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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
MJ12002
描述
·
集电极 - 发射极电压 -
V
CEX
= 1500V
■转发
偏置安全的安全工作区
切换
带感性负载时
应用
·设计
在大屏幕彩色偏转电路使用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CEX
V
CEO （ SUS ）
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流连续
发射极电流连续
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
1500
750
5
2.5
2
4.5
75
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
I
E
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.67
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
MJ12002
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 50毫安;我
B
=0
B
750
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1.8A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1.8A
B
1.5
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
10.5
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V ; F
TEST
=1.0MHz
4
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F
TEST
=0.1MHz
50
pF
t
f
下降时间
I
C
= 2A ，我
B1
= 1A ; L
B
= 12μH
B
0.65
1.0
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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单价/备注
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