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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1574页 > MJ11030G
MJ11028 , MJ11030 ,
MJ11032 ( NPN )
MJ11029 , MJ11033 ( PNP )
高电流
其他芯片
功率晶体管
高电流互补硅功率晶体管的使用
如在补充通用放大器的输出设备
应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益
h
FE
= 1000 (最小值) @我
C
= 25 ADC
h
FE
= 400 (最小值) @我
C
= 50 ADC
曲线100 A(脉冲)
保护二极管额定我
C
单片式结构,具有内置基射极分流电阻
结温为+ 200_C
无铅包可用*
50安培
补充
达林顿功率
晶体管
60
120伏
300瓦
NPN
集热器
BASE
1
BASE
1
PNP
集热器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 发射极电压
MJ11028/29
MJ11030
MJ11032/33
MJ11028/29
MJ11030
MJ11032/33
符号
V
首席执行官
价值
60
90
120
60
90
120
5.0
50
100
2.0
300
1.71
55 200
单位
VDC
发射器2
MJ11028
MJ11030
MJ11032
发射器2
MJ11029
MJ11033
集电极 - 基极电压
V
CBO
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
山顶(注1 )
基极电流
连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃ @ T
C
= 100_C
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃,
°C
2
1
记号
的TO- 204 (TO- 3)
CASE 197A
风格1
MJ110xxG
Ayyww
MEX
热特性
铅的最大温度
焊接目的,
v
10秒
T
L
275
_C
热阻,结到外壳
R
QJC
0.58
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试:脉冲宽度= 5
女士,
占空比
10%.
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
特征
符号
最大
单位
MJ110xx =器件代码
xx = 28, 29, 30, 32, 33
G
= Pb-Free包装
A
=地点代码
YY
=年
WW
=工作周
MEX
=国家的由来
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
2008年9月,
启示录6
1
出版订单号:
MJ11028/D
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 ( NPN )
PNP
MJ11029
MJ11033
BASE
集热器
NPN
MJ11028
MJ11030
MJ11032
BASE
集热器
3.0 k
25
3.0 k
25
辐射源
辐射源
图1.达林顿电路原理图
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 1 00 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 发射极漏电流
(V
CE
= 60伏,R
BE
= 1 KW )
(V
CE
= 90伏,R
BE
= 1 KW )
(V
CE
= 120伏,R
BE
= 1 KW )
(V
CE
= 60伏,R
BE
= 1千瓦,T
C
= 150_C)
(V
CE
= 120伏,R
BE
= 1千瓦,T
C
= 150_C)
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5 VDC ,我
C
= 0)
集电极 - 发射极漏电流
(V
CE
= 50伏直流,我
B
= 0)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 25个ADC ,V
CE
= 5 V直流)
(I
C
= 50 ADC ,V
CE
= 5 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 25个ADC ,我
B
= 250 MADC )
(I
C
= 50 ADC ,我
B
= 500 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 25个ADC ,我
B
= 200 MADC )
(I
C
= 50 ADC ,我
B
= 300 MADC )
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
h
FE
1k
400
18 k
2.5
3.5
3.0
4.5
MJ11028 , MJ11029
MJ11030
MJ11032 , MJ11033
MJ11028 , MJ11029
MJ11030
MJ11032 , MJ11033
MJ11028 , MJ11029
MJ11032 , MJ11033
V
( BR ) CEO
60
90
120
2
2
2
10
10
5
2
VDC
符号
最大
单位
I
CER
MADC
I
EBO
I
首席执行官
MADC
MADC
V
CE ( SAT )
VDC
V
BE ( SAT )
VDC
http://onsemi.com
2
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 ( NPN )
订购信息
设备
MJ11028
MJ11028G
MJ11029
MJ11029G
MJ11030
MJ11030G
MJ11032
MJ11032G
MJ11033
MJ11033G
TO204
TO204
(无铅)
TO204
TO204
(无铅)
TO204
TO204
(无铅)
TO204
TO204
(无铅)
TO204
TO204
(无铅)
100单位/托盘
航运
100
IC ,集电极电流( AMP )
50
20
10
5
2
1
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
二次击穿有限公司
MJ11028 , 29
MJ11032 , 33
0.5
0.2
0.1
0.2
有在功率处理能力两方面的局限性
平均结温及第二:晶体管
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作,也就是,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J(下PK)
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。在高温情况下,
的温度下,热限制会降低功率
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
200
0.5
1
2
5
10 20
50 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图2.直流安全工作区
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100 k
50 k
的hFE , DC电流增益
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
100
1
2
5
10
20
80
ms
(脉冲的)
50
100
MJ11029 , MJ11033 PNP
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 NPN
V
CE
= 5 V
T
J
= 25°C
5
MJ11029 , MJ11033 PNP
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 NPN
4
3
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 100
V
BE ( SAT )
2
1
V
CE ( SAT )
1
2
3
5
10
20
I
C
,集电极电流( AMP )
80
ms
(脉冲的)
50
100
0
I
C
,集电极电流( AMP )
图3.直流电流增益
图4. “开”电压
http://onsemi.com
3
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 ( NPN )
包装尺寸
的TO- 204 (TO- 3)
CASE 197A -05
ISSUE
A
N
C
E
D
2 PL
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
T
K
M
座位
飞机
0.30 (0.012)
Q
M
Y
M
V
2
U
L
G
Y
B
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
最大
1.530 REF
0.990 1.050
0.250 0.335
0.057 0.063
0.060 0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440 0.480
0.665 BSC
0.760 0.830
0.151 0.165
1.187 BSC
0.131 0.188
MILLIMETERS
最小最大
38.86 REF
25.15 26.67
6.35
8.51
1.45
1.60
1.53
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18 12.19
16.89 BSC
19.31 21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
H
1
Q
0.25 (0.010)
M
风格1 :
1. PIN BASE
2.辐射源
案例:收藏家
M
牛逼
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
MJ11028/D
MJ11028 , MJ11030 ,
MJ11032 ( NPN )
MJ11029 , MJ11033 ( PNP )
大电流
其他芯片
功率晶体管
高电流互补硅功率晶体管的使用
如在补充通用放大器的输出设备
应用程序。
特点
http://onsemi.com
高直流电流增益 - ^ h
FE
= 1000 (最小值) @我
C
= 25 ADC
h
FE
= 400 (最小值) @我
C
= 50 ADC
曲线100 A(脉冲)
保护二极管额定我
C
单片式结构,具有内置基射极分流电阻
结温为+ 200_C
无铅包可用*
50安培
补充
达林顿功率
晶体管
60 - 120伏
300瓦
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 发射极电压
MJ11028/29
MJ11030
MJ11032/33
MJ11028/29
MJ11030
MJ11032/33
符号
V
首席执行官
价值
60
90
120
60
90
120
5.0
50
100
2.0
300
1.71
- 55 + 200
单位
VDC
的TO- 204 (TO- 3)
CASE 197A
风格1
集电极 - 基极电压
V
CBO
VDC
标记图
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃,
°C
MJ110xx =器件代码
xx = 28, 29, 30, 32, 33
G
= Pb-Free包装
A
=地点代码
YY
=年
WW
=工作周
MEX
=国家的由来
MJ110xxG
Ayyww
MEX
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
- 山顶(注1 )
基极电流 - 连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃ @ T
C
= 100_C
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
热特性
铅的最大温度
焊接目的,
v
10秒
T
L
275
_C
热阻,结到外壳
R
QJC
0.58
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试:脉冲宽度= 5
女士,
占空比
10%.
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
特征
符号
最大
单位
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
1
2005年12月 - 修订版5
出版订单号:
MJ11028/D
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 ( NPN )
PNP
MJ11029
MJ11033
BASE
集热器
NPN
MJ11028
MJ11030
MJ11032
BASE
集热器
3.0 k
25
3.0 k
25
辐射源
辐射源
图1.达林顿电路原理图
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 1 00 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 发射极漏电流
(V
CE
= 60伏,R
BE
= 1 KW )
(V
CE
= 90伏,R
BE
= 1 KW )
(V
CE
= 120伏,R
BE
= 1 KW )
(V
CE
= 60伏,R
BE
= 1千瓦,T
C
= 150_C)
(V
CE
= 120伏,R
BE
= 1千瓦,T
C
= 150_C)
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5 VDC ,我
C
= 0)
集电极 - 发射极漏电流
(V
CE
= 50伏直流,我
B
= 0)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 25个ADC ,V
CE
= 5 V直流)
(I
C
= 50 ADC ,V
CE
= 5 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 25个ADC ,我
B
= 250 MADC )
(I
C
= 50 ADC ,我
B
= 500 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 25个ADC ,我
B
= 200 MADC )
(I
C
= 50 ADC ,我
B
= 300 MADC )
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
h
FE
1k
400
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
3.0
4.5
2.5
3.5
VDC
18 k
VDC
MJ11028 , MJ11029
MJ11030
MJ11032 , MJ11033
MJ11028 , MJ11029
MJ11030
MJ11032 , MJ11033
MJ11028 , MJ11029
MJ11032 , MJ11033
I
EBO
I
首席执行官
2
5
MADC
V
( BR ) CEO
60
90
120
2
2
2
10
10
MADC
VDC
符号
最大
单位
I
CER
MADC
http://onsemi.com
2
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 ( NPN )
订购信息
设备
MJ11028
MJ11028G
MJ11029
MJ11029G
MJ11030
MJ11030G
MJ11032
MJ11032G
MJ11033
MJ11033G
TO204
TO204
(无铅)
TO204
TO204
(无铅)
TO204
TO204
(无铅)
TO204
TO204
(无铅)
TO204
TO204
(无铅)
100单位/托盘
航运
100
IC ,集电极电流( AMP )
50
20
10
5
2
1
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
二次击穿有限公司
MJ11028 , 29
MJ11032 , 33
0.5
0.2
0.1
0.2
有在功率处理能力两方面的局限性
平均结温及第二:晶体管
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作,也就是,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J(下PK)
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。在高温情况下,
的温度下,热限制会降低功率
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
200
0.5
1
2
5
10 20
50 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图2.直流安全工作区
100 k
50 k
的hFE , DC电流增益
20 k
10 k
5k
2k
1k
500
200
100
1
2
5
10
20
MJ11029 , MJ11033 PNP
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 NPN
80
ms
(脉冲的)
50
100
V
CE
= 5 V
T
J
= 25°C
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
5
4
3
2
1
0
MJ11029 , MJ11033 PNP
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 NPN
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 100
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
1
2
3
5
10
20
I
C
,集电极电流( AMP )
80
ms
(脉冲的)
50
100
I
C
,集电极电流( AMP )
图3.直流电流增益
图4. “开”电压
http://onsemi.com
3
MJ11028 , MJ11030 , MJ11032 ( NPN )
包装尺寸
的TO- 204 (TO- 3)
CASE 197A -05
ISSUE
A
N
C
T
E
D
2 PL
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
1.530 REF
0.990 1.050
0.250 0.335
0.057 0.063
0.060 0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440 0.480
0.665 BSC
0.760 0.830
0.151 0.165
1.187 BSC
0.131 0.188
MILLIMETERS
最小最大
38.86 REF
25.15 26.67
6.35
8.51
1.45
1.60
1.53
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18 12.19
16.89 BSC
19.31 21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
K
M
0.30 (0.012)
Q
M
Y
M
U
V
2
L
G
Y
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
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1. PIN BASE
2.辐射源
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牛逼
安森美半导体
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