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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2094页 > MJ13333
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 400V (最小值)
开关速度
应用
·设计
高电压,高转速,功率开关的
电感电路,其中下降时间是至关重要的。他们是partic-
ularly适合操作线开关模式的应用程序。
切换
稳压器
·逆变器
·电磁阀
和继电器驱动器
Motor
控制
·偏转
电路
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
MJ13333
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
基极电流峰值
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
700
400
6
20
30
10
15
175
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE
(SAT) -
1
V
CE
(SAT) -
2
V
BE
(SAT)
I
CEV
I
CER
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
电流增益带宽积
输出电容
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 10A ;我
B
=2A,T
C
=100℃
I
C
= 20A ;我
B
=6.7A
I
C
= 10A ;我
B
= 2A
I
C
= 10A ;我
B
= 2A,T
C
=100℃
V
CEV
=400V;V
BE
(关闭)
=1.5V
V
CEV
=400V;V
BE
(关闭)
=1.5V;T
C
=150℃
V
CE
= 400V ;
BE
= 50Ω,T
C
= 100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
I
C
= 0.3A ; V
CE
= 10V ; F
TEST
=1MHz
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
=1kHz
10
5
125
400
MJ13333
典型值。
最大
单位
V
1.8
2.4
5
1.8
1.8
0.25
5.0
5.0
1
60
40
500
V
V
V
mA
mA
mA
兆赫
pF
开关时间;阻性负载
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 10A ,V
CC
= 250V ;我
B1
=2A
V
BE
(关闭)
= 5V ;牛逼
p
= 10μs;
值班Cycle≤2.0 %
0.02
0.3
1.6
0.3
0.1
0.7
4.0
0.7
μs
μs
μs
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
200 ns的电感下降时间 - 25
_
C(典型值)
1.8
s
感性的存储时间 - 25
_
C(典型值)
工作温度范围-65 + 200
_
C
开关稳压器
逆变器
电磁阀和继电器驱动器
电机控制
偏转电路
快速关闭时间
100
_
性能指定为:
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比10 % 。
(1)
可用较低VCEO评级相似的设备类型,请参阅MJ13330 ( 200 V)和MJ13331 ( 250 V ) 。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
该MJ13333晶体管是专为高电压,高转速,功率开关
在感性电路中的下降时间是至关重要的。它特别适合用于线路操作
开关模式的应用,如:
设计师和开关模式是Motorola,Inc.的商标。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
SWITCHMODE系列
NPN硅功率晶体管
设计师
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从5秒
热阻,结到外壳
工作和存储结温范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
高峰( 1 )
连续集电极电流 -
高峰( 1 )
发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
反向偏置SOA感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流
数据表
特征
等级
v
符号
符号
TJ , TSTG
VCEO
VCEV
R
θJC
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
TL
- 65至+ 200
20安培
NPN硅
功率晶体管
400-500伏
175瓦
MJ13333
价值
最大
275
175
100
1.0
700
400
1.0
6.0
10
15
20
30
订购此文件
通过MJ13333 / D
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
1
MJ13333
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
下降时间
交叉时间
贮存时间
交叉时间
贮存时间
感性负载时,钳位(表1)
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载(表1)
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1.0千赫)
基极发射极饱和电压
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC )
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC , TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC )
( IC = 20 ADC , IB = 6.7 ADC )
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC , TC = 100
_
C)
直流电流增益
( IC = 5.0 ADC , VCE = 5.0 V直流)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 6.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE =额定VCEV , RBE = 50
,
TC = 100
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCEV =额定值时, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCEV =额定值时, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压(表1)
( IC = 100 mA时, IB = 0 )
2
( IC = 10 A( PK) , VCLAMP = 250 VDC , IB1 = 2.0 A ,
VBE (关闭) = 5伏直流, TC = 25
_
C)
( IC = 10 A( PK) , VCLAMP = 250 VDC , IB1 = 2.0 A ,
VBE (关闭) = 5伏直流, TC = 100℃)
( VCC = 250 VDC , IC = 10 A,
IB1 = 2.0 A , VBE (关闭) = 5.0伏, TP = 10
s,
2.0%)
占空比
特征
v
2%.
v
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
TSV
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
td
TFI
tr
tf
tc
tc
ts
125
400
10
0.02
典型值
见图13
见图12
0.2
0.4
1.8
0.8
2.5
0.3
1.6
0.3
0.25
5.0
最大
500
2.0
5.0
0.7
4.0
0.7
0.1
1.8
1.8
1.8
5.0
2.4
1.0
5.0
60
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
s
s
s
s
s
s
s
s
s
MJ13333
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100
150°C
的hFE , DC电流增益
50
2.0
1.6
1A
5A
10 A
1.2
25°C
20
VCE = 5 V
10
0.8
0.4
5.0
0.2
0.5
5.0
1.0
2.0
IC ,集电极电流( AMPS )
10
20
0
0.01
0.02
0.05
0.1 0.2
0.5
1.0
IB ,基极电流( AMP )
2.0
5.0
10
图1.直流电流增益
VBE (星期六) ,基射极饱和电压(伏)
图2.集电极饱和区
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
2.0
IC / IB = 5
1.6
2.0
IC / IB = 5
1.6
1.2
1.2
25°C
0.8
150°C
0.8
0.4
25°C
0
0.2
150°C
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
IC ,集电极电流( AMP )
0.4
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
IC ,集电极电流( AMP )
图3.集电极 - 发射极饱和区
图4.基射极电压
104
IC ,集电极电流(
A)
103
TJ = 150℃
102
101
125°C
100°C
75°C
反向
25°C
10–1
– 0.4
前锋
VCE = 250 V
C,电容(pF )
3000
2000
兴业银行
1000
700
500
200
COB
100
50
100
– 0.2
0
+ 0.2
+ 0.4
VBE ,基极发射极电压(伏)
+ 0.6
30
0.1
0.5 1.0
5.0 10
50 100
VR ,反向电压(伏)
500 1000
图5.集电极截止区
图6.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ13333
IC PK
90 % VCLAMP
IC
TSV
TRV
tc
VCE
IB
10 % VCLAMP
90 % IB1
10%
IC PK
2 % IC
VCLAMP
90 % IC
TFI
TTI
开关时间注意
在电阻开关电路,上升,下降和存储时间
已经确定,适用于电流和电压
的波形,因为它们是同相的。但是,对于电感性
加载中通用的开关模式电源
和锤驱动器,电流和电压波形不是
同相的。因此,独立的测量值必须进行
每个波形以确定总的切换时间。为
由于这个原因,下面的新术语已经被定义。
TSV =电压贮存时间, 90 % IB1 10 % V钳位
TRV =电压上升时间, 10 - 90 % V钳位
TFI =电流下降时间, 90 - 10 %的IC
TTI =电流拖尾, 10 - 2 % IC
TC =交叉时, 10%的V钳位至10%的IC
感应开关波形的放大部分
示于图7至助剂中的这些视觉识别
条款。
对于设计师,有在最小的开关损耗
存储时间和主要的开关功率损耗
发生交叉间隔期间,能够得到我们 -
荷兰国际集团的AN- 222的标准方程:
PSWT = 1/2 VCCIC ( TC )F
一般情况下, TRV + T网络
T C 。然而,在较低的测试电流这
关系可能是无效的。
为是与大多数的开关晶体管,电阻
开关被指定在25℃并已成为一个基准
对于设计师,但是,对于高频的设计CON-
变频器电路,用户至上规范这使得
这是一个“开关模式”晶体管是电感式开关
速度(TC和TSV ),其可以保证在100℃下。
时间
图7.感应开关测量
10
IB2 ( PK) ,基极电流( AMP )
IC = 10 A
IB1 = 2将
VCLAMP = 250 V
TJ = 25°C
7.0
]
5.0
2.0
0
2.0
5.0
10
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
图8.反向基极电流与
VBE (关闭) ,无需外部基极电阻
电阻开关性能
2.0
1.0
0.5
T, TIME (
s)
VCC = 250 V
IC / IB = 5
5.0
2.0
tr
1.0
T, TIME (
s)
0.5
VCE = 250 V
IC / IB = 5
VBE (关闭) = 5 V
ts
0.2
0.1
0.05
td
0.02
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
IC ,集电极电流( AMP )
10
20
tf
0.2
0.1
0.05
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
IC ,集电极电流( AMP )
10
20
图9.导通开关时间
图10.关断开关时间
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJ13333
表1.测试条件为动态性能
VCEO ( SUS)
RBSOA以及电感式开关
+15 V
250
F
470
2W
47
R1
电阻开关
15 V
开启时间
0
+10 V
20
1
330
1
2
50
100
39
– 5.2
250
F
5.1
5W
R2
2
IB1调整为
获得强制
所需的hFE
关断时间
430
所有二极管 - 1N4934
所有的NPN - MJE200
所有PNP - MJE210
调整R1获得IB1
用于切换和RBSOA ,R 2 = 0时
对于VCEO ( ssu)的,R 2 =
使用电感式开关
驱动程序作为输入到
电阻测试电路。
IB1
1
2
输入
条件
0
PW变化,以臻
IC = 100毫安
电路
Lcoil = 80毫亨, VCC = 10 V
RCOIL = 0.7
Lcoil = 180
H
RCOIL = 0.05
VCC = 20 V
VCLAMP = 250 V
RB经调整以达到所需IB1
VCC = 250 V
RL = 50
脉冲宽度= 10
s
电感试验电路
输出波形
IC
测试电路
T1为调整
获得IC
t1
t2
Lcoil ( IC
VCC
Lcoil ( IC
pk
)
pk
)
阻性测试电路
TUT
1
输入
见上文
具体情况
2
1N4937
OR
当量
VCLAMP
RS =
0.1
RCOIL
Lcoil
VCC
VCE
IC ( PK)
t1
tf
TUT
1
2
RL
VCC
TF固支
t
VCLAMP
VCE或
VCLAMP
时间
t2
t
测试设备
范围 - 泰克
475或等效
R(T ),有效瞬态热
电阻(标准化)
1
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P( PK)
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θJC
(吨)= R(T )R
θJC
R
θJC
= 1.0 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK )R
θJC
(t)
t1
t2
占空比D = T1 / T2
30
50
100
200 300
500 1000
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨,时间( ms)的
10
20
图11.热响应
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
200 ns的电感下降时间 - 25
_
C(典型值)
1.8
s
感性的存储时间 - 25
_
C(典型值)
工作温度范围-65 + 200
_
C
开关稳压器
逆变器
电磁阀和继电器驱动器
电机控制
偏转电路
快速关闭时间
100
_
性能指定为:
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比10 % 。
(1)
可用较低VCEO评级相似的设备类型,请参阅MJ13330 ( 200 V)和MJ13331 ( 250 V ) 。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
该MJ13333晶体管是专为高电压,高转速,功率开关
在感性电路中的下降时间是至关重要的。它特别适合用于线路操作
开关模式的应用,如:
设计师和开关模式是Motorola,Inc.的商标。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
SWITCHMODE系列
NPN硅功率晶体管
设计师
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从5秒
热阻,结到外壳
工作和存储结温范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
高峰( 1 )
连续集电极电流 -
高峰( 1 )
发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
反向偏置SOA感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流
数据表
特征
等级
v
符号
符号
TJ , TSTG
VCEO
VCEV
R
θJC
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
TL
- 65至+ 200
20安培
NPN硅
功率晶体管
400-500伏
175瓦
MJ13333
价值
最大
275
175
100
1.0
700
400
1.0
6.0
10
15
20
30
订购此文件
通过MJ13333 / D
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
1
MJ13333
( 1 )脉冲测试: PW = 300
s,
占空比
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
下降时间
交叉时间
贮存时间
交叉时间
贮存时间
感性负载时,钳位(表1)
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载(表1)
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 1.0千赫)
基极发射极饱和电压
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC )
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC , TC = 100
_
C)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC )
( IC = 20 ADC , IB = 6.7 ADC )
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC , TC = 100
_
C)
直流电流增益
( IC = 5.0 ADC , VCE = 5.0 V直流)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 6.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE =额定VCEV , RBE = 50
,
TC = 100
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCEV =额定值时, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCEV =额定值时, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极耐受电压(表1)
( IC = 100 mA时, IB = 0 )
2
( IC = 10 A( PK) , VCLAMP = 250 VDC , IB1 = 2.0 A ,
VBE (关闭) = 5伏直流, TC = 25
_
C)
( IC = 10 A( PK) , VCLAMP = 250 VDC , IB1 = 2.0 A ,
VBE (关闭) = 5伏直流, TC = 100℃)
( VCC = 250 VDC , IC = 10 A,
IB1 = 2.0 A , VBE (关闭) = 5.0伏, TP = 10
s,
2.0%)
占空比
特征
v
2%.
v
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
IEBO
ICER
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
TSV
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
td
TFI
tr
tf
tc
tc
ts
125
400
10
0.02
典型值
见图13
见图12
0.2
0.4
1.8
0.8
2.5
0.3
1.6
0.3
0.25
5.0
最大
500
2.0
5.0
0.7
4.0
0.7
0.1
1.8
1.8
1.8
5.0
2.4
1.0
5.0
60
MADC
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
pF
s
s
s
s
s
s
s
s
s
MJ13333
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100
150°C
的hFE , DC电流增益
50
2.0
1.6
1A
5A
10 A
1.2
25°C
20
VCE = 5 V
10
0.8
0.4
5.0
0.2
0.5
5.0
1.0
2.0
IC ,集电极电流( AMPS )
10
20
0
0.01
0.02
0.05
0.1 0.2
0.5
1.0
IB ,基极电流( AMP )
2.0
5.0
10
图1.直流电流增益
VBE (星期六) ,基射极饱和电压(伏)
图2.集电极饱和区
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
2.0
IC / IB = 5
1.6
2.0
IC / IB = 5
1.6
1.2
1.2
25°C
0.8
150°C
0.8
0.4
25°C
0
0.2
150°C
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
IC ,集电极电流( AMP )
0.4
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
IC ,集电极电流( AMP )
图3.集电极 - 发射极饱和区
图4.基射极电压
104
IC ,集电极电流(
A)
103
TJ = 150℃
102
101
125°C
100°C
75°C
反向
25°C
10–1
– 0.4
前锋
VCE = 250 V
C,电容(pF )
3000
2000
兴业银行
1000
700
500
200
COB
100
50
100
– 0.2
0
+ 0.2
+ 0.4
VBE ,基极发射极电压(伏)
+ 0.6
30
0.1
0.5 1.0
5.0 10
50 100
VR ,反向电压(伏)
500 1000
图5.集电极截止区
图6.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ13333
IC PK
90 % VCLAMP
IC
TSV
TRV
tc
VCE
IB
10 % VCLAMP
90 % IB1
10%
IC PK
2 % IC
VCLAMP
90 % IC
TFI
TTI
开关时间注意
在电阻开关电路,上升,下降和存储时间
已经确定,适用于电流和电压
的波形,因为它们是同相的。但是,对于电感性
加载中通用的开关模式电源
和锤驱动器,电流和电压波形不是
同相的。因此,独立的测量值必须进行
每个波形以确定总的切换时间。为
由于这个原因,下面的新术语已经被定义。
TSV =电压贮存时间, 90 % IB1 10 % V钳位
TRV =电压上升时间, 10 - 90 % V钳位
TFI =电流下降时间, 90 - 10 %的IC
TTI =电流拖尾, 10 - 2 % IC
TC =交叉时, 10%的V钳位至10%的IC
感应开关波形的放大部分
示于图7至助剂中的这些视觉识别
条款。
对于设计师,有在最小的开关损耗
存储时间和主要的开关功率损耗
发生交叉间隔期间,能够得到我们 -
荷兰国际集团的AN- 222的标准方程:
PSWT = 1/2 VCCIC ( TC )F
一般情况下, TRV + T网络
T C 。然而,在较低的测试电流这
关系可能是无效的。
为是与大多数的开关晶体管,电阻
开关被指定在25℃并已成为一个基准
对于设计师,但是,对于高频的设计CON-
变频器电路,用户至上规范这使得
这是一个“开关模式”晶体管是电感式开关
速度(TC和TSV ),其可以保证在100℃下。
时间
图7.感应开关测量
10
IB2 ( PK) ,基极电流( AMP )
IC = 10 A
IB1 = 2将
VCLAMP = 250 V
TJ = 25°C
7.0
]
5.0
2.0
0
2.0
5.0
10
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
图8.反向基极电流与
VBE (关闭) ,无需外部基极电阻
电阻开关性能
2.0
1.0
0.5
T, TIME (
s)
VCC = 250 V
IC / IB = 5
5.0
2.0
tr
1.0
T, TIME (
s)
0.5
VCE = 250 V
IC / IB = 5
VBE (关闭) = 5 V
ts
0.2
0.1
0.05
td
0.02
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
IC ,集电极电流( AMP )
10
20
tf
0.2
0.1
0.05
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
IC ,集电极电流( AMP )
10
20
图9.导通开关时间
图10.关断开关时间
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJ13333
表1.测试条件为动态性能
VCEO ( SUS)
RBSOA以及电感式开关
+15 V
250
F
470
2W
47
R1
电阻开关
15 V
开启时间
0
+10 V
20
1
330
1
2
50
100
39
– 5.2
250
F
5.1
5W
R2
2
IB1调整为
获得强制
所需的hFE
关断时间
430
所有二极管 - 1N4934
所有的NPN - MJE200
所有PNP - MJE210
调整R1获得IB1
用于切换和RBSOA ,R 2 = 0时
对于VCEO ( ssu)的,R 2 =
使用电感式开关
驱动程序作为输入到
电阻测试电路。
IB1
1
2
输入
条件
0
PW变化,以臻
IC = 100毫安
电路
Lcoil = 80毫亨, VCC = 10 V
RCOIL = 0.7
Lcoil = 180
H
RCOIL = 0.05
VCC = 20 V
VCLAMP = 250 V
RB经调整以达到所需IB1
VCC = 250 V
RL = 50
脉冲宽度= 10
s
电感试验电路
输出波形
IC
测试电路
T1为调整
获得IC
t1
t2
Lcoil ( IC
VCC
Lcoil ( IC
pk
)
pk
)
阻性测试电路
TUT
1
输入
见上文
具体情况
2
1N4937
OR
当量
VCLAMP
RS =
0.1
RCOIL
Lcoil
VCC
VCE
IC ( PK)
t1
tf
TUT
1
2
RL
VCC
TF固支
t
VCLAMP
VCE或
VCLAMP
时间
t2
t
测试设备
范围 - 泰克
475或等效
R(T ),有效瞬态热
电阻(标准化)
1
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P( PK)
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θJC
(吨)= R(T )R
θJC
R
θJC
= 1.0 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK )R
θJC
(t)
t1
t2
占空比D = T1 / T2
30
50
100
200 300
500 1000
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨,时间( ms)的
10
20
图11.热响应
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
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