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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1451页 > MJ10015
开关稳压器
电机控制
逆变器
电磁阀和继电器驱动器
快速关断时间
1.0
s
(最大值)感应交叉时间 - 20安培
2.5
s
(最大值)电感储存时间 - 20安培
工作温度范围-65 + 200
_
C
性能指定
反向偏置SOA带感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
该MJ10015和MJ10016达林顿晶体管设计用于高电压,
高速,在电感性电路中的下降时间是非常关键的电力开关。他们是
特别适用于线操作的开关模式的应用,如:
开关模式是摩托罗拉公司的一个商标。
SWITCHMODE系列
NPN硅达林顿功率
晶体管基射极
加速二极管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
最大的铅焊接温度的目的:
1/8 ?从案例5秒
工作和存储结温范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
- 峰值( 1 )
连续集电极电流 -
- 峰值( 1 )
发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
热阻,结到外壳
特征
等级
v
10%.
符号
符号
TJ , TSTG
VCEO
VCEV
R
θJC
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
TL
50
8
MJ10015
600
400
- 65至+ 200
最大
250
143
1.43
275
0.7
8.0
10
15
50
75
50安培
NPN硅
大功率达林顿管
晶体管
400与500伏
250瓦
MJ10015
MJ10016
MJ10016
700
500
CASE 197-05
TO- 204AE型
( TO-3型)
订购此文件
通过MJ10015 / D
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
1
MJ10015 MJ10016
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2%.
( 2 )内部的集电极 - 发射极二极管可省去外部二极管钳位感性负载。
(2)
试验表明,该二极管的正向恢复电压(Vf )相当于典型的快速恢复整流器。
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性( 1 )
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
交叉时间
贮存时间
感性负载时,钳位(表1)
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载(表1)
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 100千赫)
二极管的正向电压( 2 )
( IF = 20 ADC)
基射极饱和电压
( IC = 20 ADC , IB = 1.0 ADC )
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 20 ADC , IB = 1.0 ADC )
( IC = 50 ADC , IB = 10 ADC)
直流电流增益
( IC = 20 ADC , VCE = 5.0 V直流)
( IC = 40 ADC , VCE = 5.0 V直流)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 2.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCEV =额定值时, VBE (关闭) = 1.5伏)
集电极 - 发射极耐受电压(表1)
( IC = 100 mA时, IB = 0 , VCLAMP =额定VCEO )
2
( IC = 20 A( PK) , VCLAMP = 250 V , IB1 = 1.0 A,
VBE (关闭) = 5.0伏)
( VCC = 250 VDC , IC = 20 A,
IB1 = 1.0 ADC , VBE (关闭) = 5 VDC , TP = 25
s
2%).
占空比
特征
v
v
MJ10015
MJ10016
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
IEBO
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
Vf
td
ts
tr
tf
tc
400
500
25
10
参见图8
参见图7
0.36
0.14
典型值
1.0
0.3
0.8
0.3
2.5
2.75
0.25
最大
750
350
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
0.3
5.0
2.2
5.0
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
s
s
s
s
s
s
MJ10015 MJ10016
典型特征
100
2.4
2.0
V,电压(V )
IC / IB = 10
1.6
的hFE , DC电流增益
50
20
TC = 25°C
VCE = 5.0 V
1.2
TJ = 25°C
0.8
TJ = 150℃
10
5.0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
IC ,集电极电流( AMPS )
50
0.4
0.5
1.0
10
2.0
5.0
IC ,集电极电流( AMP )
20
50
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和电压
2.8
IC ,集电极电流(
A)
104
VCE = 250 V
103
102
101
TJ = 125°C
100°C
75°C
反向
100
25°C
10–1
– 0.2
0
+ 0.2
+ 0.4
+ 0.6
+ 0.8
2.4
V,电压(V )
IC / IB = 10
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2
TJ = 150℃
前锋
0.8
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ,集电极电流( AMP )
VBE ,基极发射极电压(伏)
图3.基射极饱和电压
图4.集电极截止区
1500
OB ,输出电容(pF )
1000
TJ = 25°C
500
300
200
100
0.4
1.0
100
4.0 10
40
VR ,反向电压(伏)
400
图5.输出电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ10015 MJ10016
表1.测试条件为动态性能
VCEO ( SUS)
20
1
VCEX以及电感式开关
电感试验电路
电阻开关
开启时间
1
输入
条件
5V
0
2
1
TUT
1N4937
OR
当量
VCLAMP
RS =
0.1
2
RCOIL
Lcoil
VCC
IB1调整为
获得强制
所需的hFE
关断时间
使用电感式开关
驱动程序作为输入到
电阻测试电路。
VCC = 250 V
RL = 12.5
脉冲宽度= 25
s
IB1
输入
见上文
具体情况
PW变化,以臻
IC = 100毫安
2
电路
Lcoil = 10毫亨, VCC = 10 V
RCOIL = 0.7
VCLAMP = VCEO ( SUS)
电感试验电路
Lcoil = 180
H
RCOIL = 0.05
VCC = 20 V
输出波形
T1为调整
获得IC
t1
t2
Lcoil ( IC
VCC
Lcoil ( IC
pk
VCLAMP
)
pk
)
阻性测试电路
测试电路
TUT
1
输入
见上文
具体情况
2
1N4937
OR
当量
VCLAMP
RS =
0.1
RCOIL
Lcoil
VCC
IC ( PK)
t1
tf
TUT
1
2
RL
VCC
TF固支
t
VCE或
VCLAMP
时间
t2
t
测试设备
范围 - 泰克
475或等效
*调整 - V使得VBE (关闭) = 5V ,除非需要RBSOA (图8) 。
IC PK
90 % VCLAMP
IC
TSV
TRV
tc
VCE
IB
10 % VCLAMP
90 % IB1
VCLAMP
90 % IC
TFI
TTI
和锤驱动器,电流和电压波形不是
同相的。因此,独立的测量值必须进行
每个波形以确定总的切换时间。为
由于这个原因,下面的新术语已经被定义。
TSV =电压贮存时间, 90 % IB1 10 % V钳位
TRV =电压上升时间, 10 - 90 % V钳位
TFI =电流下降时间, 90 - 10 %的IC
TTI =电流拖尾, 10 - 2 % IC
TC =交叉时, 10%的V钳位至10%的IC
对于设计师,有在最小的开关损耗
存储时间和主要的开关功率损耗
发生交叉间隔期间,能够得到我们 -
荷兰国际集团的AN- 222的标准方程:
PSWT = 1/2 VCC IC ( TC )F
一般来说,T RV + T网络
T C 。然而,在较低的测试电流
这种关系可能是无效的。
为是与大多数的开关晶体管,电阻
开关被指定,并已成为一个标杆DE-
签名者。然而,对于高频率转换器的设计者
电路中,面向用户的规范,这些使这个
“开关模式”晶体管是电感式开关
速度( TC和TSV ),它们保证。
10%
IC PK
2 % IC
时间
图6.感应开关测量
开关时间注意
在电阻开关电路,上升,下降和存储时间
已经确定,适用于电流和电压
的波形,因为它们是同相的。但是,对于电感性
加载中通用的开关模式电源
^
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJ10015 MJ10016
在图7和图8所示的安全工作区数字
在测试条件下对这些设备中指定的评分
如图所示。
50
IC ,集电极电流( AMPS )
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
TC = 25°C
焊线LIMIT
热限制(单脉冲)
第二击穿极限
2.0
20
500 1000
5.0 10
50 100 200
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
dc
10
s
安全工作区信息
正向偏压
有对的功率处理能力2 Iimitations
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管,
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图7的数据是基于TC = 25
_
℃; T J ( PK)是
变量取决于功率电平。其次,脉细数
限制是有效的占空比为10 %,但必须降低
当TC
25
_
C.第二击穿限制不der-
吃一样的热限制。在容许电流
在图7中所示的电压可在任何情况下,被发现温
perature通过使用适当的曲线上的图9 。
反向偏置
为电感性负载,高电压和高电流必须
关断期间的同时持续,在大多数情况下,用
所述基极至发射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式如有源钳位来实现,
RC吸收,负载线整形,等安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
和表示电压 - 电流条件允许的能很好地协同
荷兰国际集团反向偏置关断。这个等级下得到验证
夹紧条件,使该装置从未经受
雪崩模式。图8给出了完整RBSOA
的特点。
MJ10015
MJ10016
0.02
0.01
0.005
1.0
图7.正向偏置安全工作区
50
IC ,集电极电流( AMPS )
40
30
TURN -OFF载重线
边界MJ10016
的基因座MJ10015
100 V LESS
IC
IB1
20
u
10
10
VBE (关闭) = 5.0 V
TC = 25°C
0
200
300
400
100
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
500
0
图8.反向偏置安全开关
工作区
100
功率降额系数( % )
IB2 ( PK) ,基极电流( AMP )
正向偏压
第二击穿
降额
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
请参阅表1的条件,
图6波形。
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IC = 20 A
80
60
降额
40
20
0
0
40
80
120
TC ,外壳温度( ° C)
160
200
0
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
图9.功率降额
图10.典型的反向基极电流
与VBE (关闭) ,无需外部基地
阻力
5
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
开关稳压器
电机控制
逆变器
电磁阀和继电器驱动器
快速关断时间
1.0
s
(最大值)感应交叉时间 - 20安培
2.5
s
(最大值)电感储存时间 - 20安培
工作温度范围-65 + 200
_
C
性能指定
反向偏置SOA带感性负载
开关时间与感性负载
饱和电压
漏电流
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
该MJ10015和MJ10016达林顿晶体管设计用于高电压,
高速,在电感性电路中的下降时间是非常关键的电力开关。他们是
特别适用于线操作的开关模式的应用,如:
开关模式是摩托罗拉公司的一个商标。
SWITCHMODE系列
NPN硅达林顿功率
晶体管基射极
加速二极管
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
REV 1
最大的铅焊接温度的目的:
1/8 ?从案例5秒
工作和存储结温范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
- 峰值( 1 )
连续集电极电流 -
- 峰值( 1 )
发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
热阻,结到外壳
特征
等级
v
10%.
符号
符号
TJ , TSTG
VCEO
VCEV
R
θJC
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
TL
50
8
MJ10015
600
400
- 65至+ 200
最大
250
143
1.43
275
0.7
8.0
10
15
50
75
50安培
NPN硅
大功率达林顿管
晶体管
400与500伏
250瓦
MJ10015
MJ10016
MJ10016
700
500
CASE 197-05
TO- 204AE型
( TO-3型)
订购此文件
通过MJ10015 / D
W/
_
C
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
_
C
1
MJ10015 MJ10016
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2%.
( 2 )内部的集电极 - 发射极二极管可省去外部二极管钳位感性负载。
(2)
试验表明,该二极管的正向恢复电压(Vf )相当于典型的快速恢复整流器。
开关特性
动态特性
基本特征( 1 )
第二击穿
开关特性( 1 )
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
交叉时间
贮存时间
感性负载时,钳位(表1)
下降时间
贮存时间
上升时间
延迟时间
阻性负载(表1)
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , FTEST = 100千赫)
二极管的正向电压( 2 )
( IF = 20 ADC)
基射极饱和电压
( IC = 20 ADC , IB = 1.0 ADC )
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 20 ADC , IB = 1.0 ADC )
( IC = 50 ADC , IB = 10 ADC)
直流电流增益
( IC = 20 ADC , VCE = 5.0 V直流)
( IC = 40 ADC , VCE = 5.0 V直流)
钳位感性SOA与基地反向偏置
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
发射Cuto FF电流
( VEB = 2.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCEV =额定值时, VBE (关闭) = 1.5伏)
集电极 - 发射极耐受电压(表1)
( IC = 100 mA时, IB = 0 , VCLAMP =额定VCEO )
2
( IC = 20 A( PK) , VCLAMP = 250 V , IB1 = 1.0 A,
VBE (关闭) = 5.0伏)
( VCC = 250 VDC , IC = 20 A,
IB1 = 1.0 ADC , VBE (关闭) = 5 VDC , TP = 25
s
2%).
占空比
特征
v
v
MJ10015
MJ10016
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
符号
RBSOA
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
IEBO
ICEV
COB
的hFE
是/ B
TSV
Vf
td
ts
tr
tf
tc
400
500
25
10
参见图8
参见图7
0.36
0.14
典型值
1.0
0.3
0.8
0.3
2.5
2.75
0.25
最大
750
350
1.0
2.5
1.0
2.5
1.0
0.3
5.0
2.2
5.0
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
s
s
s
s
s
s
MJ10015 MJ10016
典型特征
100
2.4
2.0
V,电压(V )
IC / IB = 10
1.6
的hFE , DC电流增益
50
20
TC = 25°C
VCE = 5.0 V
1.2
TJ = 25°C
0.8
TJ = 150℃
10
5.0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
IC ,集电极电流( AMPS )
50
0.4
0.5
1.0
10
2.0
5.0
IC ,集电极电流( AMP )
20
50
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和电压
2.8
IC ,集电极电流(
A)
104
VCE = 250 V
103
102
101
TJ = 125°C
100°C
75°C
反向
100
25°C
10–1
– 0.2
0
+ 0.2
+ 0.4
+ 0.6
+ 0.8
2.4
V,电压(V )
IC / IB = 10
2.0
TJ = 25°C
1.6
1.2
TJ = 150℃
前锋
0.8
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ,集电极电流( AMP )
VBE ,基极发射极电压(伏)
图3.基射极饱和电压
图4.集电极截止区
1500
OB ,输出电容(pF )
1000
TJ = 25°C
500
300
200
100
0.4
1.0
100
4.0 10
40
VR ,反向电压(伏)
400
图5.输出电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
MJ10015 MJ10016
表1.测试条件为动态性能
VCEO ( SUS)
20
1
VCEX以及电感式开关
电感试验电路
电阻开关
开启时间
1
输入
条件
5V
0
2
1
TUT
1N4937
OR
当量
VCLAMP
RS =
0.1
2
RCOIL
Lcoil
VCC
IB1调整为
获得强制
所需的hFE
关断时间
使用电感式开关
驱动程序作为输入到
电阻测试电路。
VCC = 250 V
RL = 12.5
脉冲宽度= 25
s
IB1
输入
见上文
具体情况
PW变化,以臻
IC = 100毫安
2
电路
Lcoil = 10毫亨, VCC = 10 V
RCOIL = 0.7
VCLAMP = VCEO ( SUS)
电感试验电路
Lcoil = 180
H
RCOIL = 0.05
VCC = 20 V
输出波形
T1为调整
获得IC
t1
t2
Lcoil ( IC
VCC
Lcoil ( IC
pk
VCLAMP
)
pk
)
阻性测试电路
测试电路
TUT
1
输入
见上文
具体情况
2
1N4937
OR
当量
VCLAMP
RS =
0.1
RCOIL
Lcoil
VCC
IC ( PK)
t1
tf
TUT
1
2
RL
VCC
TF固支
t
VCE或
VCLAMP
时间
t2
t
测试设备
范围 - 泰克
475或等效
*调整 - V使得VBE (关闭) = 5V ,除非需要RBSOA (图8) 。
IC PK
90 % VCLAMP
IC
TSV
TRV
tc
VCE
IB
10 % VCLAMP
90 % IB1
VCLAMP
90 % IC
TFI
TTI
和锤驱动器,电流和电压波形不是
同相的。因此,独立的测量值必须进行
每个波形以确定总的切换时间。为
由于这个原因,下面的新术语已经被定义。
TSV =电压贮存时间, 90 % IB1 10 % V钳位
TRV =电压上升时间, 10 - 90 % V钳位
TFI =电流下降时间, 90 - 10 %的IC
TTI =电流拖尾, 10 - 2 % IC
TC =交叉时, 10%的V钳位至10%的IC
对于设计师,有在最小的开关损耗
存储时间和主要的开关功率损耗
发生交叉间隔期间,能够得到我们 -
荷兰国际集团的AN- 222的标准方程:
PSWT = 1/2 VCC IC ( TC )F
一般来说,T RV + T网络
T C 。然而,在较低的测试电流
这种关系可能是无效的。
为是与大多数的开关晶体管,电阻
开关被指定,并已成为一个标杆DE-
签名者。然而,对于高频率转换器的设计者
电路中,面向用户的规范,这些使这个
“开关模式”晶体管是电感式开关
速度( TC和TSV ),它们保证。
10%
IC PK
2 % IC
时间
图6.感应开关测量
开关时间注意
在电阻开关电路,上升,下降和存储时间
已经确定,适用于电流和电压
的波形,因为它们是同相的。但是,对于电感性
加载中通用的开关模式电源
^
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
MJ10015 MJ10016
在图7和图8所示的安全工作区数字
在测试条件下对这些设备中指定的评分
如图所示。
50
IC ,集电极电流( AMPS )
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
TC = 25°C
焊线LIMIT
热限制(单脉冲)
第二击穿极限
2.0
20
500 1000
5.0 10
50 100 200
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
dc
10
s
安全工作区信息
正向偏压
有对的功率处理能力2 Iimitations
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管,
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图7的数据是基于TC = 25
_
℃; T J ( PK)是
变量取决于功率电平。其次,脉细数
限制是有效的占空比为10 %,但必须降低
当TC
25
_
C.第二击穿限制不der-
吃一样的热限制。在容许电流
在图7中所示的电压可在任何情况下,被发现温
perature通过使用适当的曲线上的图9 。
反向偏置
为电感性负载,高电压和高电流必须
关断期间的同时持续,在大多数情况下,用
所述基极至发射极结反向偏置。在这些
条件的集电极电压必须保持在安全水平
在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是
通过以下几种方式如有源钳位来实现,
RC吸收,负载线整形,等安全级别为这些
设备被指定为反向偏置安全工作区
和表示电压 - 电流条件允许的能很好地协同
荷兰国际集团反向偏置关断。这个等级下得到验证
夹紧条件,使该装置从未经受
雪崩模式。图8给出了完整RBSOA
的特点。
MJ10015
MJ10016
0.02
0.01
0.005
1.0
图7.正向偏置安全工作区
50
IC ,集电极电流( AMPS )
40
30
TURN -OFF载重线
边界MJ10016
的基因座MJ10015
100 V LESS
IC
IB1
20
u
10
10
VBE (关闭) = 5.0 V
TC = 25°C
0
200
300
400
100
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
500
0
图8.反向偏置安全开关
工作区
100
功率降额系数( % )
IB2 ( PK) ,基极电流( AMP )
正向偏压
第二击穿
降额
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
请参阅表1的条件,
图6波形。
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IC = 20 A
80
60
降额
40
20
0
0
40
80
120
TC ,外壳温度( ° C)
160
200
0
VBE (关闭) ,反向基极电压(伏)
图9.功率降额
图10.典型的反向基极电流
与VBE (关闭) ,无需外部基地
阻力
5
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
A
A
A
A
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