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MIG75Q201H
东芝智能功率模块硅N沟道IGBT
MIG75Q201H
高功率开关应用
电机控制应用
l
集成逆变器,制动功率电路&控制电路( IGBT驱动单元,保护单元的过电流,
欠压&过温)在一个封装中。
l
所述电极从壳体分离。
l
高速型IGBT
: V
CE (SAT)
= 3.5 V (最大值)
花花公子= 2.5 μs(最大值)
TRR = 0.21 μs(最大值)
l
包装尺寸:东芝2-136A1A
l
重量:
等效电路
1
2001-05-29
MIG75Q201H
最大额定值
(T
j
= 25°C )
舞台
特征
电源电压
集电极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
正向电流
集电极耗散功率
结温
电源电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
刹车
反向电压
正向电流
集电极耗散功率
结温
控制电源电压
控制
输入电压
FAULT输出电压
故障输出电流
工作温度
模块
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
AC 1分钟
M5
条件
P -N电源端子
TC = 25 ° C, DC
TC = 25 ° C, DC
TC = 25°C
P -N电源端子
TC = 25 ° C, DC
TC = 25 ° C, DC
TC = 25°C
V
D
-GND终端
在GND端子
FO - GND ( L)端子
FO吸收电流
符号
V
CC
V
CES
I
C
I
F
P
C
T
j
V
CC
V
CES
I
C
V
R
I
F
P
C
T
j
V
D
V
IN
V
FO
I
FO
TC
T
英镑
V
ISO
评级
900
1200
75
75
600
150
900
1200
50
1200
50
400
150
20
20
20
14
20
~ +100
40
~ +125
2500
3
单位
V
V
A
A
W
°C
V
V
A
V
A
W
°C
V
V
V
mA
°C
°C
V
Nm
电气特性
(T
j
= 25°C)
a.
倒相级
特征
集电极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
正向电压
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
= 1200V
V
D
= 15 V,I
C
= 75 A
V
IN
= 3 V
0 V
I
F
= 75A
V
CC
= 600 V,I
C
= 75 A
V
D
= 15 V, V
IN
= 3 V
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0.8
0V
(注1 )
典型值。
2.7
2.6
2.0
1.5
0.3
0.14
1.5
0.25
最大
1
20
3.5
2.5
2.2
0.6
0.21
2.5
0.5
s
单位
mA
V
CE (SAT)
V
F
t
on
t
C( ON)
V
V
开关时间
t
rr
t
关闭
t
C( OFF)
2
2001-05-29
MIG75Q201H
b.
制动阶段
特征
集电极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
反向电流
正向电压
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
= 1200V
V
D
= 15 V,I
C
= 50 A
V
IN
= 3 V
0 V
VR = 1200 V
I
F
= 50A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0.8
V
CC
= 600 V,I
C
= 50 A
V
D
= 15 V, V
IN
= 3 V
感性负载
0V
(注1 )
典型值。
2.7
2.6
2.0
1.5
0.5
0.30
1.5
0.3
最大
1
20
3.5
1
20
2.7
2.2
1.0
0.45
2.5
0.6
s
单位
mA
V
CE (SAT)
V
I
R
V
F
t
on
t
C( ON)
mA
V
开关时间
t
rr
t
关闭
t
C( OFF)
c.
控制级
(T
j
= 25°C)
特征
符号
I
D(高)
I
D( L)的
V
IN(上)
I
FO (上)
I
FO (关闭)
OC
V
D
= 15 V
V
D
= 15 V,I
C
= 75毫安
测试条件
0.9
8
105
70
157
105
111
93
V
D
= 15 V
11.3
11.8
1
典型值。
20
80
1.1
10
150
100
225
150
10
118
100
12.0
12.5
2
最大
30
120
1.3
12
1
125
107
12.7
13.2
3
单位
mA
V
mA
控制电路
当前
HIGH SIDE
LOW SIDE
输入上的信号电压
故障输出
当前
过电流
保护
旅行等级
短路
保护
旅行等级
保护
正常
逆变器
刹车
逆变器
刹车
V
D
= 15 V ,T
j
= 125°C
A
SC
t
关( OC )
OT
OTR
UV
紫外线辐射
t
FO
V
D
= 15 V ,T
j
= 125°C
V
D
= 15 V
外壳温度
A
s
°C
过电流截止时间
过度
温度
保护
控制电源
欠压
保护
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
V
ms
故障输出脉冲宽度
3
2001-05-29
MIG75Q201H
d.
热阻(T
j
= 25°C)
特征
符号
测试条件
逆变器的IGBT
结到外壳热
阻力
R
日(J -C )
逆变器FRD
制动IGBT
制动FRD
案件Fin散热
阻力
R
TH( C-F )
化合物被施加
典型值。
0.04
最大
0.208
0.50
0.312
1.00
C / W
C / W
单位
注1 :开关时间测试电路&时序图
4
2001-05-29
MIG75Q201H
5
2001-05-29
MIG75Q201H
东芝智能功率模块硅N沟道IGBT
MIG75Q201H
高功率开关应用
电机控制应用
l
集成逆变器,制动功率电路&控制电路( IGBT驱动单元,保护单元的过电流,
欠压&过温)在一个封装中。
l
所述电极从壳体分离。
l
高速型IGBT
: V
CE (SAT)
= 3.5 V (最大值)
花花公子= 2.5 μs(最大值)
TRR = 0.21 μs(最大值)
l
包装尺寸:东芝2-136A1A
l
重量:
等效电路
1
2001-05-29
MIG75Q201H
最大额定值
(T
j
= 25°C )
舞台
特征
电源电压
集电极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
正向电流
集电极耗散功率
结温
电源电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
刹车
反向电压
正向电流
集电极耗散功率
结温
控制电源电压
控制
输入电压
FAULT输出电压
故障输出电流
工作温度
模块
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
AC 1分钟
M5
条件
P -N电源端子
TC = 25 ° C, DC
TC = 25 ° C, DC
TC = 25°C
P -N电源端子
TC = 25 ° C, DC
TC = 25 ° C, DC
TC = 25°C
V
D
-GND终端
在GND端子
FO - GND ( L)端子
FO吸收电流
符号
V
CC
V
CES
I
C
I
F
P
C
T
j
V
CC
V
CES
I
C
V
R
I
F
P
C
T
j
V
D
V
IN
V
FO
I
FO
TC
T
英镑
V
ISO
评级
900
1200
75
75
600
150
900
1200
50
1200
50
400
150
20
20
20
14
20
~ +100
40
~ +125
2500
3
单位
V
V
A
A
W
°C
V
V
A
V
A
W
°C
V
V
V
mA
°C
°C
V
Nm
电气特性
(T
j
= 25°C)
a.
倒相级
特征
集电极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
正向电压
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
= 1200V
V
D
= 15 V,I
C
= 75 A
V
IN
= 3 V
0 V
I
F
= 75A
V
CC
= 600 V,I
C
= 75 A
V
D
= 15 V, V
IN
= 3 V
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0.8
0V
(注1 )
典型值。
2.7
2.6
2.0
1.5
0.3
0.14
1.5
0.25
最大
1
20
3.5
2.5
2.2
0.6
0.21
2.5
0.5
s
单位
mA
V
CE (SAT)
V
F
t
on
t
C( ON)
V
V
开关时间
t
rr
t
关闭
t
C( OFF)
2
2001-05-29
MIG75Q201H
b.
制动阶段
特征
集电极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
反向电流
正向电压
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
= 1200V
V
D
= 15 V,I
C
= 50 A
V
IN
= 3 V
0 V
VR = 1200 V
I
F
= 50A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0.8
V
CC
= 600 V,I
C
= 50 A
V
D
= 15 V, V
IN
= 3 V
感性负载
0V
(注1 )
典型值。
2.7
2.6
2.0
1.5
0.5
0.30
1.5
0.3
最大
1
20
3.5
1
20
2.7
2.2
1.0
0.45
2.5
0.6
s
单位
mA
V
CE (SAT)
V
I
R
V
F
t
on
t
C( ON)
mA
V
开关时间
t
rr
t
关闭
t
C( OFF)
c.
控制级
(T
j
= 25°C)
特征
符号
I
D(高)
I
D( L)的
V
IN(上)
I
FO (上)
I
FO (关闭)
OC
V
D
= 15 V
V
D
= 15 V,I
C
= 75毫安
测试条件
0.9
8
105
70
157
105
111
93
V
D
= 15 V
11.3
11.8
1
典型值。
20
80
1.1
10
150
100
225
150
10
118
100
12.0
12.5
2
最大
30
120
1.3
12
1
125
107
12.7
13.2
3
单位
mA
V
mA
控制电路
当前
HIGH SIDE
LOW SIDE
输入上的信号电压
故障输出
当前
过电流
保护
旅行等级
短路
保护
旅行等级
保护
正常
逆变器
刹车
逆变器
刹车
V
D
= 15 V ,T
j
= 125°C
A
SC
t
关( OC )
OT
OTR
UV
紫外线辐射
t
FO
V
D
= 15 V ,T
j
= 125°C
V
D
= 15 V
外壳温度
A
s
°C
过电流截止时间
过度
温度
保护
控制电源
欠压
保护
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
V
ms
故障输出脉冲宽度
3
2001-05-29
MIG75Q201H
d.
热阻(T
j
= 25°C)
特征
符号
测试条件
逆变器的IGBT
结到外壳热
阻力
R
日(J -C )
逆变器FRD
制动IGBT
制动FRD
案件Fin散热
阻力
R
TH( C-F )
化合物被施加
典型值。
0.04
最大
0.208
0.50
0.312
1.00
C / W
C / W
单位
注1 :开关时间测试电路&时序图
4
2001-05-29
MIG75Q201H
5
2001-05-29
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数量
封装
单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MIG75Q201H
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
MIG75Q201H
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
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4000
75A1200V
授权分销 现货热卖
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
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电话:0755- 82556029/82532511
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联系人:李先生 李小姐
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联系人:销售部1部
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