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MIG400J101H
东芝智能功率模块硅N沟道IGBT
MIG400J101H
高功率开关应用
电机控制应用
l
集成逆变电源电路&控制电路( IGBT驱动单元,保护单元的过电流,
欠压&以上温度)在一个封装中。
l
所述电极从壳体分离。
l
高速型IGBT : V
CE (SAT)
= 2.5V (最大)
t
关闭
=在2.0μs (最大)
t
rr
= 0.15μs (最大)
l
包装尺寸
l
重量: 510克
:东芝2-121A1A
等效电路
1
2002-12-06
MIG400J101H
最大额定值
(T
j
= 25°C)
舞台
特征
电源电压
集电极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
正向电流
集电极耗散功率
结温
控制电源电压
控制
输入电压
FAULT输出电压
故障输出电流
工作温度
模块
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
AC 1分钟,
M6
TC = 25 ° C, DC
TC = 25 ° C, DC
TC = 25°C
V
D
-GND终端
在GND端子
FO - GND ( L)端子
FO吸收电流
条件
P -N电源端子
符号
V
CC
V
CES
I
C
I
F
P
C
T
j
V
D
V
IN
V
FO
I
FO
T
C
T
英镑
V
ISO
评级
450
600
400
400
1600
150
20
20
20
14
20
~ +100
40
~ +125
2500
3
单位
V
V
A
A
W
°C
V
V
V
mA
°C
°C
V
Nm
电气特性
(T
j
= 25°C)
a.
倒相级
特征
集电极截止电流
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
= 600V
V
D
= 15V ,我
C
= 400A
V
IN
= 3V
0V
I
F
= 400A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.4
V
CC
= 300V ,我
C
= 400A
V
D
= 15V, V
IN
= 3V
0V
感性负载
(注1 )
典型值。
2.0
2.0
2.1
2.1
1.2
0.08
1.2
0.3
最大
2
40
2.5
2.7
2.8
1.8
0.15
2.0
0.6
s
单位
mA
集电极 - 发射极饱和电压
正向电压
V
CE (SAT)
V
F
t
on
t
C( ON)
V
V
开关时间
t
rr
t
关闭
t
C( OFF)
2
2002-12-06
MIG400J101H
b.
控制级
(T
j
= 25°C)
特征
控制电路的电流
对输入信号电压
故障输出
当前
保护
正常
符号
I
D
V
IN(上)
I
FO (上)
I
FO (关闭)
OC
SC
t
关( OC )
OT
OTR
UV
紫外线辐射
t
FO
V
D
= 15V
V
D
= 15V
V
D
= 15V ,我
C
= 400毫安
V
D
= 15V
V
D
= 15V ,T
j
= 125°C
V
D
= 15V ,T
j
= 125°C
V
D
= 15V
外壳温度
测试条件
0.9
8
560
840
111
93
11.3
11.8
1
典型值。
20
1.1
10
640
960
10
118
100
12.0
12.5
2
最大
30
1.3
12
1
单位
mA
V
mA
A
A
s
°C
过流保护跳闸水平
短路保护触发电平
过电流截止时间
过度
温度
保护
控制电源
欠压
保护
故障输出脉冲宽度
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
125
107
12.7
13.2
3
V
ms
c.
热阻
(T
j
= 25°C)
特征
符号
R
日(J -C )
R
TH( C-F )
IGBT
FRD
化合物被施加
测试条件
典型值。
0.05
最大
0.078
0.208
单位
C / W
C / W
结到外壳热
阻力
案件Fin散热
阻力
3
2002-12-06
MIG400J101H
注1 :开关时间测试电路&时序图
4
2002-12-06
MIG400J101H
5
2002-12-06
MIG400J101H
东芝智能功率模块硅N沟道IGBT
MIG400J101H
高功率开关应用
电机控制应用
l
集成逆变电源电路&控制电路( IGBT驱动单元,保护单元的过电流,
欠压&以上温度)在一个封装中。
l
所述电极从壳体分离。
l
高速型IGBT : V
CE (SAT)
= 2.5V (最大)
t
关闭
=在2.0μs (最大)
t
rr
= 0.15μs (最大)
l
包装尺寸
l
重量: 510克
:东芝2-121A1A
等效电路
1
2002-12-06
MIG400J101H
最大额定值
(T
j
= 25°C)
舞台
特征
电源电压
集电极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
正向电流
集电极耗散功率
结温
控制电源电压
控制
输入电压
FAULT输出电压
故障输出电流
工作温度
模块
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
AC 1分钟,
M6
TC = 25 ° C, DC
TC = 25 ° C, DC
TC = 25°C
V
D
-GND终端
在GND端子
FO - GND ( L)端子
FO吸收电流
条件
P -N电源端子
符号
V
CC
V
CES
I
C
I
F
P
C
T
j
V
D
V
IN
V
FO
I
FO
T
C
T
英镑
V
ISO
评级
450
600
400
400
1600
150
20
20
20
14
20
~ +100
40
~ +125
2500
3
单位
V
V
A
A
W
°C
V
V
V
mA
°C
°C
V
Nm
电气特性
(T
j
= 25°C)
a.
倒相级
特征
集电极截止电流
符号
I
CEX
测试条件
V
CE
= 600V
V
D
= 15V ,我
C
= 400A
V
IN
= 3V
0V
I
F
= 400A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.4
V
CC
= 300V ,我
C
= 400A
V
D
= 15V, V
IN
= 3V
0V
感性负载
(注1 )
典型值。
2.0
2.0
2.1
2.1
1.2
0.08
1.2
0.3
最大
2
40
2.5
2.7
2.8
1.8
0.15
2.0
0.6
s
单位
mA
集电极 - 发射极饱和电压
正向电压
V
CE (SAT)
V
F
t
on
t
C( ON)
V
V
开关时间
t
rr
t
关闭
t
C( OFF)
2
2002-12-06
MIG400J101H
b.
控制级
(T
j
= 25°C)
特征
控制电路的电流
对输入信号电压
故障输出
当前
保护
正常
符号
I
D
V
IN(上)
I
FO (上)
I
FO (关闭)
OC
SC
t
关( OC )
OT
OTR
UV
紫外线辐射
t
FO
V
D
= 15V
V
D
= 15V
V
D
= 15V ,我
C
= 400毫安
V
D
= 15V
V
D
= 15V ,T
j
= 125°C
V
D
= 15V ,T
j
= 125°C
V
D
= 15V
外壳温度
测试条件
0.9
8
560
840
111
93
11.3
11.8
1
典型值。
20
1.1
10
640
960
10
118
100
12.0
12.5
2
最大
30
1.3
12
1
单位
mA
V
mA
A
A
s
°C
过流保护跳闸水平
短路保护触发电平
过电流截止时间
过度
温度
保护
控制电源
欠压
保护
故障输出脉冲宽度
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
125
107
12.7
13.2
3
V
ms
c.
热阻
(T
j
= 25°C)
特征
符号
R
日(J -C )
R
TH( C-F )
IGBT
FRD
化合物被施加
测试条件
典型值。
0.05
最大
0.078
0.208
单位
C / W
C / W
结到外壳热
阻力
案件Fin散热
阻力
3
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MIG400J101H
注1 :开关时间测试电路&时序图
4
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5
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    联系人:杨小姐
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    MIG400J101H
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    -
    -
    -
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联系人:销售部
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MIG400J101H
TOSHIBA/东芝
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上海原装现货,专营模块
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
MIG400J101H
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公司大量 现货随时可以发货
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联系人:李先生 李小姐
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2176
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公司大量现货 随时可以发货
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联系人:夏先生 朱小姐
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TOSHIBA
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