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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2761页 > MJ11015
ON Semiconductort
PNP
大电流互补
硅晶体管
。 。 。用作互补通用输出设备
放大器应用。
MJ11015
MJ11012
NPN
高直流电流增益 -
h
FE
= 1000 （最小值） @我
C
- 20 ADC
整体结构与内置的基极发射极分流
电阻器
结温为+ 200_C
MJ11016 *
·安森美半导体首选设备
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
MJ11012
60
60
MJ11015
MJ11016
120
120
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
30安培
达林顿
功率晶体管
补充
硅
60-120伏
200瓦
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
5
30
1
器件总功耗@T
C
= 25_C
减免上述25_C @ T
C
= 100_C
工作存储结
温度范围
P
D
200
1.15
瓦
W / ℃，
_C
T
J
, T
英镑
-55到+200
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
热特性
特征
符号
R
θJC
T
L
最大
单位
热阻，结到外壳
0.87
275
° C / W
_C
铅的最大温度
焊接目的，
v
10秒。
PNP
MJ11015
集热器
NPN
MJ11012
MJ11016
集热器
BASE
BASE
≈
8.0 k
≈
40
≈
8.0 k
≈
40
辐射源
辐射源
图1.达林顿电路原理图
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年5月 - 第4版
出版订单号：
MJ11012/D
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
=
300
s,
占空比
v
2.0%.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
基射极饱和电压
(I
C
= 20 A，I
B
= 200 MADC ）
(I
C
= 30 A，I
B
= 300 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
(I
C
= 30 ADC ，我
B
= 300 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 20 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 30 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
电流增益带宽积
(I
C
= 10 A，V
CE
= 3伏， F = 1兆赫）
集电极 - 发射极漏电流
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
集电极 - 发射极漏电流
(V
CE
= 60伏，R
BE
= 1K欧姆）
(V
CE
= 120伏，R
BE
= 1K欧姆）
(V
CE
= 60伏，R
BE
= 1K欧姆，T
C
= 150_C)
(V
CE
= 120伏，R
BE
= 1K欧姆，T
C
= 150_C)
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
特征
MJ11015 MJ11012 MJ11016
http://onsemi.com
MJ11012
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11015 ， MJ11016
V
（ BR ） CEO
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CER
h
FE
h
fe
1000
200
民
60
120
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
最大
3.5
5
—
—
—
—
—
3
4
1
5
1
1
5
5
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
2
MJ11015 MJ11012 MJ11016
的hFE ，小信号电流增益（归
30 k
20 k
的hFE ， DC电流增益
10 k
7k
5k
3k
2k
PNP MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11016
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
PNP MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11016
V
CE
= 3伏直流
I
C
= 10 MADC
T
J
= 25°C
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（KHz ）
500 700 1.0 k
700
500
300
0.3
V
CE
= 5 VDC
T
J
= 25°C
0.5 0.7
5 7 10
1
2
3
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
30
0.005
10
图2. DC电流增益（1）
图3.小信号电流增益
5
4
V，电压（V ）
3
2
1
0
0.1
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 100
IC ，集电极电流（ AMP ）
PNP MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11016
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2
3
焊线限制
散热的限制， @ T
C
= 25°C
二次击穿限制
MJ11012
MJ11015 ， MJ11016
5
7
10
20
30
50
70 100
200
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图4. “开”电压（ 1 ）
图5.活动区DC安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
一个晶体管平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明我
C
– V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作例如，晶体管不能进行
更大的功耗比曲线表示。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
http://onsemi.com
3
MJ11015 MJ11012 MJ11016
包装尺寸
案例1-07
TO- 204AA （TO- 3）
ISSUE
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
---
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
---
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
---
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
---
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
北美文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
传真响应行： 303-675-2167或800-344-3810免费电话美国/加拿大
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
欧洲：
最不发达国家的安森美半导体 - 欧洲支持
德国电话：
（ +1 ） 303-308-7140 （周一至周五下午2:30至下午7:00 CET）
电子邮件：
ONlit-german@hibbertco.com
法国电话：
（ +1 ） 303-308-7141 （周一至周五下午2时00分至晚上7时CET）
电子邮件：
ONlit-french@hibbertco.com
英语电话：
（ +1 ） 303-308-7142 （周一至周五下午12时00分至下午5:00 GMT ）
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
欧洲免费接入* ： 00-800-4422-3781
*有来自德国，法国，意大利，英国，爱尔兰
中/南美洲：
西班牙电话：
303-308-7143 （周一至周五上午8:00至下午5:00 ）
电子邮件：
ONlit-spanish@hibbertco.com
免费电话，来自墨西哥：
拨打01-800-288-2872的访问 -
然后拨打866-297-9322
亚洲/太平洋网络C：
最不发达国家的安森美半导体 - 亚洲支持
电话：
1-303-675-2121 （周二至周五上午9:00至下午1:00 ，香港时间）
免费咨询电话
来自香港和放大器;新加坡：
001–800–4422–3781
电子邮件：
ONlit-asia@hibbertco.com
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
电话：
81–3–5740–2700
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
MJ11012/D
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
MJ11015
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -120V （最小值）
高
直流电流GAIN-
: h
FE
= 1000(Min.)@I
C
= -20A
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （SAT）
= -3.0V （最大值） @我
C
= -20A
.Complement
到类型MJ11016
应用
·设计
用作互补输出设备
通用放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流Continunous
基极电流Continunous
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
-120
-120
-5
-30
-1
200
200
-55~+200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
0.87
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
MJ11015
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -0.1A ;我
B
= 0
-120
V
V
CE
(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -20A ;我
B
= -0.2A
-3.0
V
V
CE
(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -30A ;我
B
= -0.3A
-4.0
V
V
BE
(sat)-1
基射极饱和电压
I
C
= -20A ;我
B
= -0.2A
-3.5
V
V
BE
(sat)-2
基射极饱和电压
I
C
= -30A ;我
B
= -0.3A
V
CE
= -120V ;
BE
=1kΩ
V
CE
= -120V ;
BE
= 1kΩ的;牛逼
C
=150℃
V
CE
= -50V ;我
B
= 0
-5.0
-1.0
-5.0
-1.0
V
I
CER
收藏家Cuto FF电流
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-5.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -20A ，V
CE
= -5V
1000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -30A ，V
CE
= -5V
200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
MJ11015 （ PNP ） ; MJ11012 ，
MJ11016 （ NPN ）
MJ11016是首选设备
高电流
其他芯片
晶体管
。 。 。用作互补通用输出设备
放大器应用。
http://onsemi.com
高直流电流增益
h
FE
= 1000 （最小值） @我
C
20 ADC
整体结构与内置的基极发射极分流
电阻器
结温为+ 200_C
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
MJ11012
MJ11015/6
MJ11012
MJ11015/6
符号
V
首席执行官
价值
60
120
60
120
5
30
1
200
1.15
55
到+ 200
单位
VDC
30安培达林顿
功率晶体管
其他芯片
60
120伏， 200瓦
NPN
集热器
例
BASE
1
BASE
1
PNP
集热器
例
集电极 - 基极电压
V
CB
VDC
发射器2
MJ11016
MJ11012
发射器2
MJ11015
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃ @ T
C
= 100°C
工作存储结
温度范围
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
°C
1
2
TO- 204AA （TO- 3）
案例1-07
风格1
MJ1101x =器件代码
X = 2,5或6的
G
= Pb-Free包装
A
=地点代码
YY
=年
WW
=工作周
MEX
=国家的由来
记号
图
热特性
特征
热阻，结到外壳
铅的最大温度溶胶
dering目的，
≤
10秒
符号
R
QJC
T
L
最大
0.87
275
单位
° C / W
°C
MJ1101xG
Ayyww
MEX
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
MJ11012
MJ11012G
MJ11015
MJ11015G
MJ11016
MJ11016G
包
TO3
TO3
（无铅）
TO3
TO3
（无铅）
TO3
TO3
（无铅）
航运
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年9月，
启5
1
出版订单号：
MJ11012/D
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
=
300
μs,
占空比
v
2.0%.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
基射极饱和电压
(I
C
= 20 A，I
B
= 200 MADC ）
(I
C
= 30 A，I
B
= 300 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 20 ADC ，我
B
= 200 MADC ）
(I
C
= 30 ADC ，我
B
= 300 MADC ）
直流电流增益
(I
C
= 20 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
(I
C
= 30 ADC ，V
CE
= 5 V直流）
电流增益带宽积
(I
C
= 10 A，V
CE
= 3伏， F = 1兆赫）
集电极 - 发射极漏电流
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5 VDC ，我
C
= 0)
集电极 - 发射极漏电流
(V
CE
= 60伏，R
BE
= 1K欧姆）
(V
CE
= 120伏，R
BE
= 1K欧姆）
(V
CE
= 60伏，R
BE
= 1K欧姆，T
C
= 150_C)
(V
CE
= 120伏，R
BE
= 1K欧姆，T
C
= 150_C)
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
BASE
PNP
MJ11015
≈
8.0 k
特征
MJ11015 （ PNP ） ; MJ11012 ， MJ11016 （ NPN ）
≈
40
图1.达林顿电路原理图
集热器
辐射源
http://onsemi.com
MJ11012
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11015 ， MJ11016
BASE
NPN
MJ11012
MJ11016
≈
8.0 k
V
（ BR ） CEO
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
≈
40
I
首席执行官
集热器
I
EBO
I
CER
h
FE
h
fe
辐射源
1000
200
民
60
120
4
最大
3.5
5
3
4
1
5
1
1
5
5
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
2
MJ11015 （ PNP ） ; MJ11012 ， MJ11016 （ NPN ）
30 k
20 k
的hFE ， DC电流增益
10 k
7k
5k
3k
2k
的hFE ，小信号电流增益（归
PNP MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11016
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
10
V
CE
= 3伏直流
I
C
= 10 MADC
T
J
= 25°C
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（KHz ）
500 700 1.0 k
PNP MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11016
700
500
300
0.3
V
CE
= 5 VDC
T
J
= 25°C
0.5 0.7
1
2
3
5 7 10
I
C
，集电极电流（ AMP ）
20
30
图2. DC电流增益（1）
图3.小信号电流增益
5
IC ，集电极电流（ AMP ）
PNP MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11016
4
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2
3
焊线限制
散热的限制， @ T
C
= 25°C
二次击穿限制
MJ11012
MJ11015 ， MJ11016
5
7
10
20
30
50
70 100
200
3
2
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
1
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
I
C
，集电极电流（ AMP ）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图4. “开”电压（ 1 ）
图5.活动区DC安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
一个晶体管平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作例如，晶体管不能进行
更大的功耗比曲线表示。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
http://onsemi.com
3
MJ11015 （ PNP ） ; MJ11012 ， MJ11016 （ NPN ）
包装尺寸
的TO- 204 （TO- 3）
案例1-07
ISSUE
A
N
C
E
D
2 PL
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
英寸
民
最大
1.550 REF
---
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
---
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
---
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
---
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
T
K
M
座位
飞机
0.13 (0.005)
U
2
Q
M
Y
M
V
H
L
G
Y
B
1
Q
0.13 (0.005)
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
M
牛逼
M
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
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电话：
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N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
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欧洲，中东和非洲技术支持：
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
MJ11012/D
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
PNP
(A)
最大
10
30
8.0
8.0
10
10
16
16
16
10
40
PD
(W)
100
200
90
90
150
150
150
150
150
175
250
200
200
200
150
150
150
150
100
100
100
100
180
180
180
200
200
200
225
225
225
100
100
100
BVCBO BVCEO
(V)
民
500
100
60
80
60
80
60
80
100
600
--
60
90
120
40
60
80
100
40
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
(V)
民
200
90
60
80
60
80
60
80
100
400
400
60
90
120
40
60
80
100
40
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
* TYP
民
15
25
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
100
50
1,000
1,000
1,000
800
800
800
800
800
800
800
800
750
750
750
800
800
800
800
800
800
1,000
1,000
1,000
的hFE
最大
--
100
--
--
--
--
--
--
--
2,000
600
--
--
--
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
--
--
--
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
2.5
7.5
3.0
3.0
5.0
5.0
10
10
10
6.0
10
20
20
20
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
10
10
10
10
15
15
15
7.5
7.5
7.5
(V)
最大
3.3
0.8
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.5
5.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
(A)
8.0
7.5
8.0
8.0
10
10
16
16
16
10
40
30
30
30
12
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
10
10
10
10
15
15
15
7.5
7.5
7.5
NPN
BUY69C
MJ802
MJ1000
MJ1001
MJ3000
MJ3001
MJ4033
MJ4034
MJ4035
MJ10012
MJ10023
MJ11012
MJ11014
MJ11016
PMD10K40
PMD10K60
PMD10K80
PMD10K100
PMD12K40
PMD12K60
PMD12K80
PMD12K100
PMD1601K
PMD1602K
PMD1603K
PMD16K60
PMD16K80
PMD16K100
PMD18K60
PMD18K80
PMD18K100
SE9303
SE9304
SE9305
fT
* TYP
（兆赫）
民
10*
2.0
6.0
6.0
--
--
--
--
--
--
-
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
1.0
1.0
1.0
-
MJ4502
MJ 900
MJ 901
MJ2500
MJ2501
MJ4030
MJ4031
MJ4032
MJ11011
MJ11013
MJ11015
PMD11K40
PMD11K60
PMD11K80
PMD11K100
PMD13K40
PMD13K60
PMD13K80
PMD13K100
PMD1701K
PMD1702K
PMD1703K
PMD17K60
PMD17K80
PMD17K100
PMD19K60
PMD19K80
PMD19K100
SE9403
SE9404
SE9405
30
30
30
12
12
12
12
8.0
8.0
8.0
8.0
20
20
20
20
20
20
30
30
30
10
10
10
阴影部分表示达林顿。
使用60密耳的线索。
见机械规格209页
85
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
A
A
A
高直流电流增益 - 的hFE = 1000 （最小） @ IC - 20 ADC
整体结构与内置的基极发射极分流电阻
结温为+ 200
_
C
。 。 。用作互补通用放大器应用的输出设备
系统蒸发散。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
大电流互补
硅晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
铅的最大温度
焊接目的，
10秒。
热阻，结到外壳
工作存储结
温度范围
器件总功耗@TC = 25
_
C
减免上述25
_
3. C @ TC = 100
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
等级
特征
BASE
PNP
MJ11013
MJ11015
v
≈
8.0 k
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
≈
40
图1.达林顿电路原理图
集热器
辐射源
MJ11012
符号
R
θJC
60
60
TL
- 55至+ 200
MJ11013
MJ11014
200
1.15
90
90
30
1
5
BASE
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016
0.87
最大
275
MJ11015
MJ11016
120
120
≈
8.0 k
_
C / W
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
≈
40
集热器
辐射源
30安培
达林顿
功率晶体管
补充
硅
60 - 120伏
200瓦
MJ11013
MJ11015
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016*
*摩托罗拉的首选设备
订购此文件
通过MJ11012 / D
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
PNP
1
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
=
300
s,
占空比
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明。 ）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
基射极饱和电压
（ IC = 20 A ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 30 A ， IB = 300 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 30 ADC ， IB = 300 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 20 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 30 ADC ， VCE = 5 VDC ）
电流增益带宽积
（ IC = 10 A， VCE = 3伏， F = 1兆赫）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCE = 60 VDC ， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 90伏直流电， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 120伏， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 60 VDC ， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
（ VCE = 90伏直流电， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
（ VCE = 120伏， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
2
特征
v
2.0%.
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
V（ BR ） CEO
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
ICEO
IEBO
ICER
的hFE
的hFE
1000
200
民
60
90
120
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
最大
3.5
5
—
—
—
—
—
—
3
4
1
5
1
1
1
5
5
5
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
30 k
20 k
的hFE ， DC电流增益
10 k
7k
5k
3k
2k
的hFE ，小信号电流增益（标准化）
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
10
VCE = 3伏直流
IC = 10 MADC
TJ = 25°C
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（KHz ）
500 700 1.0 k
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
700
500
300
0.3
VCE = 5 VDC
TJ = 25°C
0.5 0.7
1
2
3
5 7 10
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
30
图2. DC电流增益（1）
图3.小信号电流增益
5
IC ，集电极电流（ AMP ）
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
4
V，电压（V ）
TJ = 25°C
IC / IB = 100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2
3
焊线限制
散热的限制， @ TC = 25°C
二次击穿限制
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
5
7
10
20
30
50
70 100
200
3
2
VBE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
1
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图4. “开”电压（ 1 ）
图5.活动区DC安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管的平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
系统蒸发散例如，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于局限性的功率
系统蒸发散了二次击穿的罚款。
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
包装尺寸
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
–––
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
–––
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
–––
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
–––
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
案例1-07
TO- 204AA （TO- 3）
ISSUE
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
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摩托罗拉文学分布;
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日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*MJ11012/D*
MJ11012/D
高直流电流增益 - 的hFE = 1000 （最小） @ IC - 20 ADC
整体结构与内置的基极发射极分流电阻
结温为+ 200
_
C
。 。 。用作互补通用放大器应用的输出设备
系统蒸发散。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
大电流互补
硅晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
铅的最大温度
焊接目的，
10秒。
热阻，结到外壳
工作存储结
温度范围
器件总功耗@TC = 25
_
C
减免上述25
_
3. C @ TC = 100
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
等级
特征
BASE
PNP
MJ11013
MJ11015
v
≈
8.0 k
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
≈
40
图1.达林顿电路原理图
集热器
辐射源
MJ11012
符号
R
θJC
60
60
TL
- 55至+ 200
MJ11013
MJ11014
200
1.15
90
90
30
1
5
BASE
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016
0.87
最大
275
MJ11015
MJ11016
120
120
≈
8.0 k
_
C / W
瓦
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
≈
40
集热器
辐射源
30安培
达林顿
功率晶体管
补充
硅
60 - 120伏
200瓦
MJ11013
MJ11015
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016*
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通过MJ11012 / D
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
PNP
1
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
=
300
s,
占空比
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明。 ）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
基射极饱和电压
（ IC = 20 A ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 30 A ， IB = 300 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 200 MADC ）
（ IC = 30 ADC ， IB = 300 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 20 ADC ， VCE = 5 VDC ）
（ IC = 30 ADC ， VCE = 5 VDC ）
电流增益带宽积
（ IC = 10 A， VCE = 3伏， F = 1兆赫）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5 VDC ， IC = 0 ）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCE = 60 VDC ， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 90伏直流电， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 120伏， RBE = 1K欧姆）
（ VCE = 60 VDC ， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
（ VCE = 90伏直流电， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
（ VCE = 120伏， RBE = 1K欧姆， TC = 150
_
C)
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 0 ）
2
特征
v
2.0%.
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
V（ BR ） CEO
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
符号
ICEO
IEBO
ICER
的hFE
的hFE
1000
200
民
60
90
120
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4
最大
3.5
5
—
—
—
—
—
—
3
4
1
5
1
1
1
5
5
5
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
—
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
30 k
20 k
的hFE ， DC电流增益
10 k
7k
5k
3k
2k
的hFE ，小信号电流增益（标准化）
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
10
VCE = 3伏直流
IC = 10 MADC
TJ = 25°C
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（KHz ）
500 700 1.0 k
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
700
500
300
0.3
VCE = 5 VDC
TJ = 25°C
0.5 0.7
1
2
3
5 7 10
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
30
图2. DC电流增益（1）
图3.小信号电流增益
5
IC ，集电极电流（ AMP ）
PNP MJ11013 ， MJ11015
NPN MJ11012 ， MJ11014 ， MJ11016
4
V，电压（V ）
TJ = 25°C
IC / IB = 100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2
3
焊线限制
散热的限制， @ TC = 25°C
二次击穿限制
MJ11012
MJ11013 ， MJ11014
MJ11015 ， MJ11016
5
7
10
20
30
50
70 100
200
3
2
VBE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
1
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
IC ，集电极电流（ AMP ）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图4. “开”电压（ 1 ）
图5.活动区DC安全工作区
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管的平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
系统蒸发散例如，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于局限性的功率
系统蒸发散了二次击穿的罚款。
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ11013 MJ11015 MJ11012 MJ11014 MJ11016
包装尺寸
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
–––
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
–––
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
–––
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
–––
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
案例1-07
TO- 204AA （TO- 3）
ISSUE
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
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4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*MJ11012/D*
MJ11012/D
MJ11015
PNP硅达林顿晶体管
开关稳压器PWM逆变器
电磁阀和继电器驱动器
TO-3
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（TC = 25 ° C）
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
IC
PC
Tj
TSTG
等级
-120
-120
-30
200
200
-50~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
电气特性（Ta = 25℃）
C)
特征
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
ICBO
ICEO
的hFE
VCE （ SAT ）
测试条件
VCB = -120V ， IE = 0
VCB = -120V ， IB = 0
VCE = -5V ， IC = -20A
IC = -10A ， IB = -1A
民
典型值
最大
-10
-10
单位
A
A
V
1K
-1.5
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
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联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
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MX7624MJE
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M93S46-WMN3T
MI-PC6NO-IX
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    MJ11015
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MJ11015
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