V
CE
= 50伏直流,T = 0.5秒(不重复) )
(V
CE
= 80伏直流,T = 0.5秒(不重复) )
I
S / B
ADC
5
2
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 8 ADC ,V
CE
= 4伏)
(I
C
= 16位ADC ,V
CE
= 4伏)
h
FE
15
5
60
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ,我
B
= 0.8 ADC)
(I
C
= 16位ADC ,我
B
= 3.2 ADC)
基射极电压ON
(I
C
= 8 ADC ,V
CE
= 4伏)
V
CE ( SAT )
VDC
1.4
4.0
2.2
V
BE(上)
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 1 ADC ,V
CE
= 10 VDC ,女
TEST
= 1兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0, f
TEST
= 1兆赫)
f
T
4
兆赫
pF
C
ob
600
2.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士,
占空比
v
2%.
100
50
20
T
C
= 25°C
10
5.0
1.0
0.2
0.1
0.1
0.2
键合丝有限公司
散热的限制,
(单脉冲)
二次击穿有限公司
20
0.5 10
50 100
250 500
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
1k
有对的powerhandling能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图1中的数据是基于T
J(下PK)
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。在高温情况下,
的温度下,热限制会降低功率
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
图1.活动区安全工作区
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2
PNP - MJ15023 , MJ15025 *
典型特征
带宽积(兆赫)
4000
3000
C,电容(pF )
C
ib
T
J
= 25°C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
T
J
= 25°C
V
CE
= 10 V
f
TEST
= 1兆赫
1000
500
C
ob
100
0.3 0.5
1.0
5.0
10
30
50
100
300
F T ,电流增益
V
R
,反向电压(伏)
2.0
0.3
0.5
1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
5.0
10
图2的电容
图3.电流增益 - 带宽积
200
100
的hFE , DC电流增益
50
20
10
5.0
0.2
2.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
10
20
0
0.1
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
V
CE
= 4.0 V
1.8
V,电压(V )
1.4
1.0
0.8
100°C
T
J
= 25°C
V
BE(上)
@ V
CE
= 4.0 V
25°C
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
100°C
5.0
10
0.5
1.0
2.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
图4.直流电流增益
图5.为“ON”电压
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3
PNP - MJ15023 , MJ15025 *
包装尺寸
的TO- 204 (TO- 3)
案例1-07
ISSUE
A
N
C
T
E
D
2 PL
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
最大
1.550 REF
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
最大
39.37 REF
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
K
M
0.13 (0.005)
U
V
2
Q
M
Y
M
L
G
1
Y
H
B
Q
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
风格1 :
1. PIN BASE
2.辐射源
案例:收藏家
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
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买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
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4
MJ15023/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
MJ15025
ON
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TO-3
进口原装公司现货
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
MJ15025
ON
24+
11880
TO-3
优势现货,只做原装正品
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联系人:李
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MJ15025
ONSEMI/安森美
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10000
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MJ15025
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MJ15025
ON/安森美
24+
9634
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联系人:小邹
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MJ15025
ON
22+
3722
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MJ15025
东芝
100
原装现货,价格优惠
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
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MJ15025
MOT
21+22+
12600
TO3
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MJ15025
MOT
0613+
133
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22000
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