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信息产业部75-12 A3
MID 75-12 A3
MDI 75-12 A3
IGBT模块
短路SOA能力
广场RBSOA
I
C25
= 90 A
V
CES
= 1200 V
V
CE ( sat)的典型值。
= 2.2 V
MII
1
MID
1
MDI
1
3
2
1
4
5
6
7
7
6
3
3
7
6
3
4
5
2
4
5
2
2
E 72873
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C80
I
CM
t
SC
( SCSOA )
RBSOA
P
合计
T
J
T
英镑
V
ISOL
条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 20千瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 80 ° C,T
p
= 1毫秒
V
GE
= ±15 V, V
CE
= V
CES
, T
J
= 125°C
R
G
= 22
W,
不重复
V
GE
= -15 V,T
J
= 125 ° C,R
G
= 22
W
钳位感性负载, L = 100
mH
T
C
= 25°C
最大额定值
1200
1200
±20
±30
90
60
120
10
I
CM
= 100
V
CEK
& LT ; V
CES
370
150
-40 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
ms
A
特点
NPT IGBT技术
低饱和电压
低开关损耗
开关频率高达30 kHz的
广场RBSOA ,无闩锁
高抗短路能力强
正温度系数为
易parallelling
MOS输入,压控
超高速续流二极管
与DCB陶瓷基板封装
隔离电压4800 V
UL注册E72873
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
优势
W
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
Nm
lb.in.
mm
mm
M / S
2
g
盎司
典型应用
q
q
q
q
空间和减轻重量
降低保护电路
50/60赫兹, RMS
T = 1分
t=1s
I
ISOL
1毫安
绝缘材料:铝
2
O
3
安装扭矩(模块)
(端子上)
4000
4800
2.25-2.75
20-25
2.5-3.7
22-33
12.7
9.6
50
130
4.6
M
d
q
q
AC和DC电机控制
交流伺服和机器人的驱动器
电源
逆变焊机
d
S
d
A
a
重量
表面爬电距离
通过空袭距离
马克斯。允许加速
典型
根据单个IGBT数据/ FRED ,除非另有说明。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
030
信息产业部75-12 A3
MID 75-12 A3
MDI 75-12 A3
符号
条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
1200
4.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
6
6.5
V
V
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
V
( BR ) CES
V
GE (日)
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
R
thJC
R
thjs
V
GE
= 0 V
I
C
= 2毫安, V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= 50 A,V
GE
= 15 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
4毫安
mA
±200
nA
2.2
3.3
0.5
0.22
100
70
500
70
7.6
5.6
0.66
2.7
V
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
感性负载,T
J
= 125°C
I
C
= 50 A,V
GE
= ±15 V
V
CE
= 600 V ,R
G
= 22
W
与复合散热器
0.33 K / W
K / W
等效电路的仿真
反向二极管( FRED )
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
2.2
1.8
2.5
1.9
100
60
40
200
1.32
V
V
A
A
A
ns
0.66 K / W
K / W
传导
V
F
I
F
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thjs
I
F
= 50 A,V
GE
= 0 V,
I
F
= 50 A,V
GE
= 0 V ,T
J
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
I
F
= 50 A,V
GE
= 0 V , - 二
F
/ DT = 400 A / MS
T
J
= 125°C ,V
R
= 600 V
与复合散热器
IGBT (典型值在V
GE
= 15 V ;牛逼
J
= 125°C)
V
0
= 1.5 V ;
0
= 20.1毫瓦
续流二极管(典型值在T
J
= 125°C)
V
0
= 1.3 V ;
0
= 10.8毫瓦
热响应
IGBT (典型值)。
C
th1
= 0.13 J / K ;
th1
= 0.323 K / W
C
th2
= 0.32 J / K ;
th2
= 0.008 K / W
续流二极管( TYP。)
C
th1
= 0.10 J / K ;
th1
= 0.645 K / W
C
th2
= 0.18 J / K ;
th2
= 0.013 K / W
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-4
信息产业部75-12 A3
MID 75-12 A3
MDI 75-12 A3
120
T
J
= 25°C
A
100
I
C
V
GE
=17V
15V
13V
11V
120
A
T
J
= 125°C
100
I
C
80
V
GE
=17V
15V
13V
11V
80
60
40
9V
60
40
20
0
0.0
9V
20
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CE
3.0
V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
V
CE
3.5
V
图。 1典型值。输出特性
图。 2典型。输出特性
120
V
CE
= 20V
A
T
J
= 25°C
100
I
C
180
T
J
= 125°C
A
150
I
F
T
J
= 25°C
80
60
40
20
0
5
6
7
8
9
10
V
GE
120
90
60
30
0
11
V
0
1
2
V
F
3
V
4
图。 3典型。传输特性
图。 4典型。正向特性
续流二极管
120
20
V
V
GE
300
ns
t
rr
V
CE
= 600V
I
C
= 50A
A
I
RM
15
t
rr
80
10
40
5
T
J
= 125°C
V
R
= 600V
I
F
= 50A
200
I
RM
100
75-12
0
0
50
100
150
200
Q
G
0
250
nC
0
200
400
600
800
s
A/
m
-di / dt的
0
1000
图。 5典型。打开栅极电荷
图。 6典型。关闭的特点
续流二极管
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3-4
信息产业部75-12 A3
MID 75-12 A3
MDI 75-12 A3
24
mJ
E
on
120
ns
90
t
D(上)
t
60
t
r
R
G
= 22
W
T
J
= 125°C
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
12
mJ
10
E
关闭
600
E
关闭
ns
500
t
D(关闭)
400 t
300
200
100
0
0
20
40
60
80
I
C
100 A
18
8
6
4
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
12
6
E
on
30
2
0
R
G
= 22
W
T
J
= 125°C
t
f
0
0
20
40
60
I
C
0
80
100
A
图。 7典型。开启能量和交换
时间与集电极电流
20
mJ
E
on
15
240
t
D(上)
E
on
ns
180
t
E
关闭
图。 8典型。关闭能源和开关
时间与集电极电流
10
mJ
1500
ns
1200
t
900
600
300
t
f
0
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 50A
T
J
= 125°C
8
6
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 50A
T
J
= 125°C
t
D(关闭)
E
关闭
10
t
r
120
4
60
5
2
0
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
R
G
W
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
R
G
W
图。 9典型。开启能量和交换
时间与栅极电阻
120
A
100
I
CM
1
K / W
0.1
R
G
= 22
W
T
J
= 125°C
V
CEK
& LT ; V
CES
图10典型。关闭能源和开关
时间与栅极电阻
80
60
40
20
0
0
200
400
Z
thJC
0.01
0.001
0.0001
二极管
IGBT
单脉冲
75-12
600
800 1000 1200
V
V
CE
0.00001
0.00001 0.0001
0.001
0.01
t
0.1
s
1
图。 11反向偏置安全工作区
RBSOA
图。 12典型。瞬态热阻抗
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4-4
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    MII75-12A3
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    -
    -
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
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IXYS
24+
1000
MODULE
全新原装现货
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
MII75-12A3
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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电话:021-51097965
联系人:杨全兴
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IXYS
24+
10000
Y4-M5
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MII75-12A3
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MII75-12A3
IXYS
24+
3000
Y4-M5
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
MII75-12A3
IXYS
500
主营模块可控硅
全新进口 现货库存 欢迎咨询洽谈
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联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
MII75-12A3
NO
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
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电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
MII75-12A3
24+
2176
MODULE
公司大量现货 随时可以发货
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